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- [实用新型]一种模块健合治具-CN202223422417.6有效
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王丙国
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江苏索力德普半导体科技有限公司
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2022-12-19
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2023-08-15
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H01L21/683
- 本实用新型属于模块加工技术领域，尤其是一种模块健合治具，针对现有的的问题，现提出如下方案，包括底座、挤压组件和压板，所述底座的顶部一侧设置有挤压组件，挤压组件的底端安装有压板，且压板的底部与底座相互滑动连接；用于对工件进行支撑的底座，其顶部设置有吸盘，吸盘的顶端安装有多个吸附筒；用于对工件进行遮挡的压板中心处开设有矩形孔，且矩形孔顶部相互对称的两侧边贴合设置有封闭板。本实用新型具有能够通过遮挡降低吸盘顶部污染物的积累、方便进行清理和针对性的更换，避免整体式的更换的优点。
- 一种模块健合治具
- [实用新型]一种功率模块pin针正装夹具-CN202223594570.7有效
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张鹏
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江苏索力德普半导体科技有限公司
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2022-12-31
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2023-08-15
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B23K3/08
- 本实用新型公开了一种功率模块pin针正装夹具，包括铜板，铜板内部开设有第一定位孔；限位结构，限位结构用于对铜板、中间板和顶板进行固定，且限位结构转动连接于铜板的外壁；中间板，中间板内部开设有第二定位孔，所述中间板内部的内侧开设有第一放针孔；顶板，顶板顶部的两侧开设有限位槽，所述顶板内部开设有第三定位孔。本实用新型通过中间板，中间板设有第一放针孔，顶板内的导向槽制作为圆台形，在将pin针本体放入DBC上后，Pin针本体尖头通过30°倒角更易进入顶板，倒角上方为第二放针孔留有0.1mm宽度，当pin针本体位置发生偏离，保证pin针本体能准确进入第二放针孔，给第二放针孔留有5mm长度，保证pin针本体能够通过该夹具固定。
- 一种功率模块pin针正装夹具
- [发明专利]一种阳极短路沟槽RC-IGBT器件及制备方法-CN202310008641.0在审
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王万;李娜
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江苏索力德普半导体科技有限公司
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2023-01-04
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2023-07-11
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H01L29/739
- 本发明公开了一种阳极短路沟槽RC‑IGBT器件，其技术方案漂移区N‑drift，漂移区N‑drift设置在RC‑IGBT器件的背面；P+掺杂区域，所述P+掺杂区域设置在RC‑IGBT器件的背面；沟槽若干，所述沟槽开设在RC‑IGBT器件的背面，若干所述沟槽相互平行布置，所述沟槽穿过P+掺杂区域，将P+掺杂区域分隔成若干段；N+掺杂区域，所述N+掺杂区域设置在沟槽的尾端，N+掺杂区域将相邻的两个P+掺杂区域连接；电极collector，在RC‑IGBT器件的背面的边缘淀积金属形成电极collector，电极collector位于P+掺杂区域外侧，本发明的优点在于器件背面沟槽底部注入杂质形成N+掺杂区域，且沟槽穿过P+掺杂区域，淀积金属后两个掺杂区域通过金属短接构成RC‑IGBT结构，起到反向导通作用，同时提高IGBT注入效率，降低IGBT导通压降。
- 一种阳极短路沟槽rcigbt器件制备方法
- [实用新型]一种便于Pin针正装的夹具-CN202223420842.1有效
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戴鑫宇
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江苏索力德普半导体科技有限公司
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2022-12-16
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2023-06-13
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B23K37/04
- 本实用新型涉及一种便于Pin针正装的夹具，包括工作台，所述工作台的内部设有用于转动的第二齿轮，所述第二齿轮的顶面两侧均设有凹槽，且第二齿轮顶面两侧的凹槽内均设有用于移动的滑块。在实际工作中，通过马达带动第二螺纹杆转动，便会带动多个移动块与夹持杆进行移动，故而便会推动夹持板配合固定管，同时将多个pin针进行夹持固定，当焊接结束后，再次通过马达带动第二螺纹杆反向转动，便会使多个移动块带动多个夹持板移动，进而能够同时松开多个pin针，便于同时将多个焊接完成的pin针取出，通过夹持盒，能够同时将多个pin针取出，则能够省去依次拆卸夹具取出pin针的时间，从而能够有效地提高后续pin针焊接的效率。
- 一种便于pin针正装夹具
- [实用新型]翘曲基板校正治具-CN202223409080.5有效
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王丙国
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江苏索力德普半导体科技有限公司
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2022-12-19
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2023-06-13
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B21D1/00
- 本实用新型公开了翘曲基板校正治具，具体涉及基板展平领域，包括校正治具主体，其特征在于，包括，校正治具主体，由校正基座、支撑底座和校正架组成，且支撑底座和校正架的中部均开设有方形孔；校正放置板，位于校正架的内部，且校正放置板上端的中部设有放置抵块，校正放置板上端的两侧设有两个DBC基板限位凸块。本实用新型在实际使用中时，通过设置的校正放置板、DBC基板限位凸块、放置抵块和顶部抵块的对应设置状态下能够方便对DBC基板进行放置、夹紧稳定，同时增加DBC基板放置翘曲处理的稳定性，同时通过在校正放置板和校正架对应设置的校正组件，能够在DBC基板出现上翘曲和下翘曲时都能通过设置的矫正组件对其进行平整处理。
- 翘曲基板校正
- [实用新型]一种钢嘴清洗治具-CN202223408177.4有效
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王丙国
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江苏索力德普半导体科技有限公司
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2022-12-19
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2023-06-13
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B08B3/12
- 本实用新型公开了一种钢嘴清洗治具，具体涉及治具清理领域，包括钢嘴清洗架主体，包括，钢嘴清洗架主体，由两个握把、两个调节杆、第一连接件和第二连接件组成；适配调节杆，位于第一连接件和第二连接件的上端，且其端面开设有多个限位孔，两个调节杆的下侧端面开设有螺纹固定孔，通过设置的锁紧螺母将调节杆与适配调节杆相连接。本实用新型在实际使用中时，通过设置的橡胶垫块、凹形限位卡孔和凸形卡块的对应设置状态下能够方便对Wedge楔形劈刀进行夹紧固定，从而增加Wedge楔形劈刀清洗时的稳定性，同时通过设置的限位凸块、凹形滑槽和限位滑槽的对应设置状态下能够方便对横向调节杆和横向连接杆进行插接固定。
- 一种清洗
- [实用新型]一种同轴信号端子及功率模块-CN202223421173.X有效
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张若鸿
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江苏索力德普半导体科技有限公司
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2022-12-16
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2023-06-09
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H01R13/02
- 本实用新型公开了一种同轴信号端子及功率模块，具体涉及半导体器件技术领域，包括陶瓷覆铜板，所述陶瓷覆铜板的顶面一侧设有两个用于连接的第一主端子，所述陶瓷覆铜板的顶面靠近第一主端子的一侧设有用于连接的第二主端子。本实用新型所述的一种同轴信号端子及功率模块，在实际工作中，通过外导体与内导体能够组成信号回路，功率模块的主回路电流通过连接板，外导体，以及连接块的相互配合，形成回路，能够减少信号端子的回路电感，通过限位槽与限位孔，能够辅助工作人员对同轴信号端子本体进行安装，通过外导体与内导体组成信号回路以及连接块与连接板以及外导体，形成回路，从而便能够减小信号端子的回路电感，以及减少信号的电磁干扰。
- 一种同轴信号端子功率模块
- [发明专利]一种短拖尾电流IGBT器件及制备方法-CN202310008763.X在审
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王万;李娜
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江苏索力德普半导体科技有限公司
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2023-01-04
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2023-03-21
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H01L21/331
- 本发明公开了一种短拖尾电流IGBT器件的制备方法，技术方案包括以下步骤：步骤S1、沟槽栅IGBT进行基础加工，沟槽栅IGBT的背面形成N‑drift区域；步骤S2、第一次离子注入，向沟槽栅IGBT的背面注入杂质一，经过退火激活杂质一，并推阱在N‑drift一侧形成N+掺杂区域；步骤S3、第二次离子注入，沟槽栅IGBT的背面生长氧化层，通过光刻工艺及刻蚀工艺在氧化层上打开窗口，注入杂质二，杂质二只会通过打开的窗口注入到沟槽栅IGBT的背面，经过退火激活杂质二，形成中间隔分布的P+掺杂区域；步骤S4、沟槽栅IGBT背面的P+掺杂区域的外侧淀积金属，形成背面集电极collector，本发明的优点在于在减小集电极空穴注入的同时保证良好的欧姆接触，保证IGBT器件顺利运行。
- 一种短拖尾电流igbt器件制备方法
- [发明专利]一种高压快恢复二极管的制备方法-CN202310009142.3在审
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李娜;王万
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江苏索力德普半导体科技有限公司
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2023-01-04
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2023-03-14
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H01L21/329
- 本发明公开了一种高压快恢复二极管的制备方法，其技术方案包括以下步骤：步骤S1，晶圆选用N‑Sub衬底；步骤S2，晶圆正面生长一层的厚氧化层；步骤S3，晶圆的阳极光刻和湿法刻蚀，第一次B离子注入，第一次退火处理，第二次B离子注入，第二次退火处理；步骤S4，晶圆的阳极P区及终端Ring区上生长TEOS，进行回流；步骤S5，晶圆的接触孔区域光刻和湿法腐蚀；步骤S6，晶圆正面淀积金属铝，形成阳极电极；步骤S7，晶圆正面淀积并固化聚酰亚胺，进行光刻和湿法刻蚀；步骤S8，晶圆减薄处理对背面进行N+注入，进行真空激活；步骤S9，晶圆背面电极生长，本发明优点是保证足够的反向耐压及反向恢复时间的基础上成功的避免寿命控制法导致二极管正向导通压降升高。
- 一种高压恢复二极管制备方法
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