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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电力用半导体装置-CN201880087962.1有效
发明人：绵引达郎;汤田洋平 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：为了提供降低缺陷层所引起的泄漏电流而阈值电压的变动小的电力用半导体装置，具备：单晶n型半导体基板(1)；n型外延膜层(2)，形成于单晶n型半导体基板的表面，具有凹部(50)及凸部(51)；阴极电极(6)，形成于单晶n型半导体基板的与表面相反一侧的面；绝缘膜(4)，形成于凸部的顶部(512)的第一区域(57)；p型薄膜层(3)，形成于绝缘膜及n型外延膜层的表面，在与n型外延膜层之间形成pn结；以及阳极电极(5)，至少一部分形成于p型薄膜层的表面，一部分贯通p型薄膜层及绝缘膜，在与顶部的边缘部(513)之间被第一区域隔开的第二区域(56)在与n型外延膜层之间，形成肖特基结。
电力半导体装置

[发明专利]氧化物半导体装置以及氧化物半导体装置的制造方法-CN201880040851.5有效
发明人： 汤田洋平;绵引达郎;古川彰彦 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：提供一种氧化物半导体装置以及氧化物半导体装置的制造方法，在抑制异种材料向肖特基界面扩散的同时，提高被施加反向电压时的耐压。氧化物半导体装置具备：n型的氧化镓外延层(2)；p型的氧化物半导体层(5)，是与氧化镓外延层的材料不同的材料的氧化物；电介体层(7)，以覆盖氧化物半导体层的侧面的至少一部分的方式形成；阳极电极(4)；以及阴极电极(3)，在氧化物半导体层的下表面与氧化镓基板(1)之间或者氧化物半导体层(5a)的下表面与氧化镓外延层(2)之间形成异质pn结。
氧化物半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201780040477.4有效
发明人： 汤田洋平;绵引达郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：即使在n型氧化物半导体中设置p型氧化物半导体作为终端结构，也防止p型氧化物半导体被n型氧化物半导体的氧所氧化。半导体装置(10)，其具备：n型氧化镓基板(1)；与n型氧化镓基板1接合的阳极电极(3)；和设置于n型氧化镓基板(1)的阴极电极(2)，使电流经由在阳极电极(3)与阴极电极(2)之间设置的n型氧化镓基板(1)在阳极电极(3)与阴极电极(2)之间流动，其特征在于，具备：与将阳极电极(3)与n型氧化镓基板(1)接合的接合部邻接地设置的p型氧化物半导体层(4a)；和在p型氧化物半导体层4a与n型氧化镓基板(1)之间所设置的氮化物层(7)。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201980092982.2在审
发明人： 汤田洋平;绵引达郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：目的在于提供能够提高半导体装置的电气特性的技术。半导体装置是设置有半导体元件的半导体装置，具备：n型单晶氧化镓层，具有第一主面；电极，是半导体元件的电极，配设于n型单晶氧化镓层的第一主面上或第一主面上方；p型氧化物半导体层，配设于n型单晶氧化镓层与电极之间；以及非晶氧化镓层，配设于n型单晶氧化镓层与p型氧化物半导体层之间。
半导体装置

[发明专利]氧化物半导体装置及其制造方法-CN201980048435.4在审
发明人： 汤田洋平;绵引达郎;宫岛晋介;滝口雄贵 -专利权人：三菱电机株式会社;国立大学法人东京工业大学
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：目的在于提供可抑制氧化物半导体装置的特性劣化的技术。氧化物半导体装置具备：n型氧化镓外延层、p型氧化物半导体层和氧化物层。p型氧化物半导体层在n型氧化镓外延层的上方配设，具有与镓不同的元素作为主成分，具有p型的导电性。氧化物层在n型氧化镓外延层与p型氧化物半导体层之间配设，氧化物层的材料为与氧化镓不同的材料并且为与p型氧化物半导体层的材料至少一部分不同的材料。
氧化物半导体装置及其制造方法

[发明专利]电力用半导体装置-CN201780085464.9在审
发明人：绵引达郎;汤田洋平;古川彰彦;宫岛晋介;滝口雄贵 -专利权人：三菱电机株式会社;国立大学法人东京工业大学
申请日： 2017-02-14 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：n型半导体层(1a)具有单晶构造，包括宽带隙半导体材料。p型半导体层(4A)设置于n型半导体层(1a)上，包括与上述宽带隙半导体材料不同的材料，具有微晶构造以及非晶质构造中的任意种。电极(3)设置于n型半导体层(1a)以及p型半导体层(4A)中的至少某一个上。
宽带隙半导体材料电力用半导体装置非晶质电极单晶微晶

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