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[发明专利]一种具有宽谱增益的多段量子阱InP基外延片-CN202310869961.5在审
发明人：王岩;徐鹏飞 -专利权人： 江苏华兴激光科技有限公司;无锡华兴光电研究有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有宽谱增益的多段量子阱InP基外延片，涉及半导体放大器激光器技术领域，其技术方案要点包括InP衬底，在所述InP衬底上依次外延生长InP缓冲层、n‑InP限制层、n‑lGaInAs渐变波导层、多段隧穿MQW有源层、p‑AlGaInAs渐变波导层、p‑InGaAsP腐蚀停止层、p‑InP限制层和p‑InGaAsP/InGaAs接触层，效果是通过AlGaInAs/InP多段隧穿MQW有源层实现超宽增益谱，该结构可用于大带宽可调激光器，宽谱自发辐射光源，相控阵激光雷达发射光源等；特点是结构紧凑，不需要多管拼接，就可实现超大带宽。
一种具有增益量子 inp 外延

[发明专利]一种窄线宽垂直腔面发射激光器-CN202310872923.5在审
发明人：王岩;徐鹏飞 -专利权人： 江苏华兴激光科技有限公司;无锡华兴光电研究有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种窄线宽垂直腔面发射激光器，涉及光电技术领域，其技术方案要点包括激光器顶端、接触层、上DBR层、氧化限制层、有源区、衬底层、下DBR层和下金属层，激光器顶端包括氧化铝出光窗口区，氧化铝出光窗口区由高铝组分外延层湿氧氧化获得；本发明提出一方面在氧化铝出光窗口区引入高铝组份，在湿氧氧化步骤中，使其变成Al2O3而实现增透作用，另一方面通过将下DBR层制作在衬底层下方，从而大幅度增加腔长，加强激光相干性，实现窄线宽，使得该激光器有利于在原子钟等领域应用。
一种窄线宽垂直发射激光器

[发明专利]一种2～3μm红外波段雪崩光电探测芯片外延片-CN202310825751.6在审
发明人：王岩;徐鹏飞 -专利权人： 江苏华兴激光科技有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种2～3μm红外波段雪崩光电探测芯片外延片，涉及半导体光电子器件技术领域，包括衬底，衬底为InP衬底层；InP衬底层之上为异变缓冲层；异变缓冲层之上为应变吸收层；应变吸收层之上为过渡层；过渡层之上为电荷层；电荷层之上为盖层。本发明主要针对2～3μm红外波段探测，在传统的红外雪崩探测器基础上进行调整，使传统红外雪崩探测器的波长响应波段范围拓展至2～3um，由于具有内部增益，可以开拓高灵敏度红外探测领域。
一种红外波段雪崩光电探测芯片外延

[发明专利]一种红外拓展波长光探测器芯片外延片结构-CN202310825749.9在审
发明人：王岩;徐鹏飞 -专利权人： 江苏华兴激光科技有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外拓展波长光探测器芯片外延片结构，属于半导体光电子器件技术领域；本发明包括InP衬底层、InP缓冲层、InGaAs吸收层、InGaAsP过渡层、InP电荷层和InP盖层；本发明主要针对1650‑1700 nm波段气体特征峰的探测，在传统的红外雪崩探测器基础上将无应变InGaAs吸收层设计成应变InGaAs吸收层，使传统红外雪崩探测器的波长响应范围往长波段拓展，且具有内部增益，从而提高气体探测的灵敏度。
一种红外拓展波长探测器芯片外延结构

[发明专利]一种测量半导体材料宽波段电致发光光谱的方法-CN202310825750.1在审
发明人：王岩;徐鹏飞 -专利权人： 江苏华兴激光科技有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G01N21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量半导体材料宽波段电致发光光谱的方法，涉及半导体光电子学和半导体光学技术领域，通过设计一种宽波段的电致发光测试系统，可以得到半导体材料的电致发光峰位信息，并可以由此推断出其能带带隙，从而评判半导体外延材料的优劣，传统的电致发光测试系统，光路复杂，信噪比低，本方案设计的方案结合锁相放大技术和光纤收光技术，可以得到高信噪比的电致发光光谱，本方案设计的方案避免了传统电致发光系统需要制备电极的问题，利用金属探针直接注入电流，使用的光路和测试方法搭建简单，易操作，且价格相对于现有的测试设备低廉。
一种测量半导体材料波段电致发光光谱方法

[发明专利]一种微纳结构及其制备方法-CN202211425238.X有效
发明人：王岩;徐鹏飞 -专利权人： 江苏华兴激光科技有限公司;无锡华兴光电研究有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种微纳结构及其制备方法，涉及微纳光学技术领域，目的在于提供一种简化光刻工艺中各步骤的实现方式、提高光刻效率和抗蚀液去除效果的微纳结构及其制备方法，其技术要点是涉及该微纳结构制备方法的制造设备，制造设备包括用于加热晶圆片的加热系统、用于刻蚀电路图案的光照系统、用于清洗抗蚀剂的显影腔和用于带动承片台在加热系统、光照系统和显影腔之间移动的传动系统，且承片台进入显影腔清洗时，晶圆片的光刻面朝下，技术效果是通过设置传动系统，带动承片台在加热系统、光照系统和显影腔之间移动，改变现有光刻工艺中各步骤的实现方式，无需单独设置机械臂来安装烘干设备，承片台转动进入显影腔，简化晶圆片的清洗方法。
一种结构及其制备方法

[发明专利]一种1342纳米波长大功率微结构DFB激光器-CN202111293304.8有效
发明人：徐鹏飞;王文知;王岩;罗帅;季海铭 -专利权人： 江苏华兴激光科技有限公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：一种1342纳米波长大功率微结构DFB激光器，采用满足1342纳米发射波长需要的量子阱结构，通过微结构与普通分布反馈光栅结合，实现单模工作，进一步引入多层稀释波导结构扩大光功率输出，满足了大功率输出需要，在不增加工艺难度的基础上大幅度提高器件成品率。解决了通常的半导体DFB边发射激光器由于采用均匀光栅周期折射率导引而使得会有双模激射或者单模成品率较低的现象，为了提高单模产出会引入相移，大幅度增加工艺难度和成本的问题，同时解决了常规的DFB结构由于光模式体积所限容易饱和，不利于大功率输出的问题，使得本发明的激光器可面向50G PON硅光应用，具有很强的实用性和广泛的适用性。
一种 1342 纳米波长大功率微结构 dfb 激光器

[发明专利]一种半导体缺陷分布成像检测装置及检测方法-CN202111237891.9有效
发明人：王岩;徐鹏飞;罗帅;季海铭 -专利权人： 江苏华兴激光科技有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体缺陷分布成像检测装置及检测方法，其不同之处在于：检测装置包括电流电压源、三维平移台、连续激光光源、凸透镜、分束镜、滤光片和CCD相机；电流电压源用于给半导体光电器件样品施加正向电压或正向电流，以使半导体光电器件样品表面发出光信号；连续激光光源依次经过透镜和分束镜后聚焦至半导体光电器件样品表面，用于使半导体光电器件样品内的缺陷电子态饱和；三维平移台用于调节半导体光电器件样品的位置，使连续激光光源在半导体光电器件样品表面进行完整扫描；半导体光电器件样品的光信号依次经过分束镜和滤光片后投射到CCD相机上。本发明能有效检测半导体光电器件深能级缺陷的位置分布信息。
一种半导体缺陷分布成像检测装置方法

[发明专利]一种射频芯片外延片-CN202210849659.9有效
发明人：徐鹏飞;王岩 -专利权人： 江苏华兴激光科技有限公司;无锡华兴光电研究有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频芯片外延片，包括：半绝缘GaAs衬底、渐变缓冲层、外延层，渐变缓冲层设于半绝缘GaAs衬底的一侧，渐变缓冲层包括p‑GaAs缓冲层，p‑GaAs缓冲层远离半绝缘GaAs衬底的一侧依次外延生长有p‑AlGaAs组份渐变层，外延层设于p‑AlGaAs组份渐变层远离p‑GaAs缓冲层的一侧，外延层包括p型高掺AlAs层，p型高掺AlAs层远离p‑AlGaAs组份渐变层的一侧依次外延生长有p型低掺杂AlAs层、n‑GaAs层、p‑AlGaAs层、p‑GaAs层，半绝缘GaAs衬底的厚度为100μm‑500μm，半绝缘GaAs衬底的材质为单晶材料中掺杂铁形成的半绝缘材料。本发明通过AlAs/GaAs和GaAs/AlGaAs晶格匹配双异质结设计实现射频异质结双极性PNP晶体管外延材料，提高成品率和可靠性，降低外延生长难度，满足射频工作需要。
一种射频芯片外延

[发明专利]一种将纳米压印和电子束曝光结合的纳米图形制备方法-CN202310388682.7有效
发明人：王岩;郭丰 -专利权人： 江苏华兴激光科技有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种将纳米压印和电子束曝光结合的纳米图形制备方法，属于微电子技术领域，包括：步骤一、将纳米图形分为不变部分和可变部分，利用版图绘制工具将两者分别绘制版图，其中，不变部分版图上需包含电子束曝光套刻标记；步骤二、取不变图形版图，制备纳米压印模板，将纳米压印和电子束曝光两种纳米级高精度图形的制备方法有机结合，既满足了部分图形需要灵活调整的实验和生产要求，又能够极大的提高图形制备效率，在图形制备次序上，利用电子束曝光具有高套刻精度的特点，先做纳米压印再做电子束曝光，保证所制备图形具有良好的套刻精度。
一种纳米压印电子束曝光结合图形制备方法

[发明专利]一种基于GaAs衬底制备InP薄膜的方法-CN202111325697.6有效
发明人：徐鹏飞;王岩;罗帅;季海铭 -专利权人： 江苏华兴激光科技有限公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于GaAs衬底制备InP薄膜的方法，包括以下步骤：（1）选择一GaAs衬底；（2）在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；（3）在GaAs缓冲层上制备复合缓冲层，复合缓冲层由石墨烯层和GaxIn1‑xP材料层交替生长形成，最下层为石墨烯层，最上层为GaxIn1‑xP材料层；（4）在复合缓冲层上生长InP薄膜。本发明基于单晶GaAs衬底，采用石墨烯和带有均匀分布纳米柱结构的GaxIn1‑xP材料相结合的复合缓冲层制备InP薄膜，可消除在GaAs衬底上外延生长InP材料层时产生的失配应力，降低材料层缺陷密度，改善InP薄膜的晶体质量。本发明可以基于技术成熟、成本较低的GaAs衬底来制备InP材料，最终实现在GaAs衬底上制备InP光电子器件。
一种基于 gaas 衬底制备 inp 薄膜方法

[发明专利]一种抗反射半导体激光器芯片的制作方法-CN202211508911.6在审
发明人：徐鹏飞;王文知 -专利权人： 江苏华兴激光科技有限公司;无锡华兴光电研究有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗反射半导体激光器芯片的制作方法，涉及光通信的半导体激光器芯片技术领域，本发明采用金属有机物化学气相沉积生长有源区及波导结构，并使用EBL制作光栅，最终形成完整工艺外延片，之后通过光刻，刻蚀，金属生长等工艺形成芯片，通过简单易实现的芯片制造工艺即可达到抗反射的效果，该芯片的光栅采用EBL写的CPM光栅，具有较好的锁模效果，在出射端面采用了弯曲波导可以减少光路中返回的光，以免对出射光形成干扰，达到去隔离器的效果，可以极大的降低成本。
一种反射半导体激光器芯片制作方法

[发明专利]一种用于红外雪崩探测芯片的激光退火装置及其检测方法-CN202211314394.9在审
发明人：徐鹏飞;王岩 -专利权人： 江苏华兴激光科技有限公司;无锡华兴光电研究有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于红外雪崩探测芯片的激光退火装置及其检测方法，涉及半导体技术领域，包括激光光源、连续光衰减片、分光镜、透镜、红外雪崩探测芯片、光功率计、电压电流源和计算机；利用激光进行退火可以选择性的对芯片进行局部退火，不影响电极与材料的欧姆接触，同时激光的波长及能量可以调节，可以对不同的吸收层材料进行有选择性的退火；主要针对探测芯片的吸收层材料进行选择性退火，同时选择的激光波长通过衰减至合适范围，可以对探测芯片的光响应性能进行检测，达到对退火效果的监测。
一种用于红外雪崩探测芯片激光退火装置及其检测方法

[发明专利]一种红外拓展波长光探测器芯片外延片-CN202211560340.0在审
发明人：徐鹏飞;王岩 -专利权人： 江苏华兴激光科技有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外拓展波长光探测器芯片外延片，涉及半导体光电子器件技术领域，公开了包括衬底为InP衬底层，InP衬底层上方设置有InP缓冲层，InP缓冲层上方设置有InAlAs缓冲层，InAlAs缓冲层上方设置有InAlAs倍增层，InAlAs倍增层上方设置有InAlAs电荷层，InAlAs电荷层上方设置有应变InGaAs吸收层，应变InGaAs吸收层上方设置有InP盖层，本发明在传统的InGaAs红外雪崩探测器基础上将无应变InGaAs吸收层设计成应变InGaAs吸收层，使传统InGaAs红外雪崩探测器的波长响应范围往长波段拓展，且具有内部增益，从而提高气体探测的灵敏度。
一种红外拓展波长探测器芯片外延

[发明专利]一种红光激光芯片的制作方法-CN202211264116.7在审
发明人：徐鹏飞;王文知;王岩 -专利权人： 江苏华兴激光科技有限公司;无锡华兴光电研究有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种红光激光芯片的制作方法，包括如下步骤，在n型衬底上采用金属有机物化学气相沉积系统依次外延生长缓冲层、下cladding层、下波导层、有源区、上波导层、光子晶体层、上cladding层和接触层；光刻定义PCSEL台面，刻蚀出PCSEL台面并生长二氧化硅绝缘层；在二氧化硅绝缘层中开出p面电极窗口；在p面电极窗口沉积金属并剥离出环形电极形成p面电极，n型衬底减薄后沉积金属形成n面电极。通过使用纳米压印来制作光子晶体图形，达到可以量产的目的，通过优化二次外延的条件来形成由(Al0.1Ga)0.53InP和空气孔组成的光子晶体，从而提高光子晶体结构的光限制能力，制备的650nm激光芯片出光方向垂直外延片方向出射，出光腔面的面积不受限制，大大提高了器件的可靠性。
一种红光激光芯片制作方法

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