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- [实用新型]用于QFN芯片的压合装置-CN202223366758.6有效
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廖兵;沈礼福
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苏州达晶微电子有限公司
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2022-12-15
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2023-06-30
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H01L21/603
- 本实用新型公开一种用于QFN芯片的压合装置，包括：封装板、支撑板，表面具有若干个封装区域的封装板设置在支撑板上方，在此支撑板的一侧且位于封装板上方设置有一下压板，此下压板与支撑板之间设置有一气缸，位于此下压板与封装板之间设置有一具有若干个通孔的条板，下压板与条板固定连接，且沿此条板的长度方向间隔设置有若干个顶部具有插杆的压块，通孔与插杆之间滑动连接，在此压块与条板之间且套装在插杆外壁上有一缓冲弹簧。本实用新型既实现了芯片与对应封装区域的紧密贴合，便于后续加工，又能够对压合过程进行缓冲，避免压块与芯片之间硬接触导致芯片损坏的情况，提高了芯片的安全性。
- 用于qfn芯片装置
- [实用新型]用于芯片的加工装置-CN202222979415.0有效
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廖兵;沈礼福
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苏州达晶微电子有限公司
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2022-11-09
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2023-05-26
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H01L21/603
- 本实用新型公开一种用于芯片的加工装置，其贴装单元用于将供料带上的芯片转移至封装板上，位于贴装单元的一侧且在封装板上方设置有一下压板，在此下压板与封装板之间设置有一条板，沿此条板的长度方向间隔设置有若干个压块，位于封装板的下方设置有一支撑板，且在该支撑板与下压板之间设置有一导向装置，位于限位板两侧均设置有一用于驱动下压板下压的驱动组件，电动推杆平行于限位板的长度方向设置，水平设置的滑轨位于此电动推杆与支撑板之间，位于滑轨内部的滑块与电动推杆的活动端固定连接，在滑块与下压板之间转动连接有连杆。本实用新型实现了芯片与封装区域压合固定，大大提高了芯片的位置稳定性，从而改善了焊接效果。
- 用于芯片加工装置
- [实用新型]芯片上料装置-CN202222979390.4有效
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廖兵;沈礼福
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苏州达晶微电子有限公司
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2022-11-09
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2023-05-23
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B65G47/91
- 本实用新型公开一种芯片上料装置，其封装板表面具有若干个等距分布的封装区域，位于此限位板的中部安装有一贴装单元，一供料带垂直于输送带轴线方向设置，贴装单元用于将供料带上的芯片转移至封装板上，贴装单元进一步包括安装架、滑动座以及吸盘，安装架的内壁之间设置有一螺纹杆、滑杆，此滑杆与螺纹杆平行设置，一用于驱动螺纹杆转动的电机设置在安装架一侧，套装在螺纹杆上的滑动座与滑杆滑动连接，位于此滑动座的下方设置有一固定板，沿该固定板长度方向安装有若干个吸盘，滑动座的顶部安装有一气缸，此气缸的活动端与固定板连接。本实用新型可以实现芯片的转运上料，且同时能够转运多枚芯片，提高了整体的加工效率。
- 芯片装置
- [实用新型]贴片式静电抑制器-CN202222403917.9有效
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廖兵;沈礼福
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苏州达晶微电子有限公司
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2022-09-09
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2023-05-23
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H05F3/00
- 本实用新型公开一种贴片式静电抑制器，包括：底板，一开设有连接槽的卡块固定在底板顶部表面，此卡块与一安装在抑制器左、右两侧的连接块滑动连接，在抑制器的左侧设置有一第一限位架、右侧设置有一第二限位架，此第一限位架、第二限位架分别位于同侧相邻的连接块之间，且内侧具有安装块的第一限位架、第二限位架的下端可嵌入相邻两个卡块之间，一弹性绳套设在第一限位架、第二限位架上端的拉板外壁上，使得第一限位架、第二限位架相互靠近从而将抑制器抱紧。本实用新型贴片式静电抑制器结构简单、安装便捷，在提高抑制器位置精度的同时，还提高了抑制器连接的紧密性，从而保证了抑制器的吸收效果。
- 贴片式静电抑制器
- [发明专利]高可靠性表面贴装半波器件-CN202010446276.8有效
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廖兵;沈礼福
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苏州达晶微电子有限公司
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2020-05-25
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2023-04-28
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H01L23/495
- 本发明公开一种高可靠性表面贴装半波器件，其位于金属基座下端的第一引脚部从环氧封装层内延伸出；所述第一引线架和第二引线架均进一步包括横金属板和分别位于横金属板两端的竖金属板和向下外凸的焊接凸部，所述第一引线架和第二引线架各自竖金属板与横金属板相背的一端为第二引脚部，此第二引脚部从环氧封装层内延伸出；所述第一引线架的横金属板和竖金属板均设置有至少一个第一通孔；环氧封装层的下表面且位于2个所述第二引脚部左右侧均开有至少一个第一凹槽。本发明既有利于进一步降低器件的体积和占用PCB电路板的面积，提高了引线架与环氧封装层的结合强度和有利于快速带走热量，从而提高了器件的可靠性。
- 可靠性表面贴装半波器件
- [实用新型]双向瞬态抑制器件-CN202223012429.1有效
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张明志;沈礼福;廖兵
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苏州达晶微电子有限公司
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2022-11-14
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2023-04-28
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H01L25/07
- 本实用新型公开一种双向瞬态抑制器件，其第一瞬态电压抑制芯片的正极、第二瞬态电压抑制芯片的负极与第一引线框的支撑基区电连接，一位于支撑基区上方连接片的电极区与第一瞬态电压抑制芯片的负极、第二瞬态电压抑制芯片的正极电连接，连接片的电极区上间隔设置有若干个锥形通孔，此锥形通孔在面向瞬态电压抑制芯片的表面为广口，在背向瞬态电压抑制芯片的表面为窄口，电极区与瞬态电压抑制芯片之间具有一第一焊膏层；连接片的焊接端与第二引线框一端电连接。本实用新型双向瞬态抑制器件在实现了在2个方向上的浪涌电压钳位的基础上，既有效改善了焊膏的不均匀导致的翘曲，又有利于增加焊膏层的接触面积，从而降低了接触电阻。
- 双向瞬态抑制器件
- [实用新型]瞬态电压抑制单向器件-CN202223017058.6有效
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张明志;沈礼福;廖兵
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苏州达晶微电子有限公司
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2022-11-14
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2023-04-21
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H01L23/495
- 本实用新型公开一种瞬态电压抑制单向器件，其位于第一引线框一端的支撑基区与一连接片的电极区之间设置有瞬态电压抑制芯片，瞬态电压抑制芯片、第一引线框、第二引线框各自的一端位于环氧树脂封装体内，连接片的电极区上间隔设置有若干个锥形通孔，此锥形通孔在面向瞬态电压抑制芯片的表面为广口，在背向瞬态电压抑制芯片的表面为窄口，电极区与瞬态电压抑制芯片之间具有一焊膏层；连接片的焊接端与第二引线框一端电连接，第一引线框、第二引线框各自的另一端从环氧树脂封装体两端延伸出。本实用新型瞬态电压抑制单向器件既改善了焊膏的不均匀导致的翘曲，又增加了焊膏层的接触面积，从而降低了接触电阻。
- 瞬态电压抑制单向器件
- [发明专利]半导体封装装置-CN202211613993.0在审
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廖兵;沈礼福
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苏州达晶微电子有限公司
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2022-12-15
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2023-04-14
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H01L21/67
- 本发明公开一种半导体封装装置，其在贴装单元的一侧且位于封装板上方设置有一下压板，位于下压板的两侧各设置有一焊接单元，位于此下压板与封装板之间设置有一具有若干个通孔的条板，沿此条板的长度方向间隔设置有若干个顶部具有插杆的压块，插杆的上端转动连接有一滚轮，在此压块与条板之间且套装在插杆外壁上有一缓冲弹簧，一条带横跨在条板上方且其两端分别与对应转轴固定连接，在每个转轴上且与对应轴座内壁之间设置有一扭簧，一安装在轴座上的扭力传感器与转轴连接。本发明既实现了芯片与对应封装区域紧密贴合，避免芯片与封装板之间间隙过大导致虚焊的情况，从而提升了焊接效果，又保证了芯片受压力度的一致，从而改善了整体的一致性。
- 半导体封装装置
- [实用新型]芯片焊接设备-CN202222987102.X有效
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廖兵;沈礼福
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苏州达晶微电子有限公司
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2022-11-09
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2023-03-21
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B23K37/02
- 本实用新型公开一种芯片焊接设备，其用于放置QFN芯片的封装板位于两个限位板之间，在输送带一侧且位于封装板上方设置有一焊接单元，焊接枪的输出端均朝向封装板的焊接区域，直线驱动器与焊接枪连接，滑动架进一步包括固定杆、螺纹杆以及上、下分布的第一限位杆、第二限位杆，螺纹杆供直线驱动器套装连接，第一限位杆、第二限位杆位于螺纹杆与固定杆之间，且第一限位杆位于第二限位杆上方，从而在第二限位杆与固定杆之间形成一第一滑槽，在第一限位杆与第二限位杆之间形成第二滑槽，直线驱动器沿第一滑槽、第二滑槽移动。本实用新型操作简单、便捷，大大提高了加工效率，还改善了焊接枪移动的稳定性，提高了焊接精度。
- 芯片焊接设备
- [实用新型]单向TVS器件-CN202222655938.X有效
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张明志;沈礼福;廖兵
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苏州达晶微电子有限公司
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2022-10-10
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2023-02-14
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H01L29/861
- 本实用新型公开一种单向TVS器件，其位于第一引线框一端的支撑基区与一连接片的电极区之间设置有瞬态电压抑制芯片，瞬态电压抑制芯片、第一引线框、第二引线框各自的一端位于环氧树脂封装体内，此第一引线框、第二引线框各自的另一端从环氧树脂封装体两端延伸出，连接片的焊接端与第二引线框一端电连接，此连接片的焊接端与电极区之间具有一窄条部，此连接片的焊接端宽度小于电极区的宽度，窄条部的宽度小于连接片的焊接端的宽度，此窄条部的厚度小于连接片的电极区和焊接端各自的厚度。本实用新型单向TVS器件避免了TVS超过本身承受能力短路引起产品燃烧的异常情况，大大提高了在一些高可靠性要求的行业产品如汽车电子、医疗行业使用的安全性。
- 单向tvs器件
- [实用新型]双向TVS器件-CN202222664795.9有效
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张明志;沈礼福;廖兵
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苏州达晶微电子有限公司
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2022-10-10
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2023-02-14
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H01L25/07
- 本实用新型公开一种双向TVS器件，其第一瞬态电压抑制芯片、第二瞬态电压抑制芯片位于支撑基区上，且第一瞬态电压抑制芯片的正极、第二瞬态电压抑制芯片的负极与第一引线框的支撑基区电连接，一位于支撑基区上方连接片的电极区与第一瞬态电压抑制芯片的负极、第二瞬态电压抑制芯片的正极电连接，连接片的焊接端与第二引线框一端电连接，连接片的焊接端与电极区之间具有一窄条部，此连接片的焊接端宽度小于电极区的宽度，窄条部的宽度小于连接片的焊接端的宽度，此窄条部的厚度小于连接片的电极区和焊接端各自的厚度。本实用新型双向TVS器件既实现了在2个方向上的浪涌电压钳位，又避免了TVS超过本身承受能力短路引起产品燃烧的异常情况。
- 双向tvs器件
- [实用新型]表面贴装瞬态二极管器件-CN202020839944.9有效
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廖兵;沈礼福
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苏州达晶微电子有限公司
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2020-05-19
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2020-12-01
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H01L23/495
- 本实用新型公开一种表面贴装瞬态二极管器件，其金属基座位于二极管芯片的正下方并且位于其上端的支撑部通过焊锡层与二极管芯片一极电连接，位于金属基座下端的引脚区部从环氧封装层内延伸出，所述第一竖金属板和第二竖金属板各自与横金属板相背的一端分别为第一引脚部、第二引脚部，此第一引脚部、第二引脚部均从环氧封装层内延伸出；所述引线架的横金属板位于焊接区两侧分别开有至少一个第一通孔，所述引线架的第一竖金属板和第二竖金属板上分别开有至少2个第二通孔。本实用新型既有利于进一步降低器件的体积和占用PCB电路板的面积，且提高了引线架与环氧封装层的结合强度，从而提高了器件的可靠性。
- 表面瞬态二极管器件
- [实用新型]单向TVS半导体器件-CN202020886427.7有效
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廖兵;沈礼福
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苏州达晶微电子有限公司
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2020-05-25
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2020-11-13
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H01L23/495
- 本实用新型公开一种单向TVS半导体器件，包括二极管芯片、金属基座和引线架，一环氧封装层包覆于二极管芯片、金属基座和引线架上，所述引线架的横金属板位于二极管芯片的正上方且其焊接区通过焊锡层与二极管芯片另一极电连接，所述第一竖金属板和第二竖金属板各自与横金属板相背的一端分别为第一引脚部、第二引脚部，此第一引脚部、第二引脚部均从环氧封装层内延伸出；所述环氧封装层的下表面且位于2个所述第二引脚部左右侧均开有至少一个第一凹槽，所述环氧封装层的下表面且位于第一引脚部前后侧均开有至少一个第二凹槽。本实用新型既有利于进一步降低器件的体积和占用PCB电路板的面积，也更有利于快速带走热量。
- 单向tvs半导体器件
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