“河野俊介”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果13个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]电力约定系统以及电力约定方法-CN202080100056.8在审
发明人：奥村悠太;河野俊介 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G06Q50/06 文献下载
摘要：本公开的目的在于抑制约定结果与实际流经系统的电力的偏离所引起的系统设备的故障。电力约定系统(201)具备：约定结果计算部(109)，计算包括各需要者的买卖电力量和电力单价的约定结果；潮流实绩计算部(106)，针对每个系统设备，计算与系统设备连接的需要者的剩余电力量的实绩值的合计作为潮流实绩；潮流计划计算部(107)，针对每个系统设备，计算与系统设备连接的需要者的约定结果中的买卖电力量的合计值作为潮流计划；风险计算部(108)，针对每个系统设备，根据过去的潮流实绩相对于潮流计划的变动量，计算将来设想的潮流实绩相对于潮流计划的变动量作为风险；以及系统制约评价部(110)，针对每个系统设备，评价对潮流计划加上风险而得到的风险考虑潮流计划是否满足对系统设备决定的系统制约。
电力约定系统以及方法

[发明专利]用于烧结体的硬质颗粒粉末-CN201910112970.3有效
发明人：长濑石根;山本知己;远藤隆久;河野俊介;服部广基 -专利权人：大同特殊钢株式会社
申请日： 2019-02-13 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于烧结体的硬质颗粒粉末，其由下列物质构成：0.01质量％≤C≤3.5质量％，0.5质量％≤Si≤4.0质量％，0.1质量％≤Mn≤10.0质量％，0.1质量％≤Ni≤35.0质量％，0.1质量％≤Cr≤40.0质量％，5.0质量％≤Mo≤50.0质量％，0.1质量％≤Fe≤30.0质量％和0.01质量％≤REM≤0.5质量％，余量为Co和不可避免的杂质。还提供了一种包含硬质颗粒粉末、纯铁粉末和石墨粉末的烧结体。
用于烧结硬质颗粒粉末

[发明专利]半导体激光设备组件-CN201510072811.7有效
发明人： 河野俊介;仓本大;宫岛孝夫;幸田伦太郎;渡边秀辉 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-02-11 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01S5/06 文献下载
摘要：公开了一种半导体激光设备组件，包括：半导体激光设备；以及色散补偿光学系统，在此入射和出射从半导体激光设备出射的激光，以控制从半导体激光设备出射的激光的每个波长的群速度色散值。
半导体激光设备组件

[发明专利]半导体激光设备组件-CN201410183449.6有效
发明人： 河野俊介;仓本大;幸田伦太郎 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本发明公开了半导体激光设备组件。该半导体激光设备组件包括：锁模半导体激光元件组件，包括锁模半导体激光元件和色散补偿光学系统，从该锁模半导体激光元件发射的激光入射到该色散补偿光学系统上并且从该色散补偿光学系统发射该激光；以及半导体光学放大器，具有包括III‑V族氮化物基半导体层的分层结构体，该半导体光学放大器被配置为放大从该锁模半导体激光元件组件发射的该激光。
半导体激光设备组件

[发明专利]光半导体元件和激光装置组件-CN201580056071.6在审
发明人：幸田伦太郎;仓本大;河野俊介;渡边秀辉;吉田浩 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-08-20 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H01S5/50 文献下载
摘要：一种光半导体元件，包括由第一化合物半导体层21、第三化合物半导体层(有源层)23和第二化合物半导体层22构成的层叠结构体20。依次布置波导宽度为W1的基模波导区域40、宽度大于W1的自由传播区域50以及光射出区域60，所述光射出区域60具有朝着光射出端面25的方向而宽度增大的锥形(喇叭形)形状。
半导体元件激光装置组件

[发明专利]具有色散补偿外腔的锁模半导体激光二极管-CN201280054166.0在审
发明人： 河野俊介;仓本大;宫岛孝夫;幸田伦太郎;渡边秀辉 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-11-09 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：提供了一种半导体激光设备。该半导体激光设备包括锁模半导体激光装置和外部谐振器，该外部谐振器包括色散补偿系统，其中，该半导体激光设备被配置为生成自调制，将负群速度色散引入外部谐振器中，并用于在外部谐振器之后提供光谱过滤。
具有色散补偿半导体激光二极管

[发明专利]色散补偿光学设备以及半导体激光设备组件-CN201310244679.4无效
发明人： 河野俊介;仓本大;齐藤公博;小林诚司 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-06-19 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01S5/06 文献下载
摘要：本发明公开了色散补偿光学设备以及半导体激光设备组件。该色散补偿光学设备包括：第一透射型体积全息图衍射光栅以及第二透射型体积全息图衍射光栅。所述第一和第二透射型体积全息图衍射光栅彼此相对设置。在每个第一和第二透射型体积全息图衍射光栅内，激光的入射角和一级衍射光的出射角的和为90°。
色散补偿光学设备以及半导体激光设备组件

[发明专利]发光器件-CN201210353540.9无效
发明人：幸田伦太郎;渡边秀辉;仓本大;河野俊介;宫嶋孝夫 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-09-20 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：提供了一种发光器件，其包括：（a）通过在底部衬底上顺序地生长第一导电类型的第一化合物半导体层、由化合物半导体形成的活性层、以及第二导电类型的第二化合物半导体层来获得的层结构；（b）形成于第二化合物半导体层上的第二电极；以及（c）电连接于第一化合物半导体层的第一电极。该层结构由第二化合物半导体层的在第二化合物半导体层的厚度方向上的至少一部分形成。第一化合物半导体层具有大于0.6μm的厚度。第一化合物半导体层中形成有高折射率层，该高折射率层由具有比第一化合物半导体层的化合物半导体材料的折射率高的折射率的化合物半导体材料形成。
发光器件

[发明专利]激光二极管组件和半导体光学放大器组件-CN201110319081.8有效
发明人：横山弘之;河野俊介;仓本大 -专利权人：索尼公司;国立大学法人东北大学
申请日： 2011-10-19 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本发明公开了激光二极管组件和半导体光学放大器组件。该激光二极管组件包括：锁模激光二极管器件，其中光输出谱通过自相位调制示出长波位移，外部谐振器和波长选择元件。由该波长选择元件提取从该锁模激光二极管器件穿过该外部谐振器发射的脉冲激光束的长波分量，并输出至外部。
激光二极管组件半导体光学放大器

[发明专利]驱动激光二极管的方法-CN201110358564.9无效
发明人：横山弘之;河野俊介;大木智之;池田昌夫;宫嶋孝夫;渡边秀辉 -专利权人：索尼株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2009-07-29 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01S5/062 文献下载
摘要：本发明提供一种具有简单结构和配置的超短脉冲/超高功率激光二极管的驱动方法。在驱动该激光二极管的方法中，通过比阈值电流值高10倍以上的脉冲电流驱动该激光二极管。该脉冲电流的宽度优选地为10纳秒以下，并且该脉冲电流的值具体地为0.4安以上。
驱动激光二极管方法

[发明专利]激光二极管-CN201110369269.3无效
发明人：横山弘之;河野俊介;大木智之;池田昌夫;宫嶋孝夫;渡边秀辉 -专利权人：索尼株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2009-07-29 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01S5/062 文献下载
摘要：本发明提供一种具有简单结构和配置的超短脉冲/超高功率激光二极管。在驱动该激光二极管的方法中，通过比阈值电流值高10倍以上的脉冲电流驱动该激光二极管。该脉冲电流的宽度优选地为10纳秒以下，并且该脉冲电流的值具体地为0.4安以上。
激光二极管

[发明专利]驱动激光二极管器件的方法和激光二极管设备-CN201010196194.9无效
发明人：横山弘之;河野俊介;大木智之;池田昌夫 -专利权人：索尼公司;国立大学法人东北大学
申请日： 2010-02-23 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：提供一种具有简单组成和简单结构的、驱动超短脉冲和超高功率激光二极管器件的方法。在驱动激光二极管器件的方法中，光从光注入部件注入通过脉冲电流驱动的激光二极管器件，该脉冲电流具有如阈值电流值的10倍或更多倍大的值。
驱动激光二极管器件方法设备

[发明专利]驱动激光二极管的方法-CN200910160685.5无效
发明人：横山弘之;河野俊介;大木智之;池田昌夫;宫孝夫;渡边秀辉 -专利权人：索尼株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2009-07-29 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明提供一种具有简单结构和配置的超短脉冲/超高功率激光二极管的驱动方法。在驱动该激光二极管的方法中，通过比阈值电流值高10倍以上的脉冲电流驱动该激光二极管。该脉冲电流的宽度优选地为10纳秒以下，并且该脉冲电流的值具体地为0.4安以上。
驱动激光二极管方法

1
共 13 条