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[发明专利]硅氮烷类化合物的纯化装置及纯化方法-CN202310748053.0在审
发明人：万烨;袁振军;常欣;赵雄;郭树虎;刘见华;赵宇;赵喜哲;李圆晓 -专利权人： 洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司;中国有色工程有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B01D3/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅氮烷类化合物的纯化装置及纯化方法。按照物料流动顺序，纯化装置包括顺次相连通的吸附单元及精馏单元；精馏单元包括依次串联设置的至少两个精馏塔。其中，吸附单元包括依次串联设置的第一吸附柱及第二吸附柱；且第一吸附柱填充有第一吸附填料，第一吸附填料选自活性炭、分子筛或沸石中的一种或多种；第二吸附柱填充有第二吸附填料，第二吸附填料选自亚氨基二乙酸聚苯乙烯树脂填料、氨基磷酸聚苯乙烯树脂填料或磺化的苯乙烯‑二乙烯基树脂填料中的一种或多种。基于此，本发明实现了连续化纯化硅氮烷类化合物的有益效果，且连续化纯化过程的稳定性较佳、目标纯化物的纯度也较高，适合大规模生产，工业化应用前景更优。
硅氮烷类化合物纯化装置方法

[发明专利]多晶硅还原炉的冷却系统和方法-CN201910669979.4有效
发明人：石何武;张升学;杨永亮;郑红梅;严大洲 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司;洛阳中硅高科技有限公司
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开了多晶硅还原炉的冷却系统和方法，该系统包括：还原炉，包括钟罩和底盘，所述钟罩具有冷却水第一入口和钟罩高温水出口，所述底盘具有冷却水第二入口和底盘高温水出口，所述底盘高温水出口与所述冷却水第一入口和/或所述冷却水第二入口相连；换热装置，具有钟罩高温水入口和换热后冷却水出口，所述钟罩高温水入口与所述钟罩高温水出口相连，所述换热后冷却水出口与所述冷却水第一入口和/或所述冷却水第二入口相连。采用该系统既显著简化了现有多晶硅还原炉冷却系统的管道，又实现了对钟罩高温水和底盘高温水热量的高效、分级回收利用，同时显著降低了多晶硅还原炉冷却水的远距离循环使用量并实现多晶硅还原炉的安全稳定运行。
多晶还原冷却系统方法

[发明专利]硅氧烷类化合物的纯化装置及纯化方法-CN202310748041.8在审
发明人：万烨;袁振军;常欣;赵雄;刘见华;郭树虎;赵宇;赵喜哲 -专利权人： 洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司;中国有色工程有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： B01D3/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅氧烷类化合物的纯化装置及纯化方法。纯化装置包括顺次相连通的汽化单元、气相吸附单元及精馏单元；其中，气相吸附单元包括串联连通的第一吸附柱及第二吸附柱；且第一吸附柱填充有第一吸附填料，第一吸附填料选自活性炭、分子筛或沸石中的一种或多种；第二吸附柱填充有第二吸附填料，第二吸附填料选自亚氨基二乙酸聚苯乙烯树脂填料、氨基磷酸聚苯乙烯树脂填料或苯乙烯‑二乙烯基树脂填料中的一种或多种。基于上述装置，硅氧烷类化合物纯化效率更高，其纯化效率体现在纯化时间更短、目标产品回收率及纯度均更高。
硅氧烷类化合物纯化装置方法

[发明专利]一种连续制备硅纳米纤维的气相纺丝方法及装置-CN201910266701.2有效
发明人：严大洲;杨涛;刘诚;司文学;孙强;万烨;张升学 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司;洛阳中硅高科技有限公司
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： D01F9/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种连续制备硅纳米纤维的气相纺丝方法，首先将硅基原料与有机金属催化剂配置成前躯体混合物，然后加入至含有氧化剂的氢气中，在其中气化并反应生成硅纳米纤维束，接着于酸性冷却液中洗去金属杂质，最后经过清洗、干燥后绕卷收集。本发明还提供了一种连续制备硅纳米纤维的气相纺丝装置。本发明提供的气相纺丝方法和装置工艺流程简单，生产效率高，环境友好，连续化程度高，并且可大幅度节约制造成本，因此，本发明的气相纺丝方法和装置具有非常广阔的应用前景。
一种连续制备纳米纤维纺丝方法装置

[发明专利]模拟变温变压吸附器的方法及系统-CN201910455355.2有效
发明人：司文学;章莉;陈贵娥;蒋国瑜;郑红梅 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司;洛阳中硅高科技有限公司
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供一种模拟变温变压吸附器的方法及系统，方法包括：输入虚拟的气体的边界条件；对变温变压吸附器和虚拟的气体进行初始化设置；根据当前模拟计算节点所处的过程进行模拟计算；在完成当前模拟计算节点的模拟计算后，根据目前所处的过程判断下一个模拟计算节点的位置，并向下一个模拟计算节点传递虚拟的气体的特征信息；进入下一个模拟计算节点并判断是否进入下一个过程，若是则将下一个过程作为当前模拟计算节点所处的过程并重新进入模拟计算步骤直至满足预定条件，否则直接重新进入模拟计算步骤直至满足预定条件；以及输出模拟计算结果。本发明解决了以往无法对变温变压吸附器进行精确模拟的问题，节省了设计时间和成本并提高了设计精度。
模拟变压吸附方法系统

[发明专利]用于高纯氯硅烷生产中去除含碳杂质的方法及装置-CN202010113277.0有效
发明人：杨典;万烨;赵雄;孙强;王芳;付强;裴蕾;张征 -专利权人： 洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2020-02-24 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于高纯氯硅烷生产中去除含碳杂质的方法及装置。其中，该方法包括以下步骤：S1，将三氯氢硅原料在精馏装置中脱去高沸点组分和低沸点组分，得到精馏三氯氢硅；S2，将精馏三氯氢硅送入吸附装置中去除甲基氯硅烷，得到高纯氯硅烷；其中，吸附装置中填充有富含氨基的树脂型吸附剂和铂系催化剂。应用本发明的技术方案是利用与甲基氯硅烷具备亲和力的富含氨基的树脂型吸附剂，在铂系催化剂作用下，将甲基氯硅烷杂质去通过吸附工艺去除掉，从而将多晶硅生产过程中精馏产品的总含甲基氯硅烷杂质含量降低到50ppb以下，生产出高纯度4N以上，含碳杂质＜50ppb的高纯氯硅烷。
用于高纯硅烷生产去除杂质方法装置

[实用新型]去除氯硅烷物料痕量金属杂质的石英亚沸蒸馏装置-CN202320524249.7有效
发明人：张燕南;郭树虎;万烨;赵雄;赵宇;王磊;常欣;董彬;赵旭;刘向阳;郭克涛;李云昊 -专利权人： 洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司;中国有色工程有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： B01D3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种去除氯硅烷物料痕量金属杂质的石英亚沸蒸馏装置。包括可移动框架、温度控制装置及石英材质的三口烧瓶、升气管、冷凝器和收集瓶；温度控制装置包括温控仪和与其相连的红外辐射加热设备和至少三个温度传感器；红外辐射加热设备置于底板上，三口烧瓶嵌入其内，第一瓶口连第一温度传感器，第二瓶口连升气管，第三瓶口为氯硅烷物料加入口；升气管连冷凝器蒸汽入口且密封安有第二温度传感器，冷凝器水平布置且出液口具有连收集瓶的下液管，其一侧具有第二管口且密封有第三温度传感器；收集瓶固定在可移动框架上且设有接液阀。本实用新型结构简单、可移动、安装维护便捷，减少了杂质引入，温控更精准，自动化程度高。
去除硅烷物料痕量金属杂质石英蒸馏装置

[发明专利]胺基硅烷副产物的回收装置及回收方法-CN202310412116.5在审
发明人：万烨;李圆晓;常欣;赵喜哲;刘见华;张杰;周志朋;袁振军 -专利权人： 洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司;中国有色工程有限公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B01J19/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种胺基硅烷副产物的回收装置及回收方法。该回收装置包括液氨反应器、闪蒸罐以及过滤器，液氨反应器具有进口与出口，其进口分别与液氨源与胺基盐酸盐源相连，液氨反应器用于将包括液氨与胺基盐酸盐的原料进行中和反应，得到产物体系；闪蒸罐具有进口、闪蒸氨气出口及闪蒸液出口，其进口与液氨反应器的出口相连，所述闪蒸罐用于对所述产物体系进行闪蒸处理，得到闪蒸氨气和闪蒸液；以及过滤器具有进口与出口，其进口与所述闪蒸液出口相连，所述过滤器用于对所述闪蒸液进行固液分离，得到氯化铵固体滤饼和胺产物。与现有技术相比，本申请的技术方案从源头上减少了环境的污染，简化了设备，降低了设备投资和能耗，适合大规模生产。
胺基硅烷副产物回收装置方法

[发明专利]硅基体消解液、有机硅烷痕量金属杂质的检测方法以及试剂盒-CN202310338786.7在审
发明人：唐克亚;姜士兵;刘见华;郝随谦;徐家扬;饶学勤;曹俊英;郑璐;崔党军;王林林 -专利权人： 洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司;中国有色工程有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G01N1/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基体消解液、有机硅烷痕量金属杂质的检测方法以及试剂盒。按质量份数计，该硅基体消解液包括氢氟酸1‑10份、双氧水1‑3份、水1‑5份。本发明提供的硅基体消解液通过特定质量配比的氢氟酸、双氧水和水相互配合，能够完全消解有机硅烷得到试样溶液，并使得试样溶液在进行痕量金属杂质的检测时，既不会堵塞雾化器喷嘴，污染雾化室，有利于保持检测设备的精度和寿命，又不易受到操作环境的影响而引入杂质，更有利于提高痕量金属杂质的检测精度。
基体消解有机硅烷痕量金属杂质检测方法以及试剂盒

[发明专利]四氯化硅的纯化系统和方法-CN202310208103.6在审
发明人：万烨;刘见华;常欣;赵雄;严大洲 -专利权人： 洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司;中国有色工程有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明提供了一种四氯化硅的纯化系统和方法。本申请提供的四氯化硅的纯化系统包括催化反应单元和精馏纯化单元，催化反应单元包括气相反应器，用于将气相的待纯化四氯化硅与氯化氢在催化剂的作用下反应，得到纯化四氯化硅和低沸物的混合物，将纯化四氯化硅和低沸物的混合物进行精馏分离，得到纯化四氯化硅。本申请提供的四氯化硅的纯化系统催化反应单元将待纯化四氯化硅中的甲基氯硅烷催化转化为四氯化硅和低沸物，再通过精馏纯化单元将四氯化硅与低沸物精馏分离，得到纯化四氯化硅和低沸物，系统简单，工艺流程短，能够适用于工业化生产，同时还避免剧毒物氯气的使用，更安全环保。
氯化纯化系统方法

[发明专利]氯硅烷残液的预处理系统和方法-CN202010060402.6有效
发明人：曾晓国;万烨;张伟;张晓伟;孙强;周志强;鲁永洁 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司;洛阳中硅高科技有限公司
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种氯硅烷残液的预处理系统和方法，其中，所述系统包括：氯硅烷残液设备、氮气储罐和液氨供给单元，所述氯硅烷残液设备内自上而下形成排气区、反应区和进料区，并且所述进料区和所述反应区之间设有滤网，所述排气区设有氮气入口和尾气出口，所述进料区设有液态料出口；所述氮气储罐通过第一输气管道与所述氮气入口相连，并且所述第一输气管道上设有第一阀门；所述液氨供给单元包括依次相连的液氨储罐、气化器和减压阀，所述减压阀通过第二输气管道与所述进料区相连，并且所述第二输气管道上设有第二阀门。采用该系统可以解决现有氯硅烷残液设备在检修时氯硅烷残液氮气置换时间长、检修作业烟雾大和残渣处理烟雾大的问题。
硅烷预处理系统方法

[发明专利]高纯三氯氢硅的制备方法及装置-CN202211207232.5在审
发明人：张燕南;郭树虎;万烨;赵雄;赵宇;王磊;常欣;袁振军;王国元;张兴毅;郭克涛;郭武辉 -专利权人： 洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司;中国有色工程有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明提供一种高纯三氯氢硅的制备方法及装置，通过两级减压精馏即可获得电子级三氯氢硅。与现有技术提纯三氯氢硅相比，本发明通过仅需两级减压蒸馏即可达到常压三至五级精馏效果，获得电子级三氯氢硅的同时大大降低了能耗以及生产成本；通过两级减压精馏，明显提升了三氯氢硅产品的组分纯度，大幅度降低了B、P、Cu等金属痕量杂质的含量，获得适用于12寸硅片外延场景的三氯氢硅。
高纯三氯氢硅制备方法装置

[发明专利]制备三甲硅烷基胺的系统及方法-CN202211272173.X在审
发明人：万烨;刘见华;常欣;毛西辰;袁振军;樊慧峰 -专利权人： 洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司;中国有色工程有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C01B21/087 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备三甲硅烷基胺的系统及方法。所述方法是以一氯硅烷和液氨为原料，采用溶剂和液氨在反应器中形成一接触界面，使溶解在溶剂中的一氯硅烷与液氨在所述接触界面处发生反应，生成三甲硅烷基胺。本发明设计两相反应体系，提供物质的反应界面，控制物质在界面处参与反应，可避免局部热效应，可有效地进行反应过程控制，同时可实现副产物氯化铵与三甲硅烷基胺的物理隔离，副反应少，可避免副产物氯化铵将催化三甲硅烷基胺的分解而导致产品收率降低。
制备硅烷系统方法

[发明专利]液相法生产氮化硅粉体的装置及方法-CN202211466470.8在审
发明人：曾晓国;万烨;严大洲;刘见华 -专利权人： 洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C01B21/068 文献下载
摘要：本发明提供了一种液相法生产氮化硅粉体的装置及方法。该装置包括第一原料供应单元、第二原料供应单元、管式反应器、陈化反应釜、固液分离单元、动态热解单元、煅烧单元、含氮惰性气体供应单元及含氮还原性气体供应单元。利用本发明提供的装置，能够以液相法生产氮化硅粉体，生产过程易控制，能够得到高纯度、高α相占比、粒径小且均匀的氮化硅粉体。
液相法生产氮化硅粉体装置方法

[发明专利]一种金属氧化物/碳纤维复合膜材料及其制备方法和应用-CN202110614765.4有效
发明人：严大洲;王宇;万烨;梁君;曾晓国;杨涛 -专利权人： 洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01M4/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属氧化物/碳纤维复合膜材料及其制备方法和应用。该金属氧化物/碳纤维复合膜材料包括铜箔基体和负载在铜箔基体表面上的静电纺丝纤维膜，静电纺丝纤维膜直接附着在铜箔基体上，该静电纺丝纤维膜包括碳纤维和金属氧化物，金属氧化物负载在碳纤维中。通过静电纺丝技术得到初纺纤维后，不需将初纺纤维从铜箔接收基体上剥离，直接在管式炉中采用一步热处理法，即可得到紧密附着于铜箔基体上的金属氧化物/碳纤维复合膜。直接裁剪后作为锂离子电池负极使用，无需额外添加粘结剂，也不需再与铜箔集流体进行复合，简化了电极的制备过程。此外，纤维膜与铜箔之间牢固的结合可有效减少在充放电过程中的活性物质脱落，提高材料循环寿命。
一种金属氧化物碳纤维复合材料及其制备方法应用

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