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[发明专利]一种锂电材料前驱体、其制备方法及应用-CN202310260611.9在审
发明人：李付杰;沈震雷;董宇;牛帅帅 -专利权人：华友新能源科技（衢州）有限公司;浙江华友钴业股份有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C01G53/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂电材料前驱体、其制备方法及应用，涉及锂电材料技术领域。锂电材料前驱体的制备方法包括：将金属盐前驱体溶液在焙烧炉的炉底经雾化器雾化，雾化后的物料在焙烧炉内自下而上依次经历蒸发区、干燥区和分解区之后，气体携带生成的氧化物颗粒从炉顶输出；其中，焙烧炉内自蒸发区至分解区的温度逐渐增加，焙烧炉自下而上的温度区间为120℃～950℃。本发明工艺高效、经济、环保；雾化器不易结晶堵塞、生产过程连续稳定；控温梯度精准、灵活可调，产品形貌可控；过程能耗综合利用率与物料回收率高；物料分区反应充分，热解温度下停留时间长，产品结晶度好。
一种材料前驱制备方法应用

[发明专利]一种焙烧炉及制备锂电氧化物前驱体的系统-CN202310264164.4在审
发明人：李付杰;沈震雷;董宇;牛帅帅 -专利权人：华友新能源科技（衢州）有限公司;浙江华友钴业股份有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： B01J4/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种焙烧炉及制备锂电氧化物前驱体的系统，涉及化工设备领域。采用在焙烧炉炉底雾化进料的方式，在焙烧炉内自下而上反应之后，利用炉顶的负压使产品从顶部的颗粒出口输出。由于气体携带产品从炉顶输出，相比于底部出料的装置本发明在热解温度下停留时间长，有利于提高产品结晶度；由于颗粒随气体从炉顶输出，能够防止颗粒流动堵塞雾化器，增加装置运行的稳定性。此外，本发明所提供的焙烧炉还能够通过调控负压的大小来调整停留时间；相比于传统的进出料方式，焙烧炉内下方区域的温度更容易控制，有利于精确控温和节能降耗。
一种焙烧制备氧化物前驱系统

[发明专利]一种锂电正极材料前驱体、其制备方法和应用-CN202310130232.8在审
发明人：任士栋;李付杰;沈震雷;牛帅帅;吕海斌;曹祥镇 -专利权人：华友新能源科技（衢州）有限公司;浙江华友钴业股份有限公司
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C01G53/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂电正极材料前驱体、其制备方法和应用，涉及锂电池技术领域。锂电正极材料前驱体的制备方法包括：将生产原料和添加剂混合得到混合溶液，采用喷雾热解的方式制备前驱体；其中，生产原料包括可溶性的镍源、钴源和锰源；添加剂选自表面活性剂和可溶性有机碳源中的至少一种。在制备过程中加入表面活性剂和/或可溶性有机碳源，通过引入添加剂能够很好地对产品的粒径进行调整，利用喷雾热解技术制备的前驱体粒径均匀性好。本发明提供的制备方法能够显著减少制备时间、提高效率，基本无副产物，是一种绿色高效的制备方法，有助于碳达峰、碳中和的实现。
一种正极材料前驱制备方法应用

[发明专利]基于读取操作的主动监测的存储器中的缺陷检测-CN202210991165.4在审
发明人： 沈震雷;谢廷俊;F·阿迪;王维;周振明 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本申请案的实施例涉及基于读取操作的主动监测的存储器中的缺陷检测。获得基于对存储器装置执行的第一读取操作的第一错误率。确定满足与缺陷候选相关联的第一阈值准则的所述存储器装置的个别数据单元。对所述个别数据单元执行缺陷验证操作以获得第二错误率。确定满足与缺陷相关联的第二阈值准则的所述个别数据单元。
基于读取操作主动监测存储器中的缺陷检测

[发明专利]存储器装置中的基于层面的媒体管理操作-CN202210671311.5在审
发明人：周振明;田昇埈;沈震雷 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：公开包含以操作方式耦合到存储器装置的处理装置的系统和方法。所述处理装置执行包括以下操作的操作：接收指定逻辑地址的存储器存取命令；确定与所述逻辑地址相关联的物理地址；确定所述存储器装置的被所述物理地址引用的部分；确定与所述部分相关联的耐久性因子；和使与所述存储器装置的管理单元相关联的媒体管理度量增加从所述耐久性因子导出的值，其中所述管理单元被所述物理地址引用。
存储器装置中的基于层面媒体管理操作

[发明专利]基于个别存储器单位的额定值的存储器装置的寿命延长-CN202210533273.7在审
发明人：许中广;沈震雷;谢廷俊;田昇埈;郎慕蓉;周振明 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请案涉及基于个别存储器单位的额定值的存储器装置的寿命延长。获得存储器装置的第一数据单位及第二数据单位的相应预期寿命。确定对应于所述第一数据单位的第一初始年限值及对应于所述第二数据单位的第二初始年限值。识别所述第一初始年限值及所述第二初始年限值中的较低者。对与所述第一初始年限值及所述第二初始年限值中的所述较低者相关联的所述第一数据单位或所述第二数据单位中的对应者执行第一媒体管理操作。对所述第一数据单位及所述第二数据单位执行第二媒体管理操作。
基于个别存储器单位额定值装置寿命延长

[发明专利]预读取及读取阈值电压优化-CN202080093498.4在审
发明人：田昇埈;周振明;沈震雷 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：接收在存储器装置处读取数据的请求。使用第一读取阈值电压执行第一读取操作以在所述存储器装置处读取所述数据。确定使用所述第一读取阈值电压在所述存储器装置处读取的所述数据与对错误的第一不成功校正相关联。响应于确定使用所述第一读取阈值电压在所述存储器装置处读取的所述数据与对所述错误的所述第一不成功校正相关联，将第二读取阈值电压存储在寄存器处以替换先前存储在与所述存储器装置相关联的所述寄存器处的预读取阈值电压。所述第一预读取阈值电压先前用于在所述存储器装置处执行预读取操作。使用所述第二读取阈值电压执行用以在所述存储器装置处读取所述数据的第二读取操作。
读取阈值电压优化

[发明专利]基于存储器子系统的特性执行刷新操作-CN202080052218.5在审
发明人：谢廷俊;田昇埈;陈振刚;沈震雷;C·S·Y·光 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：可在存储器子系统处执行刷新操作。可以当前频率执行所述刷新操作。可接收与所述存储器子系统相关联的写入计数。可确定与所述存储器子系统相关联的所述写入计数是否满足写入计数阈值。响应于确定与所述存储器子系统相关联的所述写入计数满足所述写入计数阈值，可以相对于所述当前频率提高的频率执行所述刷新操作。
基于存储器子系统特性执行刷新操作

[发明专利]从多个写入操作模式选择写入操作模式-CN202080054423.5在审
发明人： 沈震雷;朱方芳;谢廷俊;J·朱 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：接收对在存储器组件处写入数据的请求。响应于接收到对在所述存储器组件处写入所述数据的所述请求，确定随机值。基于所述随机值而选择来自多个写入操作模式的第一写入操作模式。根据所述第一写入操作模式执行用以在所述存储器组件处写入所述数据的写入操作。
写入操作模式选择

[发明专利]在存储器子系统通电阶段期间执行完全存储器刷新的决策-CN202080050561.6在审
发明人：谢廷俊;沈震雷;周振明 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G11C16/20 文献下载
摘要：一种系统包含多个存储器装置和操作性地耦合到所述多个存储器装置的处理装置(例如，控制器)。所述处理装置将检测所述系统的通电并且在存储器组件的初始化之后的时间间隔期间确定所述多个存储器装置的码字子集的读取重试触发率(TR)。所述处理装置进一步确定所述TR是否满足阈值标准。响应于所述TR不满足所述阈值标准，所述处理装置将初始化所述多个存储器装置的完全存储器刷新。
存储器子系统通电阶段期间执行完全刷新决策

[发明专利]存储器子系统的被取消映射分配单元的管理-CN202080050600.2在审
发明人：谢廷俊;振刚·陈;沈震雷 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：可接收存储器子系统的分配单元已变为被取消映射的指示。响应于接收到所述存储器子系统的所述分配单元已变为被取消映射的所述指示，可利用数据模式对所述分配单元进行编程。可接收待写入到所述被取消映射分配单元的数据。可通过使用基于所述数据模式的读取电压执行写入操作以在所述被取消映射分配单元处对所述接收到的数据进行编程。
存储器子系统取消映射分配单元管理

[发明专利]使存储器单元与主机系统解除关联-CN202110936104.3在审
发明人： D·巴维什;沈震雷 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请涉及使存储器单元与主机系统解除关联。从主机系统接收关于存储器子系统上的非易失性存储器装置的命令。所述非易失性存储器装置的一部分具有与所述主机系统的关联。响应于确定所述命令为用以使所述存储器子系统上的所述非易失性存储器装置的所述部分与所述主机系统解除关联的解除关联指令，移除所述存储器子系统上的所述非易失性存储器装置的所述部分与所述主机系统的所述关联。
存储器单元主机系统解除关联

[发明专利]存储器装置的基于温度的机载放置-CN202110801266.6在审
发明人： 沈震雷;谢廷俊;C·S·Y·光 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请涉及存储器装置的基于温度的机载放置。确定待安装在存储器子系统处的存储器装置的质量等级，其中所述质量等级对应于所述存储器装置在一或多个操作温度下的性能。确定所述存储器装置的所述质量等级是否满足与所述存储器子系统的两个或更多个温度区中的第一温度区相关联的第一质量等级条件。响应于确定所述存储器装置的所述质量等级满足所述第一质量等级条件，将所述存储器装置分配为安装在所述第一温度区的第一存储器装置插口处。
存储器装置基于温度机载放置

[发明专利]具有时变位错误率的存储器中的缺陷检测-CN201980088355.1在审
发明人：陈振刚;S·K·米拉瓦拉普;沈震雷;谢廷俊;C·S·光 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本文描述了与具有时变位错误率的存储器系统的存储器组件中的缺陷检测相关的实施例。处理装置进行错误恢复流程(ERF)以恢复数据单元，所述数据单元包括数据和指示何时写入所述数据单元的写入时间戳。所述处理装置使用对应于所述读取操作的位错误率(BER)和所述数据单元中的所述写入时间戳来确定是否进行缺陷检测操作以检测所述存储器组件中的缺陷。所述处理装置响应于所计算的W2R(基于所述写入时间戳)不期望所述BER条件来发起所述缺陷检测操作。所述处理装置能够使用ERF条件和所述写入时间戳来确定是否进行所述缺陷检测操作。所述处理装置响应于所计算的W2R(基于所述写入时间戳)不期望所述ERF条件来发起所述缺陷检测操作。
有时变位错误率存储器中的缺陷检测

[发明专利]用于存储器子系统的容许故障错误校正布局-CN201980085572.5在审
发明人：吴炜;沈震雷;陈振刚 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：可以接收错误校正码的码字。所述码字可以分为多个段。所述码字的所述段可以在多个裸片上按错误校正布局分布，其中所述错误校正布局的至少一部分构成拉丁方(LS)布局。
用于存储器子系统容许故障错误校正布局

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