“浙江四方电子有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]晶闸管管芯结构-CN200920317813.8无效
发明人：何加利 -专利权人： 浙江四方电子有限公司
申请日： 2009-12-18 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶闸管管芯结构，其特征在于：具有硅片SCR结构，所述硅片SCR结构的两侧分别有钼片层与铝层，在所述钼片层与铝层外面有镍层，在所述镍层外面有银层。本实用新型在原始的N型硅片上形成P-N-P-N四层结构(即：j1结、j2结和j3结)，再以高纯铝作为单晶硅片与钼片的键合介质，在单晶硅片表面形成一层有效的保护膜，最后在烧结镀膜好的管芯表层分别进行镀镍和镀银处理，在管芯两端引出可焊接的阳极与阴极，从而可以在摒除传统搪铅工艺的同时，制备出可以适用既可焊接封装又可压接封装的完整的晶闸管管芯。
晶闸管管芯结构

[发明专利]晶闸管管芯制造工艺-CN200910311763.7无效
发明人：何加利 -专利权人： 浙江四方电子有限公司
申请日： 2009-12-18 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L21/332 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶闸管管芯制造工艺，其特征在于：包括：1)硼扩散，2)氧化，3)一次光刻，4)磷扩散，5)烧结，6)蒸发，7)合金，8)二次光刻，9)表面处理-镀镍，10)表面处理-镀银，11)三次光刻，12)磨角，13)表面腐蚀。本发明通过在原始的N型硅片上通过一次扩散-氧化-光刻-二次扩散，使之形成P-N-P-N四层结构，再在真空高温的条件下进行烧结键合，同时通过电子束高温将高纯铝气化在单晶硅片表面形成一层有效的保护膜，最后在烧结镀膜好的管芯表层分别进行镀镍和镀银处理，在管芯两端引出可焊接的阳极与阴极，从而可以在摒除传统搪铅工艺的同时，制备出可以适用既可焊接封装又可压接封装的完整的晶闸管管芯。
晶闸管管芯制造工艺