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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]形成平坦化结构的方法-CN02124695.5无效
发明人：黄瑞祯;洪圭钧 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-06-21 - 公布日： 2003-12-31 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种形成平坦化结构的方法，它包括：当以流体材料形成平坦化结构时，先形成较预定厚度厚的流体材料于底材上；然后一面绕底材的轴心自旋底材与流体材料，一面施加可移除流体材料的溶剂于流体材料上；而当待形成平坦化结构的材料为可移除材料时，先形成厚度较预定厚度厚的光阻材料在底材上，然后移除可移除材料的表层，即靠近底材的部份可移除材料未被移除。
形成平坦结构方法

[发明专利]一种深槽电容的制作方法-CN02118539.5有效
发明人：严永松;刘炳良;许书豪;洪圭钧 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-04-27 - 公布日： 2003-11-05 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：本发明先在一半导体衬底表面的深槽底部形成一埋入电极，接着在该衬底及该深槽表面形成一介电层并填满以一光致抗蚀剂层。随后进行一曝光暨显影工艺，以去除该深槽内一预定深度的该光致抗蚀剂层，并使残留于该深槽内的该光致抗蚀剂层的顶部略为切齐于该埋入电极顶部。最后去除未被该光致抗蚀剂层覆盖的该介电层，并依次进行一氧化工艺以及二多晶硅沉积－化学机械抛光－多晶硅凹入蚀刻工艺，以形成一储存电极。
一种电容制作方法

[发明专利]具有多次照射步骤的微影制程-CN02143322.4有效
发明人：严永松;黄义雄;黄俊仁;洪圭钧;张景旭 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-09-23 - 公布日： 2003-07-16 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种具有多次照射步骤的微影制程。一光罩是对齐地放置于具有一光阻形成于其上的一晶片上方的一预定位置上。多次照射步骤是经过此一光罩依次执行于此光阻上。每一照射步骤的个别照射条件是相应光罩上一占空率(dutyratio)为最佳化。藉此多次照射步骤，可获得从光罩转移至光阻的一最佳化全间隙(through－pitch)图案转移。最后，一显影步骤施予在此光阻上。
具有多次照射步骤微影制程

[发明专利]双重镶嵌结构的制造方法-CN01139647.4有效
发明人：黄义雄;黄俊仁;洪圭钧;张景旭 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2001-11-30 - 公布日： 2003-06-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种双重镶嵌结构的制造方法，此方法的步骤如下首先提供已形成导电层的基底，于此基底上依序形成第一介电层、第二介电层以及同时作为底层抗反射层的顶盖层。然后，定义顶盖层、第二介电层与第一介电层以形成暴露导电层的介层窗开口。接着，于顶盖层上形成一负光阻层，再图案化负光阻层以形成一开口。接着以负光阻层为罩幕，移除暴露的顶盖层与第二介电层以形成暴露第一介电层的沟渠，再移除负光阻层。然后，依序于沟渠与介层窗开口内形成共形的障碍层以及导体层，且导体层填满沟渠与介层窗开口。
双重镶嵌结构制造方法

[发明专利]双重镶嵌结构的制造方法-CN02140148.9有效
发明人：黄义雄;黄俊仁;洪圭钧;严永松 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-07-03 - 公布日： 2003-05-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种双重镶嵌结构的制造方法，此方法的步骤如下首先，在已形成导线的衬底上依序形成一第一介电层、一第二介电层与一底层防反射涂层与一旋涂式介电层。然后，定义旋涂式介电层、底层防反射涂层与第二介电层，以于第二介电层中形成一孔洞，于该旋涂式介电层与该底层防反射涂层中形成一第一沟槽。以旋涂式介电层与底层防反射涂层为掩膜，去除孔洞所暴露的第一介电层，以形成暴露衬底的一通孔开口，同时去除第一沟槽所暴露的第二介电层，以形成暴露第一介电层的一第二沟槽。之后，去除旋涂式介电层与该底层防反射涂层，以及依序于第二沟槽与通孔开口内形成一共形的阻挡层以及一导体层，且导体层填满第二沟槽与通孔开口。
双重镶嵌结构制造方法

[发明专利]掩膜图案的校正方法-CN02141166.2有效
发明人：谢昌志;黄俊仁;洪圭钧;王见明 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-07-08 - 公布日： 2003-03-26 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：一种掩膜图案的校正方法，首先提供具有一第一长条状图案与一第二长条状图案所组成的一第三图案，其中第一长条状图案连接于第二长条状图案的头尾两端之间。接着，在第一长条状图案的两侧加上一辅助图案以形成一第一修正图案。之后，缩小部分第一长条状图案，以形成一第二修正图案，其中部分第一长条状图案缩小后的尺寸为一主要图案的关键尺寸。然后，利用一光学邻近校正法，修正第二修正图案而形成一第三修正图案。
图案校正方法

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