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- [发明专利]一种单晶金刚石的生产方法-CN202310895817.9在审
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鲁振海;王彩利;朱肖华;常新磊;张东阳
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河南天璇半导体科技有限责任公司
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2023-07-20
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2023-10-20
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C30B29/04
- 本发明属于化学气相沉淀技术的单晶生长领域，特别是涉及一种单晶金刚石的生产方法。为了解决现有技术中由于将单晶金刚石单片切割而导致切割时浪费时间、且在籽晶生长过程中不同籽晶间的温差较大的技术问题，本发明提出了一种单晶金刚石的生产方法，包括使m×n片籽晶排列成m排×n列的矩阵并进行沉积生长的生长步骤和切割不同籽晶的切割步骤，其中，m≥2，n≥2；在生长步骤后执行切割步骤，在切割步骤后再次执行生长步骤，在切割步骤中，使每片籽晶至少与一片籽晶连为一体。使每片籽晶至少与一片籽晶连为一体，能够减短切割的路径，从而缩短切割时长，还能够使不同籽晶之间通过边缘多晶进行热交换，从而使不同籽晶间的温差较小。
- 一种金刚石生产方法
- [发明专利]一种沉积台及CVD设备-CN202310054729.6在审
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鲁振海;王彩利;朱肖华;张东阳;常新磊
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河南天璇半导体科技有限责任公司
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2023-02-03
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2023-07-04
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C30B25/12
- 本发明涉及化学气相沉积技术领域，具体涉及一种沉积台及CVD设备。CVD设备包括沉积室，沉积室内设置有沉积台，工作时，沉积台的正上方生成有等离子体球，沉积台包括圆台式基座，基座的上端面的中部区域为用于摆放籽晶的基础作业面，基座的至少部分边缘位置处的上侧面由内向外逐渐上升延伸形成扩展边缘，该扩展边缘整体用于被等离子体球覆盖并且其上侧面用于朝向上方的等离子体球布置，所述扩展边缘的上侧面为用于摆放籽晶的扩展作业面，扩展作业面上的籽晶距等离子体球的距离与基础作业面上的籽晶距等离子体球的距离相近，以利用扩展作业面提高沉积台摆放籽晶的数量,解决现有技术中的CVD设备的沉积台摆放籽晶数量较少、生产效率较低的技术问题。
- 一种沉积cvd设备
- [实用新型]一种籽晶摆放模具-CN202320070837.8有效
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鲁振海;王彩利;朱肖华;张东阳;常新磊
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河南天璇半导体科技有限责任公司
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2023-01-10
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2023-05-02
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C30B25/12
- 本实用新型涉及晶体制造领域，尤其涉及一种籽晶摆放模具。一种籽晶摆放模具，包括用于放置在沉积台上且呈板状的模具主体，模具主体上设置有多个用于放置籽晶且与籽晶形状匹配的放置孔，放置孔为通孔，以使籽晶放入放置孔后支撑在沉积台上，多个放置孔之间通过桥筋隔开，模具主体上设置有取放结构。通过放置孔对籽晶的位置进行限定，且放置孔为通孔，便于籽晶直接与沉积台接触；桥筋保证了放置之后的籽晶保持间隙；通过模具主体上放置孔的设置使得沉积台可以具有平整的表面，并且还能实现籽晶的有规则的摆放，进而解决了现有技术中籽晶摆放需要依靠沉积台上的凹槽，凹槽内部不易清理导致籽晶温度分布有差异，影响生长质量的问题。
- 一种籽晶摆放模具
- [实用新型]基片台-CN202220729558.3有效
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鲁振海;弋志超;常新磊;张东阳
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河南天璇半导体科技有限责任公司
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2022-03-30
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2022-08-09
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C30B25/12
- 本实用新型涉及基片台，基片台包括分体设置的上盖和底座，上盖上设有通孔，底座包括柱体以及在柱体上端面设置的凸台，在上盖盖设在底座上时，凸台插入通孔内，凸台的顶面与通孔的孔壁面围成金刚石籽晶生长槽，上盖为筒状上盖，通孔设置在筒底，筒壁的内周面用于与柱体的外周面配合以供上盖导向套装在底座上，筒底的内侧面与柱体的上端面贴合，筒底内侧面与筒壁内周面相交处设有第一上圆角，柱体上端面的边沿处设有第一下圆角，第一上圆角与第一下圆角吻合配合；筒状上盖的结构强度好，长期使用时不易发生变形，上盖导向安装到底座上，便于定位，第一上圆角与第一下圆角进行吻合接触，避免上盖与底座接触处存在缝隙而影响散热。
- 基片台
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