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[发明专利]固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备-CN201410443553.4有效
发明人： 河村隆宏 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种固态成像装置包括像素，该像素包括光电转换元件、第一转移栅极和第二转移栅极，观点转换元件响应于入射光而产生电荷，第一转移栅极将来自光电转换元件的电荷转移至电荷保持部，第二转移栅极将来自电荷保持部的电荷转移至浮置扩散部。第一转移栅极包括沟槽栅极结构，其具有至少两个埋设在半导体衬底的深度方向上的沟槽栅极部，并且电荷保持部包括位于相邻的沟槽栅极部之间的半导体区域。
固态成像装置制造方法电子设备

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、显示装置和电子设备-CN201380027886.2有效
发明人：菅野道博;河村隆宏 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-08-02 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有简单结构而在栅极负偏压时可以减小漏电流的薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法以及显示装置和电子设备。所述薄膜晶体管包括：栅极；包括对向所述栅极的通道区域的半导体膜；和绝缘膜，所述绝缘膜至少设置在接近所述半导体膜的侧壁的栅极侧上的端部的位置。
薄膜晶体管及其制造方法显示装置电子设备

[发明专利]半导体器件、显示器及制造半导体器件的方法-CN201380019375.6有效
发明人：菅野道博;河村隆宏;稻村宏 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-04-15 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种半导体器件，其包括：栅电极层；栅极绝缘膜，其设置在所述栅电极层上；半导体层，其设置在所述栅极绝缘膜上并与所述栅电极层相对；及源漏电极层，其设置在所述半导体层上和所述栅极绝缘膜上。所述半导体层的与所述栅极绝缘膜相对的表面位于所述源漏电极层的位于所述栅极绝缘膜上的部分的表面上方。
半导体器件显示器制造方法

[发明专利]固体摄像装置、固体摄像装置的制造方法及电子装置-CN201110077612.7有效
发明人：大池祐辅;河村隆宏;山川真弥;山村育弘;町田贵志;十河康则;坂直树 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-03-28 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及固体摄像装置、该固体摄像装置的制造方法和使用该固体摄像装置的电子装置。该固体摄像装置包括：光电转换元件，其能够根据入射光的光量产生电荷并在内部累积所述电荷；电荷保持区域，通过由光电转换元件进行的光电转换产生的电荷在被读出之前保持在电荷保持区域中；及传输栅，其具有完全传输通道和中间传输通道，在光电转换元件中累积的电荷通过完全传输通道完全传输到电荷保持区域中，由光电转换元件在曝光时段期间产生并超过预定电荷量的电荷通过中间传输通道传输到电荷保持区域，其中，所述完全传输通道和所述中间传输通道形成在不同的区域中。根据本发明的固体摄像装置能够获得高质量图像。
固体摄像装置制造方法电子

[发明专利]固体摄像装置、制造固体摄像装置的方法和电子设备-CN201110075913.6有效
发明人：大理洋征龙;町田贵志;河村隆宏;十河康则 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-03-24 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种固体摄像装置、其制造方法和电子设备。该固体摄像装置包括：形成于半导体基板的表面侧上的第二导电型的半导体区；具有第一导电型的杂质区并且用于根据入射光量产生电荷并在其内部累积电荷的光电转换元件；具有第一导电型的杂质区的电荷保持区，由光电转换元件通过光电转换产生的电荷保持在电荷保持区中直至被读出为止；中间传输路径；和杂质层，其具有布置在光电转换元件和电荷保持区之间并在中间传输路径下面的区域中的第二导电型的杂质区，并且杂质层的杂质浓度比第二导电型的半导体区高。本发明可得到高图像质量的图像，并且可制造能够产生具有高质量图像的固体摄像装置。
固体摄像装置制造方法电子设备

[发明专利]薄膜晶体管和制造薄膜晶体管的方法-CN201010275594.9有效
发明人：菅野道博;河村隆宏 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-09-08 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜晶体管。该薄膜晶体管包括：绝缘膜；在绝缘膜中的栅极电极，该栅极电极在平面图时具有周缘；在绝缘膜上的半导体薄膜；在半导体薄膜上的沟道保护层，沟道保护层在平面图中具有带有两个相对边缘的周缘；在半导体薄膜上的第1电极，其具有与沟道保护层的一个边缘重叠的部分；在半导体薄膜上的第2电极，其具有与沟道保护层的另一边缘重叠的部分；其中，在平面图中，边缘点存在于第1或第2电极与沟道保护层的边缘重叠之处，一个边缘点为沿沟道保护层的周缘的部分，以及在平面图中，至少一个边缘点位于栅极电极的周缘的外侧。该薄膜晶体管能够在不损失导通电阻的情况下消除或缓解寄生电容与漏电流之间的折衷。
薄膜晶体管制造方法