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[发明专利]一种低温超导飞轮用变间隙支承结构-CN201510164948.5有效
发明人：李京波;赵尚武;李庆跃;汪林望;吴宗泽;王臻;吴海虹 -专利权人：东晶电子金华有限公司
申请日： 2015-04-09 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： F16C32/04 文献下载
摘要：本发明涉及储能和导航两用的超导飞轮领域，具体是一种低温超导飞轮用变间隙支承结构，其特征在于主要包括上极瓦、上侧瓦、下侧瓦、下极瓦、转子、上悬浮线圈、上侧悬浮线圈、下侧悬浮线圈、下悬浮线圈；上极瓦、上侧瓦、下侧瓦、下极瓦都是由低温超导棒材加工制成，组装后形成一个近似球形腔体，腔体与转子的间隙宽度随极角而变化，在不同极角处间隙的沿垂直于极角方向的截面面积相等，使得间隙内磁场沿极角和方位角方向的分布都相等。本发明通过设定球形转子与腔体内表面的间隙宽度随极角变化，使得转子表面的磁场沿极角方向均匀分布，提高了低温超导飞轮的加速能力、抗扰动能力，减小了超导转子的阻力矩，提高了感测精度和能量转换效率。
一种低温超导飞轮间隙支承结构

[发明专利]一种利用球形线圈支承结构进行超导转子悬浮的方法-CN201510165987.7有效
发明人：李京波;赵尚武;李庆跃;汪林望;吴宗泽;王臻;吴海虹 -专利权人：浙江东晶电子股份有限公司
申请日： 2015-04-09 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H02N15/00 文献下载
摘要：本发明涉及储能和导航两用的超导飞轮转子的磁悬浮系统，尤其是一种利用球形线圈支承结构进行超导转子悬浮的方法，包括给下悬浮线圈加载电流，随着电流增加，超导转子逐渐从底部浮起；当超导转子悬浮至球形腔体中心位置时，将下悬浮线圈和上悬浮线圈同时加载电流，并调整电流值，保证超导转子始终位于球形腔体的中心位置，电流增加至设定的最大值时保持恒定；给四个侧向悬浮线圈同时加载电流，直至增加到设定的最大值后保持恒定；上悬浮线圈、下悬浮线圈和四个侧向悬浮线圈的最大电流值的设定原则是当超导转子在球形腔体内的任意位置时其表面的磁场强度不大于超导转子的下临界磁场。本发明能有效提高超导转子的支承刚度，降低超导转子的阻力矩和干扰力矩，同时提高超导支承结构的加工工艺性。
一种利用球形线圈支承结构进行超导转子悬浮方法

[实用新型]一种超导飞轮用球形线圈支承结构-CN201520210704.1有效
发明人：李京波;赵尚武;李庆跃;汪林望;吴宗泽;王臻;吴海虹 -专利权人：浙江东晶电子股份有限公司
申请日： 2015-04-09 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： H02N15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及储能和导航两用的超导飞轮转子的磁悬浮系统，尤其是一种超导飞轮用球形线圈支承结构，包括环氧骨架和超导线圈，环氧骨架由低温环氧树脂加工而成，呈球冠形状，用于缠绕超导线圈，一个支承结构中包括六个完全相同的环氧骨架，组成X、Y、Z轴向的三对对称结构，超导线圈由低温超导线在环氧骨架上绕制而成，在一个支承结构中包括六个结构完全相同的线圈，其中位于上半球顶部的线圈为上悬浮线圈，下半球底部的线圈为下悬浮线圈，其它四个为侧向悬浮线圈。本实用新型能有效提高超导转子的支承刚度，降低超导转子的阻力矩和干扰力矩，同时提高超导支承结构的加工工艺性，主要包括减小加工、组装难度，提高支承结构参数的一致性，降低生产成本。
一种超导飞轮球形线圈支承结构

[实用新型]一种低温超导飞轮用变间隙支承结构-CN201520212395.1有效
发明人：李京波;赵尚武;李庆跃;汪林望;吴宗泽;王臻;吴海虹 -专利权人：浙江东晶电子股份有限公司
申请日： 2015-04-09 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： F16C32/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及储能和导航两用的超导飞轮领域，具体是一种低温超导飞轮用变间隙支承结构，其特征在于：主要包括上极瓦、上侧瓦、下侧瓦、下极瓦、转子、上悬浮线圈、上侧悬浮线圈、下侧悬浮线圈、下悬浮线圈；上极瓦、上侧瓦、下侧瓦、下极瓦都是由低温超导棒材加工制成，组装后形成一个近似球形腔体，腔体与转子的间隙宽度随极角而变化，在不同极角处间隙的沿垂直于极角方向的截面面积相等，使得间隙内磁场沿极角和方位角方向的分布都相等。本实用新型通过设定球形转子与腔体内表面的间隙宽度随极角变化，使得转子表面的磁场沿极角方向均匀分布，提高了低温超导飞轮的加速能力、抗扰动能力，减小了超导转子的阻力矩，提高了感测精度和能量转换效率。
一种低温超导飞轮间隙支承结构

[发明专利]一种共溅射旋转靶材及其制备方法-CN201410181267.5无效
发明人：黄常刚;李京波;李庆跃;吴宗泽;李凯;汪林望;吴海虹;李树深;夏建白;王臻 -专利权人：浙江东晶电子股份有限公司
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜的物理制备技术领域，具体是一种共溅射旋转靶材及其制备方法，其特征在于：包括旋转圆柱靶管及中心静止不动的磁铁，所述旋转圆柱靶管由不同形状的掺杂成份靶材单元和本体成份靶材单元以不同的形式分布在圆筒形支撑衬底上，掺杂成份靶材单元和本体成份靶材单元两者按照一定的排布规律分布。本发明将需要共溅射和共掺杂的靶材单元制作成不同的形状，以不同的形式分布在圆筒形支撑衬底上，而圆筒形支撑衬底的中心放置静止不动的磁铁，慢速转动实现磁控溅射，达到高均匀性共掺杂的目的，其靶材利用率也比较高。
一种溅射旋转及其制备方法

[发明专利]泡生法生长蓝宝石晶体的自动引晶技术-CN201210374391.4有效
发明人：承刚;李京波;李庆跃;李凯;汪林望;池旭明;夏建白 -专利权人：浙江东晶光电科技有限公司
申请日： 2012-09-29 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明属于蓝宝石单晶生长技术领域，具体是一种泡生法生长蓝宝石晶体的自动引晶技术，其特征在于:引晶运行首先将称重机构自动进行归零；程序通过曲线自动计算出籽晶的重量变化，若此重量变化在10-20g，程序将进入自动进行拉环动作，否则程序将自动调节电压使晶体重量变化满足要求；拉环过程中称重将自动计算晶体重量的变化率，并通过程序自动调节电压，程序继续计算变化率，直至晶体重量的变化率控制在0.1至0.5之间时，引晶完成，自动进入生长阶段。采用本发明引晶技术生长蓝宝石晶体，炉引晶炉数不再受引晶工程师数量的限制，生产规模可迅速提高，从而节约大量的人力成本，大大降低生产成本。
泡生法生长蓝宝石晶体自动技术

[发明专利]一种用于生长蓝宝石单晶的高纯氧化铝的制备方法-CN201210372041.4无效
发明人：李京波;孟秀清;李庆跃;李凯;汪林望;池旭明;夏建白 -专利权人：浙江东晶光电科技有限公司
申请日： 2012-09-29 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： C01F7/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种高纯氧化铝的制备方法，特别是一种用于生长蓝宝石单晶的高纯氧化铝的制备方法，将高纯硫酸铝铵研磨以获得粒度均匀的硫酸铝铵前驱体粉末，然后将其分温度段加热进行热解除去副产物，并通过进一步的烧结获得高纯的粒度均匀的氧化铝粉体。本发明通过将高纯硫酸铝铵研磨得到硫酸铝铵原料粉体，进行低温除水，并在中等温度下除去氨气，进一步升高温度使原料完全分解，进而通过1000-1050度的烧结获得了高纯的氧化铝。本发明制备的氧化铝热解温度低、纯度高，而且产生的SO3、NH3尾气直接回收，即减少了对环境的污染、又是副产物得到合理利用，降低了生产成本。
一种用于生长蓝宝石高纯氧化铝制备方法

[发明专利]一种高取向性二硒化钨纳米线的制备方法-CN201210374547.9有效
发明人：李京波;孟秀清;李庆跃;李凯;汪林望;池旭明 -专利权人：浙江东晶光电科技有限公司
申请日： 2012-09-29 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种二硒化钨纳米线的制备方法，特别是高取向性二硒化钨(WSe2)纳米线的制备方法，具体是采用两步反应法，首先以Na2WO4·2H2O和CH3CSNH2为反应溶质，以CTAB为络合剂，纯度为18兆欧以上的去离子水做反应溶剂，采用水热方法制备出WO2纳米线通过水热方法制备出了WO2纳米线，然后再将这种纳米线用纯度为99.9％以上的高纯硒硒化，获得了高取向性的二硒化钨纳米线。本发明是一种简单环保的方法，反应过程中采用WO2纳米线作为钨源，采用纯度为99.9％以上的高纯Se硒化，既缩短了反应时间、又避免了H2S、H2等危险性大的气体的使用，大大降低了反应成本、简化了反应设备。
一种向性二硒化钨纳米制备方法

[外观设计]瓶子-CN98321027.6无效
发明人： 汪林望 -专利权人： 汪林望
申请日： 1998-09-17 - 公布日： 1999-09-15 - 主分类号： 09-01-B0375 文献下载
摘要：省略后视图、左视图、右视图。
瓶子

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