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[发明专利]基于混合溶剂的全无机钙钛矿Cs3-CN202110213111.0有效
发明人：徐闰;王文贞;徐珊瑚;孟华;洪子叶;戚焕震;李冬梅;赖建明;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于混合溶剂的全无机钙钛矿Cs3Sb2Cl9的单晶生长方法，利用多溶剂法制备全无机钙钛矿材料Cs3Sb2Cl9的前驱体溶液，有效提高了前驱体溶液的饱和浓度值。通过添加多种溶剂，及调节溶剂之间的不同配比，有效提高氯化铯和氯化锑混合物在溶剂中的溶解度。通过对前驱体溶液进行相应处理并改进晶体生长环境，同时合理调节不同生长阶段的降温速度，使用正温结晶法生长出大尺寸，高结晶质量的纯无机钙钛矿Cs3Sb2Cl9单晶，使用生长出的高质量单晶。本发明能得到对深紫外有一定响应性的大尺寸、高质量Cs3Sb2Cl9单晶。该制备方法步骤简单，成本低廉，过程可控，且制备的材料无毒无害对人体和环境友好，为制备绿色友好型半导体探测器提供可行性方案，具有显著推广价值。
基于混合溶剂无机钙钛矿 cs base sub

[发明专利]一种溶液法生长的卤化物钙钛矿单晶表面的处理方法-CN202210835318.6在审
发明人：孟华;蔡健聪;洪子叶;徐闰;王文贞 -专利权人：上海大学
申请日： 2022-07-16 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明提供一种溶液法生长的卤化物钙钛矿单晶表面的处理方法，包括以下步骤：使用溶液法生长得到钙钛矿单晶；向生长容器中注入第一清洗剂并去除生长溶液后，使钙钛矿单晶倒置并浸泡在第一清洗剂中，清洗生长溶液；清洗结束后，向生长容器中注入第二清洗剂并去除第一清洗剂，使钙钛矿单晶浸泡在第二清洗剂中，清洗第一清洗剂；清洗结束后，去除钙钛矿单晶表面的第二清洗剂，完成对钙钛矿单晶表面的处理。通过本发明提供的方法处理后的钙钛矿单晶表面平整、光滑、缺陷密度低，物理、电学、光学性能有全面的提高，可直接应用于器件材料、科研等领域，无需再次加工处理。
一种溶液生长卤化物钙钛矿单晶表面处理方法

[发明专利]一种钙钛矿单晶及其生长方法-CN202210130269.6在审
发明人：徐闰;仝向;洪子叶;孟华;林婧;王文贞;李冬梅 -专利权人：上海大学
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明提供一种钙钛矿单晶及其生长方法。本发明第一方面提供一种钙钛矿单晶的生长方法，包括以下步骤：将PbBr2和CsBr溶于有机溶剂中，过滤得到前驱体溶液，所述有机溶剂的pH7；将所述前驱体溶液置于生长装置中，进行单晶生长，得到钙钛矿单晶。本发明通过改变钙钛矿单晶生长所需的溶剂配方，使得溶液中胶体浓度降低，自由离子浓度升高，降低了CsPbBr3单晶的生长温度和速度，并制备出透过率高、结晶度好的高质量CsPbBr3单晶。
一种钙钛矿单晶及其生长方法