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[发明专利]化合物及有机膜形成用组合物-CN201910539258.1有效
发明人：橘诚一郎;渡边武;新井田惠介;长井洋子;泽村昂志;荻原勤;亚历山大·爱德华·赫斯;格雷戈里·布雷塔;丹尼尔·保罗·桑德斯;鲁迪·J·沃伊泰茨基 -专利权人：信越化学工业株式会社;国际商业机器公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C07C43/21 文献下载
摘要：本发明提供一种化合物，其能够形成不仅在空气中、而且在惰性气体中的成膜条件下也固化而不产生副产物，耐热性及形成在基板上的图案的嵌入或平坦化特性优异，且基板加工时的干法蚀刻耐性也良好的有机下层膜。该化合物为下述通式(1‑1)所示的化合物。[化学式1]式中，AR1、AR2表示芳香环或含有氮原子、硫原子中的1个以上的芳香环，2个AR1、AR1与AR2、2个AR2可连接；AR3为苯环、萘环、噻吩环、吡啶环或二嗪环；A为有机基团，B为阴离子性离去基团，Y为2价有机基团，p为1或2，q为1或2，r为0或1，s为2～4；s＝2时，Z为单键、2价原子或2价有机基团，s＝3或4时，Z为3价或4价的原子或有机基团。
化合物有机形成组合

[发明专利]对于碱性过氧化氢水的保护膜形成组成物、半导体装置制造用基板、保护膜的形成方法-CN202310058295.7在审
发明人：新井田惠介;泽村昂志;郡大佑;橘诚一郎 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C09D179/08 文献下载
摘要：本发明涉及对于碱性过氧化氢水的保护膜形成组成物、半导体装置制造用基板、保护膜的形成方法。本发明的课题为提供一种使用了含有酰亚胺基的聚合物的保护膜形成组成物，其能形成不只是耐热性、基板上形成的图案的填埋、平坦化特性优异，对于基板的密合性亦为良好的保护膜，且能形成具备优良的碱性过氧化氢水耐性的保护膜。一种对于碱性过氧化氢水的保护膜形成组成物，含有(A)，是具有下列通式(1A)表示的含有至少1个以上的氟原子及羟基的重复单元且末端基团为下列通式(1B)及(1C)中的任一者表示的基团的聚合物；及(B)有机溶剂。式中，R1为下式(1D)表示的基团中的任一者，亦可将2种以上的R1组合使用。
对于碱性过氧化氢保护膜形成组成半导体装置制造用基板方法

[发明专利]有机膜形成用材料、基板、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及有机膜形成用化合物-CN202010295641.X有效
发明人：郡大佑;新井田惠介;泽村昂志;橘诚一郎;渡边武;荻原勤 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C07C39/17 文献下载
摘要：本发明涉及有机膜形成用材料、基板、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及有机膜形成用化合物。本发明课题的目的为提供一种含有酰亚胺基的化合物，其不仅在空气中，在惰性气体中的成膜条件亦会硬化，能形成耐热性、形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优良且对基板的密接性良好的有机下层膜，并提供含有该化合物的有机膜形成用材料。该课题的解决方法为一种有机膜形成用材料，其特征为含有：(A)下述通式(1A)表示的有机膜形成用化合物、及(B)有机溶剂。[化1][化2][化3][化4]但，上述通式(1B)中，W1为[化5]时，R1不为[化6]中的任一者。
有机形成用材基板方法图案以及化合物

[发明专利]有机膜形成用材料、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、以及图案形成方法-CN202010451030.X有效
发明人：郡大佑;泽村昂志;新井田惠介;橘诚一郎;渡边武;荻原勤 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C08G73/12 文献下载
摘要：本发明涉及有机膜形成用材料、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、以及图案形成方法。课题为提供不仅在空气中，在钝性气体中的成膜条件亦会硬化，不产生副产物，耐热性、形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优良，而且可形成对基板的密接性良好的有机下层膜的使用有含酰亚胺基团的聚合物的有机膜形成用组成物、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法及图案形成方法。解决方法为有机膜形成用材料，其含有(A)聚合物，具有式(1A)表示的重复单元且末端基团为式(1B)及(1C)中任一者表示的基团、及(B)有机溶剂。W1为4价有机基团，W2为2价有机基团。R1为式(1D)表示的基团中的任一者，也可组合使用2种以上的R1。
有机形成用材半导体装置制造用基板方法以及图案

[发明专利]有机膜形成用材料、基板、有机膜的形成方法、图案形成方法、及有机膜形成用化合物-CN202210135076.X在审
发明人：郡大佑;泽村昂志 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及有机膜形成用材料、基板、有机膜的形成方法、图案形成方法、及有机膜形成用化合物。本发明的课题，目的是提供一种化合物，具有二氧芑(dioxin)结构，即使在钝性气体中的成膜条件中也能硬化，能形成耐热性、形成于基板上的图案的填埋或平坦化特性优良，且对于基板的成膜性、密接性良好的有机下层膜、及含有该化合物的有机膜形成用材料。本发明的解决手段，是一种有机膜形成用材料，其特征在于含有：(A)下述通式(1A)表示的有机膜形成用化合物、及(B)有机溶剂。[化1]式中，W1是4或6价的有机基团，n1表示1或2的整数，n2表示2或3，R1是各自独立地表示下式(1B)的任一者；此外，式中的苯环的氢原子也可被氟原子取代。[化2]
有机形成用材基板方法图案化合物

[发明专利]化合物、有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法及图案形成方法-CN201910242725.4有效
发明人：橘诚一郎;渡边武;新井田惠介;长井洋子;泽村昂志;荻原勤 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C07C35/38 文献下载
摘要：本发明提供一种能够形成有机下层膜的化合物，该有机下层膜在空气中或非活性气体中的成膜条件下进行固化而不产生副产物，不仅形成于基板的图案的嵌入和平坦化特性优异，而且基板加工时的干法蚀刻耐性也良好。所述化合物在分子内具有2个以上下述通式(1‑1)所示的部分结构。[化学式1]式中，Ar各自独立地表示可具有取代基的芳香环或可具有取代基的含有1个以上氮原子的芳香环，2个Ar可彼此连接而形成环结构；虚线表示与有机基团的结合键；B为阴离子性离去基团，其可通过热、酸中的任意一种或两种的作用生成反应性阳离子。
化合物有机形成组合半导体装置制造用基板方法图案

[发明专利]化合物、化合物的制备方法及有机膜形成用组合物-CN201910539260.9有效
发明人：橘诚一郎;渡边武;新井田惠介;长井洋子;泽村昂志;荻原勤;亚历山大·爱德华·赫斯;格雷戈里·布雷塔;丹尼尔·保罗·桑德斯;鲁迪·J·沃伊泰茨基 -专利权人：信越化学工业株式会社;国际商业机器公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C07C1/26 文献下载
摘要：本发明提供化合物、该化合物的制备方法及使用了该化合物的有机膜形成用组合物，该化合物能够形成不仅在空气中、而且在惰性气体中的成膜条件下也固化而不产生副产物，耐热性及形成于基板的图案的嵌入或平坦化特性优异，且基板加工时的干法蚀刻耐性也良好的有机下层膜。该化合物在分子内具有2个以上下述通式(1‑1)所示的结构。式中，Ar表示可具有取代基的芳香环或含有氮原子及硫原子中的1个以上的芳香环，2个Ar可彼此连接而形成环结构；虚线为与Y的结合键，Y为具备可具有取代基的芳香环或杂芳香环、且结合键位于芳香环结构或杂芳香环结构的碳原子数为6～30个的2价或3价有机基团；R为氢原子或碳原子数为1～68的1价基团。
化合物制备方法有机形成组合

[发明专利]有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、图案形成方法及聚合物-CN201810985309.9有效
发明人：郡大佑;荻原勤;渡边武;新井田惠介;泽村昂志 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明提供一种有机膜形成用组合物，其即使在用于防止基板腐蚀的不活性气体中的成膜条件下也不产生副产物，不仅形成于基板上的图案的嵌入和平坦化特性优异，而且能够形成基板加工时的干法蚀刻耐性也良好的有机膜，进一步，即使在该有机膜上形成CVD硬掩模时，该膜的膜厚也不因热分解而变动。本发明为一种有机膜形成用组合物，其特征在于，含有(A)具有下述通式(1)所示的重复单元的聚合物及(B)有机溶剂。[化学式1]
有机形成组合半导体装置制造用基板方法图案聚合物

[发明专利]有机膜形成用材料、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及有机膜形成用化合物-CN202111162164.0在审
发明人：郡大佑;泽村昂志;佐藤裕典 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： C07D519/00 文献下载
摘要：本发明涉及有机膜形成用材料、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及有机膜形成用化合物。本发明的课题提供不仅在空气中会硬化，在钝性气体中的成膜条件下也会硬化，可形成耐热性、于基板所形成的图案的填埋、平坦化特性优异，而且对于基板的成膜性、密接性良好的有机下层膜的酰亚胺化合物、及含有该化合物的有机膜形成用材料。一种有机膜形成用材料，含有：(A)下列通式(1A)表示的有机膜形成用化合物；及(B)有机溶剂。[化1]式中，W1为4价有机基团，n1表示0或1的整数，n2表示1至3的整数，R1表示下列通式(1B)中的任1者以上。[化2]
有机形成用材方法图案以及化合物

[发明专利]有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、图案形成方法及聚合物-CN201810985279.1有效
发明人：郡大佑;荻原勤;渡边武;新井田惠介;泽村昂志 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明提供一种有机膜形成用组合物，其即使在用于防止基板腐蚀的不活性气体中的成膜条件下也不产生副产物，不仅形成于基板上的图案的嵌入和平坦化特性优异，而且能够形成基板加工时的干法蚀刻耐性也良好的有机膜，进一步，即使在该有机膜上形成CVD硬掩模时，该膜的膜厚也不因热分解而变动。本发明为一种有机膜形成用组合物，其特征在于，含有(A)具有下述通式(1)所示的重复单元的聚合物及(B)有机溶剂。[化学式1]
有机形成组合半导体装置制造用基板方法图案聚合物

[发明专利]有机膜形成用材料、基板、有机膜形成方法、图案形成方法及有机膜形成用化合物-CN202110308097.2在审
发明人：郡大佑;泽村昂志;新井田惠介;橘诚一郎 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及有机膜形成用材料、基板、有机膜形成方法、图案形成方法及有机膜形成用化合物。本发明的课题为提供不仅在空气中的成膜条件下会硬化而且即便在钝性气体中的成膜条件下也会硬化，并可形成不仅耐热性、形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优异而且对于基板的密接性良好的有机膜的有机膜形成用化合物、及含有该化合物的有机膜形成用材料，提供使用了该材料的基板、有机膜形成方法及图案形成方法。解决该课题的手段为一种有机膜形成用材料，其含有(A)式(1A)表示的有机膜形成用化合物、及(B)有机溶剂。式中，W1为4价有机基团，n1表示0或1的整数，n2表示1至3的整数，R1表示碳数2～10的炔基。
有机形成用材基板方法图案化合物

[发明专利]有机膜形成用材料、图案形成方法、以及聚合物-CN202110190159.4在审
发明人：郡大佑;泽村昂志;新井田惠介;橘诚一郎 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2021-02-18 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及有机膜形成用材料、图案形成方法、以及聚合物。本发明的课题是提供可形成溶剂耐性、耐热性、填埋特性、平坦化特性及图案形成能力优异的有机膜的有机膜形成用材料。一种有机膜形成用材料，含有以下列通式(1A)表示的结构作为部分结构的聚合物及有机溶剂。上述通式(1A)中，W1表示4价有机基团，W2表示单键或下式(1B)表示的连接基团，R1表示氢原子或碳数1～10的1价有机基团，n1表示0或1的整数，n2及n3满足0≤n2≤6及0≤n3≤6且1≤n2+n3≤6的关系。R2及R3各自独立地为氢、碳数为1～30个的有机基团，有机基团R2与有机基团R3亦可通过在分子内键结而形成环状有机基团。
有机形成用材图案方法以及聚合物

[发明专利]有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜形成方法、图案形成方法、及聚合物-CN202010637312.9在审
发明人：郡大佑;泽村昂志;新井田惠介;橘诚一郎;渡边武;荻原勤 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明涉及有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜形成方法、图案形成方法、及聚合物。本发明的课题为提供可形成不仅在钝性气体中的成膜条件仍会固化，耐热性、形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优良，而且升华物少且对基板的成膜性良好的有机膜的聚合物、以及含有该聚合物的有机膜形成用组合物。该课题的解决方法为一种有机膜形成用组合物，含有：具有下述通式(1)表示的部分结构作为重复单元的聚合物及有机溶剂。[化1]该通式(1)中，AR1、AR2为也可具有取代基的苯环或萘环，W1为具有三键的特定部分结构，且也可组合使用2种以上的W1，W2为至少具有1个以上的芳香环的碳数6～80的2价有机基团。
有机形成组合半导体装置制造用基板方法图案聚合物

[发明专利]有机膜形成用组成物、图案形成方法、以及聚合物-CN202010490327.7在审
发明人：郡大佑;泽村昂志;石绵健汰;中原贵佳 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及有机膜形成用组成物、图案形成方法、以及聚合物。本发明提供一种有机膜形成用组成物，其无损于树脂原本的碳含量而可展现高蚀刻耐性、优良的扭曲耐性且成膜性优良，成为散逸气体的升华物成分少，并提供使用此组成物的图案形成方法及适合如此的组成物的聚合物。此组成物含有含式(1A)表示的重复单元作为部分结构的聚合物及有机溶剂。该通式(1A)中，AR1、AR2为也可以有取代基的苯环或萘环，W1为下列通式(1B)中的任意者，也可组合使用2种以上的W1；W2为碳数1～80的2价有机基团；该通式(1B)中的R1为碳数1～10的带有不饱和键的1价有机基团，R2为有1个以上的芳香环的碳数6～20的1价有机基团。
有机形成组成图案方法以及聚合物

[发明专利]有机膜形成用组成物、图案形成方法、以及聚合物-CN202010413700.9在审
发明人：郡大佑;中原贵佳;泽村昂志;佐藤裕典;山本靖之 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及有机膜形成用组成物、图案形成方法、以及聚合物。本发明提供一种有机膜形成用组成物，其含有碳含量高而有热硬化性的聚合物，会展现高蚀刻耐性、优良的扭曲耐性，并提供使用其的图案形成方法及适合其的聚合物。有机膜形成用组成物包含具下列通式(1A)或(1B)表示的部分结构的聚合物及有机溶剂。上述通式(1A)中，Ar1、Ar2表示也可以有取代基的苯环或萘环，X为单键或亚甲基，L为下列中的任一者；上式中的破折线代表价键，R为氢原子或碳数1～20的1价有机基团。上述通式(1B)中，W1为羟基、碳数1～10的烷氧基或也可以有取代基的具至少1个以上的芳香环的有机基团，Ar1、Ar2、X、L同前所述。
有机形成组成图案方法以及聚合物

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