“沙酉鹤”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果25个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]研磨液供应系统、研磨液测试装置及研磨液测试方法-CN202011272771.8有效
发明人： 沙酉鹤 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： B24B57/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种研磨液供应系统，用于供应测试用的研磨液，包括储液装置、出液管道和开关阀，所述储液装置用于存储第一研磨液，所述出液管道的一端与所述储液装置相连，出液管道的另一端设有出液口，所述一端高于所述另一端，所述开关阀设置于所述出液管道上，所述开关阀开启或关闭以用于控制所述出液管道的通断。本发明的研磨液供应系统可以花费较小的代价，高效地完成第一研磨液的测试，避免第一研磨液因共用化学机械研磨设备的研磨液输送管而造成的研磨液混淆，防止第一研磨液的测试结果出现偏差。研磨液供应系统还能通过所述开关阀控制所述出液管道内的第一研磨液的流量。相应的，本发明还提供了一种研磨液测试装置及研磨液测试方法。
研磨供应系统测试装置方法

[发明专利]化学机械抛光方法和装置-CN202011042568.1有效
发明人： 沙酉鹤;谢越 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学机械抛光方法和装置。所述方法包括提供待抛光的半导体晶圆；对所述半导体晶圆执行化学机械抛光工艺，其中，在所述化学机械抛光工艺中所述半导体晶圆位于第一平面；对所述半导体晶圆执行悬空处理步骤，其中，在所述悬空处理步骤中所述半导体晶圆位于高于所述第一平面的第二平面并且所述半导体晶圆表面下方悬空，以及其中，在所述悬空处理步骤中所述半导体晶圆旋转。根据本发明，将半导体晶圆上升到一定高度远离抛光垫进行悬空处理步骤，使半导体晶圆旋转，半导体晶圆表面的抛光液、抛光液中的抛光颗粒和抛光副产物，脱离半导体晶圆表面，从而避免了晶圆表面粘附的抛光液颗粒和抛光副产物影响后续处理步骤。
化学机械抛光方法装置

[发明专利]一种抛光头、化学机械抛光装置和方法-CN202011413321.6有效
发明人： 沙酉鹤 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种抛光头、化学机械抛光装置和方法。所述抛光头包括主体部，用以夹持晶圆并使所述晶圆的待抛光表面朝下以进行化学机械抛光；其中，在所述主体部上设置有边缘供液回路，所述边缘供液回路用以在化学机械抛光过程中向所述晶圆的边缘提供液体以改变所述晶圆的边缘处的抛光液的浓度。根据本发明的抛光头和化学机械抛光方法，通过在抛光过程中从晶圆的边缘处引入液体，改变晶圆边缘的抛光液浓度，从而控制晶圆边缘的化学机械抛光速率，改善了晶圆在化学机械抛光工艺中的抛光均匀性。
一种抛光化学机械抛光装置方法

[发明专利]一种避免泡沫干扰的液位侦测器及液位侦测方法-CN202110481585.3在审
发明人： 沙酉鹤 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G01F23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种避免泡沫干扰的液位侦测器及液位侦测方法，所述液位侦测器包括：侦测头，至少包括设置于储液罐外不同高度处的上侦测头和下侦测头，以分别获取所述储液罐内不同高度处的液位信号；处理器，与所述侦测头通信连接，用于获取所述侦测头的液位信号，以基于所述上侦测头的液位信号和所述下侦测头的液位信号，判断所述储液罐内液位的状况。根据本发明提供的避免泡沫干扰的液位侦测器及液位侦测方法，通过在储液罐外不同高度处设置上侦测头和下侦测头，分别获取储液罐内不同高度处的液位信号，并基于所述上侦测头的液位信号和所述下侦测头的液位信号，判断所述储液罐内液位的状况，避免了泡沫层对液位侦测的干扰，获得真实、准确的液位状态。
一种避免泡沫干扰侦测方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201810175889.5有效
发明人：纪登峰;杨俊;刘洪涛;沙酉鹤;王晨骁;李英男 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2018-03-02 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底上具有介质结构，所述基底包括第一区；去除部分所述第一区介质结构，在所述第一区介质结构内形成若干相互分立的第一开口；在所述第一开口内形成第一阻挡部；去除相邻第一开口之间的介质结构，形成第二开口，所述第二开口侧壁暴露出第一阻挡部的侧壁；在所述第二开口内形成第二阻挡部。所述第一阻挡部和第二阻挡部共同作为阻挡结构，所述阻挡结构的性能较好。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]硅片表面亲疏水性判定装置及方法-CN202110413778.5在审
发明人： 沙酉鹤;谢越 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G01N13/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅片表面亲疏水性判定装置及方法，属于硅片测试领域，具体包括硅片承载件，用于放置硅片；多组喷淋水管，位于所述硅片转轮的上方，设置在所述硅片的两侧，用于清洗所述硅片；收集组件，用于在喷淋结束后收集所述硅片滴落的液体；亲疏水性判定组件，用于根据收集的液体判断硅片的亲疏水性。通过本申请的处理方案，可以快速判别硅片表面的亲疏水性状况。
硅片表面亲疏水性判定装置方法

[发明专利]研磨垫监测装置及监测方法-CN202011454724.5在审
发明人： 沙酉鹤;谢越 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： B24B37/11 文献下载
摘要：本发明提供了一种研磨垫监测装置，用于监测所述研磨垫是否划伤晶圆，研磨垫监测装置包括色差测量单元和判断单元。色差测量单元用于实时测量研磨垫表面的色差值，判断单元用于判断研磨垫是否划伤所述晶圆。当研磨垫表面的色差值大于或等于阈值时，则判定研磨垫会划伤所述晶圆。显示单元以图表的形式实时显示色差值和阈值。当所述研磨垫表面的色差值小于所述阈值时，则判定所述研磨垫不会划伤所述晶圆。在本发明提供的研磨垫监测装置中，通过色差测量单元实时测量所述研磨垫表面的色差，色差测量单元向所述判断单元实时反馈测量结果信号，进而通过所述判断单元判断所述研磨垫是否会划伤晶圆。相应的，本发明还提供一种研磨垫的监测方法。
研磨监测装置方法

[实用新型]一种抛光垫及抛光设备-CN202021325722.1有效
发明人： 沙酉鹤;谢越 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种抛光垫及抛光设备，所述抛光垫包括与硅片接触的抛光面，所述抛光面开设有至少一个凹槽，所述凹槽的开槽位置使得在对硅片进行抛光时，所述硅片的边缘至少部分悬空在所述凹槽的上方。根据本实用新型的抛光垫及抛光设备可以在保持整片的抛光速率基本不变的情况下，只降低硅片边缘位置的抛光速率，从而改善硅片边缘厚度的平坦度，提升产品良率。
一种抛光设备

[发明专利]一种抛光垫、抛光设备及硅片的抛光方法-CN202010659738.4在审
发明人： 沙酉鹤;谢越 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明提供一种抛光垫、抛光设备及硅片的抛光方法，所述抛光垫包括与硅片接触的抛光面，所述抛光面开设有至少一个凹槽，所述凹槽的开槽位置使得在对硅片进行抛光时，所述硅片的边缘至少部分悬空在所述凹槽的上方。根据本发明的抛光垫、抛光设备及硅片的抛光方法可以在保持整片的抛光速率基本不变的情况下，只降低硅片边缘位置的抛光速率，从而改善硅片边缘厚度的平坦度，提升产品良率。
一种抛光设备硅片方法

[实用新型]心轴和晶圆清洗装置-CN201721198745.9有效
发明人： 沙酉鹤;邵群;杨俊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2018-03-06 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种心轴和晶圆清洗装置，该心轴包括：具有充气口的气袋；突出于所述气袋的外表面的供装部；所述气袋在充气状态下：所述气袋沿所述心轴的轴向延伸；所述供装部沿所述心轴的径向突出，用于与套装在所述心轴上的零件过盈配合以实现所述零件与所述心轴的抗扭连接。本实用新型的技术方案提高了清洗刷的安装效率，降低了对操作人员的安装要求，避免了套装好的清洗刷发生变形，降低了清洗刷被污染的可能。另外，在心轴使用一段时间后，可以自气袋的充气口及时地向气袋内补充气体，避免因心轴的供装部与清洗刷之间的松配合而致清洗刷打滑。
心轴清洗装置

[实用新型]基座载台、基座组件及研磨装置-CN201720458516.X有效
发明人：谭巧敏;谢祖荣;沙酉鹤;黄涛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： B24B37/34 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基座载台，所述基座载台包括中心部、位于所述中心部外围的边缘环形部、以及连接所述中心部与所述边缘环形部的若干个连接部；其中，所述中心部内设置有上下贯穿的排水孔，所述连接部内设置有上下贯穿的通孔。通过上述方案，本实用新型提供的基座载台在不影响该基座载台向上推顶晶圆的功能的前提下，能快速洗掉研磨清洗水，防止“奔驰标志”形状的缺陷形成。
基座组件研磨装置

[实用新型]晶圆夹持环以及研磨头-CN201621088220.5有效
发明人：谭巧敏;黄涛;丁杰;沙酉鹤 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2016-09-28 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： B24B37/32 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶圆夹持环以及研磨头，所述晶圆夹持环设置在研磨头上并包括固定部分以及设置在固定部分一侧的多个活动件，多个活动件排布成环状，任意相邻两个活动件之间形成有空隙，每个活动件与固定部分连接，而且，每个活动件与固定部分之间的间距可调。所述研磨头包括上述晶圆夹持环。本实用新型的晶圆夹持环是分体式结构，且多个活动件相对于固定部分的间距可调，使得任意相邻两个活动件之间的空隙深度相应可调，这样，在使用时，使得同一台CMP设备上，多个研磨头上晶圆夹持环的沟槽深度可保持一致，从而减少或避免晶圆研磨后去除厚度不均匀的问题。
夹持以及研磨

[实用新型]一种化学机械研磨组件-CN201320835691.8有效
发明人： 沙酉鹤;黄涛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2013-12-17 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： B24B37/11 文献下载
摘要：本实用新型提供一种化学机械研磨组件，所述化学机械研磨组件至少包括：待研磨晶圆的研磨垫；设于研磨垫上且包围在待抛光晶圆外围的抛光环；设有若干气体通道的本体；设置于本体下表面的隔膜；固定在本体靠近待研磨晶圆的一端、包围隔膜的定位环；位于本体远离待研磨晶圆的一端的连接杆。将研磨头设计为大尺寸研磨头，隔膜部分的半径R₁大于或等于晶圆的半径R₂，同时在研磨垫上设置包围待抛光晶圆外围的抛光环，研磨的时候，抛光环占据了相当于原先的晶圆边缘的位置，使得真正需要研磨的晶圆位于研磨头及隔膜的中央，通过对隔膜压力的调节，实现对整个晶圆膜厚的控制，从而回避了晶圆边缘处膜厚不易掌控的问题。
一种化学机械研磨组件

[实用新型]气体小环境装置以及化学机械研磨机台-CN201220520665.1有效
发明人： 沙酉鹤 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本实用新型揭露了一种气体小环境装置以及化学机械研磨机台，所述装置包括气源、与所述气源连接的管路以及用于将所述气源提供的气体喷吹到一晶圆表面的喷头，所述喷头与所述管路连接。所述化学机械研磨机台包括所述气体小环境装置。使用本实用新型所提供的气体小环境供应装置，在晶圆附近形成气体的小环境，隔离外环境中引起电化学腐蚀的物质，降低了电化学腐蚀所产生缺陷的发生几率，同时减少了扬起细微颗粒对产品造成影响的概率，提高产品良率，节省了能耗和生产成本。
气体环境装置以及化学机械研磨机台

[发明专利]晶圆清洗刷和晶圆清洗装置-CN201110103146.5无效
发明人： 沙酉鹤 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-04-25 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： B08B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆清洗刷，包括刷桶，所述刷桶的外圆周面设有螺旋纹路刷毛。本发明还公开了一种晶圆清洗装置，包括晶圆清洗刷，所述晶圆清洗刷压在所述晶圆的表面并对晶圆进行滚动刷洗，所述晶圆清洗刷，包括刷桶，所述刷桶的外圆周面设有螺旋纹路刷毛。本发明通过将刷桶上的刷毛设置成螺旋纹路的，可以减小颗粒离开晶圆所需的路程，从而提高颗粒的清除效率，实现快速彻底清洗晶圆表面上的颗粒的目的。另外，通过增设一排设有若干刷桶清洗喷嘴的第二喷水管，可以将刷桶上的颗粒及时冲走，防止这些颗粒被重新带回到晶圆表面，进一步确保了晶圆清洗的效果，有效提高了晶圆清洗的效率。通过增设活动的单独调控的喷嘴可以加强重点区域的冲洗效果。
晶圆清洗刷清洗装置

1
2
下一页»
尾页
共 25 条