专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于机器学习的信息安全保护装置-CN202110720901.8有效
  • 汤铭;朱佳佳;陈石 - 国网江苏省电力有限公司信息通信分公司
  • 2021-06-28 - 2023-10-10 - G06F1/18
  • 本发明涉及信息安全保护技术领域,尤其是一种基于机器学习的信息安全保护装置,包括外壳,所述外壳底部中间开设有第一通风槽,所述外壳顶部安装有封盖,所述外壳内部放置有计算机本体,所述计算机本体与所述外壳之间安装有减震机构,所述外壳顶部中间放置有电机,所述电机的输出轴贯穿所述外壳并安装有风扇,所述外壳顶部四周均安装有过滤板,四个所述过滤板均围绕所述电机呈均匀布置,四个所述过滤板远离所述计算机本体一侧均放置有滑动杆,四个所述滑动杆均滑动贯穿所述过滤板并均安装有挡板,四个所述过滤板的垂直投影均位于四个所述挡板上。该装置具有很高的实用价值,值得推广。
  • 一种基于机器学习信息安全保护装置
  • [发明专利]多重栅极功率MOSFET元件-CN201910203692.2有效
  • 汤铭;焦世平 - 力芯科技股份有限公司
  • 2019-03-18 - 2023-07-14 - H01L29/78
  • 本公开提供一种多重栅极功率MOSFET(功率金属氧化物半导体场效晶体管)元件,该多重栅极功率MOSFET元件设置于一基底上。该多重栅极功率MOSFET元件包括一第一晶体管单元、一第二晶体管单元及一第一绝缘体。该第一晶体管单元具有一第一漏极柱、一第一源极柱及一第一栅极导体,该第一栅极导体设置于该第一漏极柱与该第一源极柱之间。该第二晶体管单元具有一第二漏极柱、一第二源极柱及一第二栅极导体,该第二栅极导体设置于该第二漏极柱及该第二源极柱之间。该第一绝缘体设置于该基底的上方及该第一栅极导体与该第二栅极导体之间。该第一绝缘体将该第二晶体管单元与该第一晶体管单元电绝缘。于操作期间,该第一晶体管单元及该第二晶体管单元共用一共源极及一共漏极,该第一栅极导体及该第二栅极导体的导电状态被分开控制。
  • 多重栅极功率mosfet元件

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