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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种晶闸管制造工艺-CN202310979204.3在审
发明人：陈建平;王建辉 -专利权人： 江苏威斯特整流器有限公司
申请日： 2023-08-05 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/332 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶闸管制造工艺，包括如下步骤：硅片套圆、硅片超砂、硅片清洗、一扩、氧化、一刻、扩磷、一蒸、烧结、倒角、管芯清洗、二蒸、二刻、合金、磨角、腐蚀保护、中测、封装以及测试；本发明重新调整了合金温度、烧结温度、氧化工艺以及倒角工艺，可以降低晶闸管制造的次品率，提高使用中的稳定性与耐用性。
一种晶闸管制造工艺

[发明专利]一种整流管的制造工艺-CN202310715375.5在审
发明人：陈建平;束红平 -专利权人： 江苏威斯特整流器有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种整流管的制造工艺，其特征在于，包括如下步骤：扩散片选用、硅片套圆、硅片清洗、铝硅片、铝条的清洗、钼片清洗、烧结、倒角、管芯清洗、蒸金、合金、磨角、旋转腐蚀、中测及辐照以及封装；本发明制定的工艺步骤对组成管芯的各部件与封装做了详细的说明与工艺要求，并对钼片的阳极面与硅片的阴极面蒸镀金膜制定了工艺要求，钼片与硅片上设置了金膜后导电率增强，从而可以提升整流管的导电率与使用寿命。
一种整流管制造工艺

[实用新型]大电流快恢复整流二极管-CN201120185826.1有效
发明人：陈建平 -专利权人： 江苏威斯特整流器有限公司
申请日： 2011-06-03 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型涉及快恢复整流二极管，特别是大电流的快恢复整流二极管。本实用新型提供一种大电流(ZK7000A)快恢复整流二极管，芯片由硅基片N区1，硅基片P区2和钼片3组成，其特征在于：芯片的直径为48mm。为了达到更好的效果，芯片还有硅基片蒸发金膜层4和硅基片N区1相连，钼片蒸发金膜层5和钼片4相连。硅基片蒸发金膜层4和钼片蒸发金膜层5都是镀接。本实用新型从而从而提供了体积小的大电流(ZK7000A)快恢复整流二极管，芯片的直径从原来的101mm降到了48mm。
电流恢复整流二极管

[发明专利]一种大电流(ZK7000A)快恢复整流二极管的生产方法-CN201110148557.6有效
发明人：陈建平 -专利权人： 江苏威斯特整流器有限公司
申请日： 2011-06-03 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：被发明提供一种大电流(ZK7000A)快恢复整流二极管的生产方法，其主要工艺步骤如下：硅片清洗、三氯氧磷扩散、单面磨片、扩硼、套片、硅片蒸铝、钼元蒸金、烧结、芯片蒸金、合金、磨角、腐蚀、保护、电子辐照、退火。通过此生产方法，生产出体积小，元件的直径达到国内最小的(Φ48mm)，元件的厚度(结片0.2mm)，压降小而电流容量达7000A的快恢复整流二极管。
一种电流 zk7000a 恢复整流二极管生产方法

[实用新型]一种大功率双向晶闸管-CN200720034458.4无效
发明人：陈建平 -专利权人： 江苏威斯特整流器有限公司
申请日： 2007-02-13 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：一种大功率双向晶闸管，由两只反向并联的普通晶闸管组成，其特征在于：所述的晶闸管的两个普通晶闸管之间有隔离区(1)，基片N型上有通过扩散形成表面浓度即门极N2、N3、N4且形成P₁N₁P₂N₂结与P₂N₁P₁N₃结，N型扇形展开后有一角度θ，门极N2、N3、N4上还在蒸铝层(2)。采用本实用新型的大功率双向晶闸管，由于增大了元件中两只晶闸管隔离区之间的距离，使换向过程中P₁N₁P₂N₂晶闸管基区中的载流子尽量少地扩散到P₂N₁P₁N₃晶闸管的基区，反之亦然，减弱了两只晶闸管在换向时的相互影响而造成换向失败，从而提高器件的换向能力(dv/dt)_c，使晶闸管的电流容量从800A提高到1200A。
一种大功率双向晶闸管

[发明专利]一种大功率双向晶闸管的生产方法-CN200710020320.3无效
发明人：陈建平 -专利权人： 江苏威斯特整流器有限公司
申请日： 2007-02-13 - 公布日： 2007-11-07 - 主分类号： H01L21/332 文献下载
摘要：一种大功率双向晶闸管的生产方法，其主要工艺步骤为：硅片超砂、硼铝乳胶源扩散、化抛、机抛、氧化、光刻、三氯氧磷扩散、烧结、反刻、合金、表面磨角、腐蚀、保护。本发明(1)采用化学抛光的方法使P₂N₁P₁N₃的晶闸管反向表面浓度注入比扩大为10⁴，而P₁N₁P₂N₂的反向注入比在10³；(2)增大了元件中两只普通晶闸管之间隔离区之间的距离，使换向过程中P₁N₁P₂N₂晶闸管基区中的载流子尽量少地扩散到P₂N₁P₁N₃晶闸管的基区，反之亦然，减弱了两只晶闸管在换向时的相互影响而造成换向失败，从而提高器件的换向能力(dv/dt)_c；(3)改善钼、铝、硅之间的沾润，提高了器件电流的容量。
一种大功率双向晶闸管生产方法

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