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[发明专利]晶体生长装置及方法、KDP类晶体-CN202210852244.7有效
发明人：周成;何亮;李建敏;毛伟;张存新;徐云飞;雷琦;罗鸿志;李小平;刘亮;甘胜泉;熊仁根 -专利权人： 江西新余新材料科技研究院
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：本发明公开一种晶体生长装置和方法、KDP类晶体，晶体生长装置包括保温箱、第一水槽、第二水槽、生长室；保温箱限定出容纳腔；第一水槽、第二水槽和生长室设置在容纳腔中，第一水槽全部或部分包围在生长室的侧面；第二水槽设置在生长室的底部；第一水槽和第二水槽设置有进水口和出水口；生长室的上端面或生长室和第一水槽的上端面设置保温盖。本发明通过对双水槽的控温方式，使得整体温度控制的更加平稳，降低晶体过程中缺陷产生，提高了晶体质量。
晶体生长装置方法 kdp 晶体

[发明专利]密封组件和晶体生长设备-CN202310023480.2在审
发明人：周成;张存新;何亮;毛伟;李建敏;徐云飞;雷琦;罗鸿志;李小平;刘亮;甘胜泉;熊仁根;廖伟强 -专利权人： 江西新余新材料科技研究院
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种密封组件和晶体生长设备，密封组件包括第一密封件和第二密封件，第一密封件适于密封连接于开孔的周壁，且第一密封件限定出插配腔和连通腔，连通腔的顶部敞开设置，连通腔的底部与开孔连通，插配腔为环形且环绕连通腔设置，插配腔的顶部敞开设置，插配腔内适于盛放密封液体，第二密封件包括彼此相连的插配部和安装部，插配部为环形且插配于插配腔，插配部的下端适于伸入密封液体，安装部设于插配腔的上侧且用于封闭插配部，安装部用于安装功能组件。根据本发明的密封组件，结构简单、装配方便，且可以实现能相对生长室运动的功能组件的可靠密封安装。
密封组件晶体生长设备

[发明专利]顶盖组件、晶体生长设备及晶体生长方法-CN202310023407.5在审
发明人：周成;毛伟;张存新;徐云飞;雷琦;罗鸿志;李小平;刘亮;甘胜泉;熊仁根;廖伟强 -专利权人： 江西新余新材料科技研究院
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C30B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种顶盖组件、晶体生长设备及晶体生长方法，晶体生长设备具有盛放腔，顶盖组件盖设于盛放腔的顶部，且包括顶盖、搅动结构和籽晶安装结构，顶盖具有间隔设置的多个安装部，多个安装部包括第一安装部和第二安装部，搅动结构安装于第一安装部，且用于搅动盛放腔内的溶液，籽晶安装结构安装于第二安装部，且用于安装籽晶。根据本发明的顶盖组件，可以提高籽晶附着生长稳定性，打破因籽晶运动而对籽晶投放量的限制，保证生产效率。
顶盖组件晶体生长设备方法

[发明专利]一种铁电单晶体薄片的制备方法及铁电单晶体薄片-CN202211092768.7在审
发明人：周成;张存新;何亮;李建敏;毛伟;徐云飞;雷琦;罗鸿志;李小平;刘亮;熊仁根 -专利权人： 江西新余新材料科技研究院
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H10N30/088 文献下载
摘要：本发明公开一种铁电单晶体薄片的制备方法及铁电单晶体薄片，涉及压电材料技术领域，本发明的制备方法包括：步骤一：将铁电单晶体切割成厚度为100μm以上的第一晶片；步骤二：将切割后的所述第一晶片放入第一溶液中清洗；所述第一溶液不与所述第一晶片发生反应，且能去除所述第一晶片表面的沾污；步骤三：将清洗后的所述第一晶片放入第二溶液中进行减薄；得到减薄后的第二晶片；步骤四：将减薄后的所述第二晶片在10秒内从所述第二溶液中取出，再次放入所述第一溶液中清洗后并晾干；由此得到铁电单晶体薄片。本发明通过制备提供厚度在20‑50μm的单晶薄片，有效解决了铁电单晶体的应用瓶颈。
一种单晶体薄片制备方法

[发明专利]一种铁电单晶体复合薄片的制备方法及复合薄片-CN202211092648.7在审
发明人：周成;张存新;何亮;李建敏;毛伟;徐云飞;雷琦;罗鸿志;李小平;刘亮;熊仁根 -专利权人： 江西新余新材料科技研究院
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H10N30/073 文献下载
摘要：本发明公开一种铁电单晶体复合薄片的制备方法及复合薄片，涉及压电材料技术领域，制备方法包括以下步骤：将铁电单晶体切割为第一晶块；将第一晶块放入第一溶液中清洗；将第一晶块放入模具中，模具为顶部开口的柱状体，模具内形成有容纳空间，将第一晶块间隔排列放入模具的容纳空间内；将粘胶剂注入到模具的容纳空间中，以将第一晶块凝固结合在一起形成第二复合晶块；待第二复合晶块凝固后，将第二复合晶块从模具中分离出来；将第二复合晶块切割得到铁电单晶体复合薄片。由此制备得到各种尺寸的铁电单晶体复合薄片，其尺寸可控且压电性良好，可使得铁电单晶体更加适用于商业化的需求，使其应用更加广泛。
一种单晶体复合薄片制备方法

[发明专利]判断铸造单晶硅中晶界角度偏差的方法和检测装置-CN202210571777.8在审
发明人：雷琦;何亮;甘胜泉;邹贵付;王文平 -专利权人：新余赛维铸晶技术有限公司;江西新余新材料科技研究院
申请日： 2022-09-18 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G01B11/26 文献下载
摘要：本发明公开一种判断铸造单晶硅中晶界角度偏差的方法和检测装置，涉及晶体生长技术领域，判断方法包括：对100生长晶向的铸造单晶硅锭进行切割，切割方向垂直于铸造单晶硅锭的凝固方向，切割得到单晶样品；对单晶样品进行腐蚀或光致发光测试，并获取得到单晶样品的腐蚀图片或光致发光的图片；识别图片中的晶界；识别晶界两侧的微孪晶；判断并计算得到晶界的角度偏差θ。本发明的判断方法简单方便，准确率高，可在实际生产中应用，能有效用于研发的指导。
判断铸造单晶硅中晶界角度偏差方法检测装置

[发明专利]晶体的切割方法和压电晶片-CN202210894971.X在审
发明人：张存新;周成;何亮;刘亮;李建敏;毛伟;肖光伟;甘胜泉;熊仁根 -专利权人： 江西新余新材料科技研究院
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体的切割方法和压电晶片，切割方法包括以下步骤：S1、将待切割晶体置于模具的灌胶空间内，灌胶空间的顶部形成有与灌胶空间连通的灌胶口；S2、向灌胶空间内灌胶，以使胶体填充在待切割晶体和灌胶空间的壁面之间，且胶体没过待切割晶体；S3、待胶体固化后脱模，待切割晶体和胶体形成为待切割件，待切割件的其中一侧表面形成为固定面；S4、切割装置包括固定组件和切割组件，固定组件与待切割件的固定面固定，切割组件对待切割件进行切割。根据本发明的晶体的切割方法，便于使得待切割晶体间接满足切割装置的材料硬度以及固定要求，提高切割良品率。
晶体切割方法压电晶片

[发明专利]晶体生长装置及方法、TGS类晶体-CN202210852486.6在审
发明人：周成;何亮;李建敏;毛伟;张存新;徐云飞;雷琦;罗鸿志;李小平;刘亮;甘胜泉;熊仁根 -专利权人： 江西新余新材料科技研究院
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：本发明公开一种晶体生长装置和晶体生长方法、TGS类晶体，晶体生长装置包括水槽、生长室、籽晶杆和籽晶；水槽为环形槽体，水槽全部或部分包围住生长室的侧部和底部；水槽的侧面和/或水槽的上端面设置进水口和出水口；生长室的上端面和/或水槽的上端面设置有保温盖；籽晶粘接在籽晶杆的下端，籽晶杆可进出生长室；籽晶杆上设置有传热介质进口和传热介质出口。本发明通过对水槽和籽晶杆双向控温，使得籽晶生长处的温度及过冷度可根据晶体生长特性进行调整，从而使得在籽晶生长过程中整体更加适宜晶体生长，降低晶体生长过程中缺陷的产生，提高了晶体质量。
晶体生长装置方法 tgs 晶体

[发明专利]一种籽晶的铺设方法、单晶硅锭的铸造方法和单晶硅片-CN202010027396.4有效
发明人：雷琦;何亮;邹贵付;程小娟;陈仙辉;甘胜泉 -专利权人：新余赛维铸晶技术有限公司;江西新余新材料科技研究院
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本申请提供了一种籽晶的铺设方法，包括：提供坩埚、多个第一籽晶和多个第二籽晶，所述第一籽晶和所述第二籽晶的生长面为同一晶向族，均为100；在所述坩埚底部交替拼接铺设所述第一籽晶和所述第二籽晶，形成籽晶层，其中，所述籽晶层包括至少一个2×2矩阵单元，在同一矩阵单元的对角线方向上的两个第一籽晶的生长面晶向相反，在同一矩阵单元的对角线方向上的两个第二籽晶的生长面的晶向相反，所述第一籽晶和所述第二籽晶的侧面晶向具有夹角。通过本申请提供的籽晶铺设方法，使得籽晶与其周围籽晶之间侧面晶向均存在夹角，在制备单晶硅过程中可以形成晶界，减少缺陷的发生和引晶时的位错源，降低位错密度，提高硅锭的质量。
一种籽晶铺设方法单晶硅铸造

[发明专利]一种判断单晶硅片侧面晶向偏转角度的方法-CN202111526876.6在审
发明人：雷琦;何新根;程小娟;李小平;何亮;邹贵付;王文平;甘胜泉 -专利权人： 江西新余新材料科技研究院;赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开一种判断单晶硅片侧面晶向偏转角度的方法，涉及晶体生长技术领域，包括：将单晶硅片按照其解理面破裂；选择破碎的单晶硅片的断裂面，断裂面包含至少一个直角的端面角度，且断裂面的一个边缘面为单晶硅片的边缘面；量测断裂面中单晶硅片的边缘面与其相邻端面之间的夹角α；判断单晶硅片的侧面晶向偏转角度θ。本发明还公开了一种判断籽晶的侧面晶向的加工偏差的方法，该籽晶为铸造单晶硅锭用籽晶。与现有技术相比，本发明采用简单的角度尺即可测量得到单晶硅片的侧面晶向偏转角度以及基础籽晶之间的侧面晶向的加工偏差，这两种方法都简单方便，准确度高，适合规模化生产中的应用。
一种判断单晶硅侧面偏转角度方法

[发明专利]铸锭单晶硅块的质量判定方法和铸锭单晶硅块-CN202110976805.X在审
发明人：罗鸿志;何亮;李建敏;张细根;范立峰;徐云飞;甘胜泉 -专利权人：赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司;江西新余新材料科技研究院
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： G01N21/63 文献下载
摘要：本发明公开了一种铸锭单晶硅块的质量判定方法和铸锭单晶硅块，其步骤包括：（1）将铸锭单晶硅块的头部统一去除30‑60mm左右；（2）利用光致发光测试仪测量铸锭单晶硅块的头部端面的光致发光测试图片，并计算得到光致发光测试图片的黑丝面积比例值DS；（3）测量并计算铸锭单晶硅块的端面面积S；（4）建立黑丝生长计算模型，确定硅块去除长度L与预设端面黑丝面积比例值DL的关系式L（DL,⍺），其中，⍺为位错生长角度；（5）根据预设端面黑丝面积比例值DL和关系式L（DL,⍺），计算得到硅块去除长度L的值；（6）根据硅块去除长度L的值进行铸锭单晶硅块的头部去除。该方法通过将光致发光测试结合铸锭单晶硅锭的生长特性，提出一种全新的铸锭单晶硅块头部不同黑丝比例的去除方式。
铸锭单晶硅质量判定方法

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