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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种分步制备深沟槽的方法-CN202211735019.1在审
  • 沈志钦 - 杭州富芯半导体有限公司
  • 2022-12-31 - 2023-05-02 - H01L21/308
  • 本公开提供了一种分步制备深沟槽的方法，方法包括：获取初始半导体结构；在初始半导体结构表面沉积预设厚度的外延材料，形成外延层；在外延层上形成图案化的掩膜层；根据图案化的掩膜层，对外延层进行刻蚀，以得到预设沟槽；去除图案化的掩膜层；向预设沟槽中沉积抗反射物质并溢出至外延层表面；对抗反射物质进行回蚀；重复沉积外延材料形成外延层，并重复对外延层进行蚀刻，直到对外延层进行刻蚀的次数达到目标蚀刻次数，以得到具有目标刻蚀深度的深沟槽。应用本方法通过分步生长外延层‑刻蚀的方式制备深沟槽，可以降低加工深沟槽的难度，减少产生缺陷的风险，提高加工精度以及产品的良率和可靠性，降低对刻蚀机台的要求。
  • 一种分步制备深沟方法
  • [发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202211313541.0在审
  • 沈志钦 - 杭州富芯半导体有限公司
  • 2022-10-25 - 2022-12-23 - H01L21/762
  • 本申请提供一种半导体结构制备方法，包括：形成沟槽于半导体衬底中；形成氧化层于半导体衬底的表面上以及沟槽的底部和侧壁；透过干法刻蚀部份刻蚀氧化层而形成氧化区，其中氧化区为阶梯状结构；部分刻蚀氧化区以暴露半导体衬底的边缘的表面，刻蚀后氧化区作为氧化隔离结构。透过半导体结构制备方法所制成的氧化隔离结构能适应纳米电子零件的隔离结构，而不会影响纳米电子零件的运作并减少有源区面积的应用。
  • 半导体结构制备方法
  •  1 
  • 共 3 条
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