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[发明专利]光电检测装置和电子设备-CN202280009231.1在审
发明人：守屋雄介;山本笃志;汤川富之;西村光太郎;池原成拓;大谷翔吾;加藤宽 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及一种光电检测装置和电子设备，其允许减少来自片上微透镜的表面反射并抑制图像质量的劣化。提供了一种光电检测装置，其包括：多个像素，其具有光电转换单元；片上微透镜，其以与各个所述像素相对应的方式形成；和防反射膜，其形成在所述片上微透镜的表面上，所述防反射膜通过使第一无机膜和第二无机膜层叠构成，所述第一无机膜由金属氧化物膜形成，所述第二无机膜形成在所述第一无机膜的表面上并且具有比所述第一无机膜更低的折射率。例如，本公开可以应用于CMOS固态摄像装置。
光电检测装置电子设备

[发明专利]摄像装置-CN202280013588.7在审
发明人：关口浩司;横地界斗;小笠原隆行;池原成拓;山根千种;小林秀树;齐藤广志 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2022-02-04 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了能够进一步抑制像素之间的混色的摄像装置。该摄像装置包括：半导体基板，在所述半导体基板中对应于呈二维排列的像素各者分别设置有光电转换部；彩色滤光片，其在所述半导体基板上对应于各个所述像素而分别设置着；中间层，其设置于所述半导体基板与所述彩色滤光片之间；和低折射区域，其以至少将所述彩色滤光片及所述中间层按照各个所述像素进行分离的方式被设置在所述像素之间，并且所述低折射区域具有比所述彩色滤光片的折射率低的折射率。
摄像装置

[发明专利]摄像元件和摄像装置-CN202280013267.7在审
发明人：高桥洋;池原成拓;饭岛匡 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2022-01-31 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：根据本发明，布置在像素中的多个光电转换部彼此分离。本发明的摄像元件包括像素、溢流路径、像素分离部、像素分离电极、像素内分离部以及像素内分离电极。所述像素包括形成于半导体基板中且对来自被摄体的入射光进行光电转换从而生成电荷的多个光电转换部，所述半导体基板的正面侧上设置有配线区域。所述溢流路径使电荷在所述多个光电转换部之间相互传输。所述像素分离部布置在所述像素的边界处。所述像素分离电极布置在所述像素分离部中，且所述像素分离电极被施加有第一偏置电压。所述像素内分离部将所述多个光电转换部相互分离。所述像素内分离电极布置在所述像素内分离部中，且所述像素内分离电极被施加有第二偏置电压。
摄像元件装置

[发明专利]摄像装置及其制造方法和电子装备-CN202080076029.1在审
发明人：吉本奈绪;宫波勇树;池原成拓 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：[技术问题]为了抑制噪声、混色等。[技术方案]摄像设置有：半导体基板；光电转换单元，设置在半导体基板上并通过光电转换产生对应于受光量的电荷；电荷保持单元，设置在与光电转换单元相关的半导体基板的第一表面侧，并保持从光电转换单元传输的电荷；电荷传输单元，将电荷从光电转换单元传输到电荷保持单元；垂直电极，用于将光电转换单元产生的电荷传输到电荷传输单元，垂直电极设置在半导体基板的深度方向上；以及第一光控制件，设置在比垂直电极更靠近与半导体基板的第一表面相反的第二表面的一侧，在从第一表面的法线方向俯视半导体基板时，第一光控制部设置在与垂直电极重叠的位置，并在基板的深度方向具有T形截面。第一光控制件包括为一体结构且在相互交叉的方向上延伸的第一光控制部和第二光控制部。
摄像装置及其制造方法电子装备

[发明专利]受光元件和电子装置-CN201880077750.5在审
发明人：万田周治;松本良辅;斋藤卓;池原成拓;山口哲司;丸山俊介 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：根据本公开的一个实施例的第一受光元件设有：多个像素；光电转换单元，其设置为相对所述多个像素的共用层，并且包括化合物半导体材料；以及第一电极层，其设置在所述光电转换单元的光入射表面侧上的所述多个像素之间，并且具有遮光性。
元件电子装置