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[发明专利]基于封装的石墨烯纳米带的半导体器件及其制备方法-CN202310558541.5在审
发明人：史志文;沈沛约;陈佳俊;吕博赛;娄硕;张智淳;陈一 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种基于封装的石墨烯纳米带的半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：基底、位于其上的封装的石墨烯纳米带及相应的金属电极；封装的石墨烯纳米带包括：具有原子级平整度的绝缘封装体，绝缘封装体由至少两个原子层依次平行堆叠形成，且相邻两原子层之间通过范德华力结合；至少一个沿绝缘封装体厚度方向延伸的纵切面；至少一根石墨烯纳米带，冲破纵切面裸露的任意相邻两原子层的范德华力嵌入该两原子层之间。该半导体器件使用的石墨烯纳米带封装于具有原子级平整度的绝缘封装体中，与外界环境隔绝，使其具有接近本征纳米带的物性，可得到高质量高性能碳基电子器件；另外，制备方法简单，成本较低，且可大规模生产。
基于封装石墨纳米半导体器件及其制备方法

[发明专利]嵌在二维材料层间的石墨烯纳米带及其制备方法-CN202310558549.1在审
发明人：史志文;吕博赛;陈佳俊;娄硕;沈沛约 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明提供一种嵌在二维材料层间的石墨烯纳米带及其制备方法，该石墨烯纳米带结构包括：具有原子级平整度的衬底，由至少两个原子层依次平行堆叠形成，且相邻两原子层之间通过范德华力结合；至少一个纵切面，自衬底表面沿衬底厚度方向延伸一个或多个原子层厚度的衬底形成；至少一个石墨烯纳米带，冲破纵切面处裸露的任意相邻两原子层的范德华力嵌入该两层原子层之间，被衬底材料封装。形成的石墨烯纳米带嵌于具有原子级平整度的衬底中，与外界环境隔绝，使得石墨烯纳米带具有接近本征纳米带的物性，规整的边缘结构；另外该制备方法操作简单，成本较低，且可以大规模生产，具有较佳的产业化价值。
二维材料石墨纳米及其制备方法

[发明专利]扶手椅型石墨烯纳米带及其制备方法-CN202310517857.X在审
发明人：史志文;娄硕;吕博赛;陈佳俊;沈沛约 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明提供一种扶手椅型石墨烯纳米带及其制备方法，采用甲烷作为碳源气体，六方氮化硼作为生长衬底，生长温度为800℃～875℃，生长时间为35min～45min，且使氢气与甲烷气体的流量比为1:3～1:5的一系列参数，使金属纳米催化剂颗粒沿着衬底的扶手椅晶向运动，在生长过程中催化剂颗粒辅助甲烷裂解脱氢并从中获取碳原子，当催化剂颗粒中的碳浓度达到饱和后，碳原子从其的表面析出，从而生长出石墨烯纳米带，由于是外延生长，合成的石墨烯纳米带和衬底晶格结构对齐，从而生长出具有扶手椅型边缘结构的石墨烯纳米带，长度可以达到微米量级，扶手椅型边界形貌的石墨烯纳米带的纯度可达97％到98％之多；另外，该制备方法操作简单，成本低廉，可大规模生产，具有较佳的产业化价值。
扶手椅石墨纳米及其制备方法