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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]制造半导体器件的方法以及半导体器件-CN201810950395.X有效
发明人： 江宏礼;郑兆钦;陈志良;陈自强;郭大鹏;杨玉麟;陈奕升;黄思维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在方法中，形成其中第一半导体层和第二半导体层交替地堆叠的鳍结构。在鳍结构上方形成牺牲栅极结构。在未被牺牲栅极结构覆盖的鳍结构的源极/漏极区处蚀刻第一半导体层，从而形成暴露第二半导体层的第一源极/漏极间隔。在第一源极/漏极间隔处形成介电层，从而覆盖暴露的第二半导体层。蚀刻介电层和第二半导体层的部分，从而形成第二源极/漏极间隔。在第二源极/漏极间隔中形成源极/漏极外延层。至少一个第二半导体层与源极/漏极外延层接触，并且至少一个第二半导体层与源极/漏极外延层分离。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法以及半导体器件。
制造半导体器件方法以及

[实用新型]存储器结构与半导体装置-CN202223286778.2有效
发明人： 江宏礼;王哲夫;洪以则;陈自强;张孟凡;黄汉森 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10B53/30 文献下载
摘要：本实用新型提供一种存储器结构与半导体装置。所述存储器结构包括衬底。存储器结构还包括第一晶体管，其中第一晶体管距衬底第一距离。存储器结构还包括第二晶体管，其中第二晶体管距衬底第二距离，且第一距离不同于第二距离，且第一晶体管的第一源极/漏极(S/D)区连接至第二晶体管的第二S/D区。存储器结构还包括多个存储元件，多个存储元件电性连接至第一晶体管与第二晶体管二者，其中多个存储元件中的每一者距衬底第三距离，且第三距离不同于第一距离与第二距离二者。
存储器结构半导体装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201911200857.7有效
发明人： 江宏礼;陈佑昇;郑兆钦;陈自强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：逻辑电路，包括设置在衬底上方的晶体管；多层，每个层包括分别设置在逻辑电路上方的金属布线层和层间介电层；以及存储器阵列。金属布线的多层以更靠近衬底的顺序包括第一层、第二层、第三层和第四层，并且存储器阵列包括设置在第三层中的下部多层。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]存储器单元及其制造方法-CN202210786279.5在审
发明人： 江宏礼;王哲夫;陈自强;吴瑞仁;张孟凡 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及存储器单元及其制造方法。存储器单元包括写入存取晶体管、储存晶体管和读取存取晶体管。写入存取晶体管的栅极与写入字线连接，写入存取晶体管的源极与写入位线连接，写入存取晶体管的漏极与储存晶体管的栅极连接。储存晶体管的源极连接到源极线，并且储存晶体管的漏极连接到读取存取晶体管的源极。读取存取晶体管的栅极连接到读取位线，读取存取晶体管的漏极连接到读取位线。存储器单元还包括电容元件，该电容元件具有到储存晶体管的栅极的第一连接和到参考电压源的第二连接。
存储器单元及其制造方法

[发明专利]混合半导体晶体管结构与制造方法-CN201811248016.9有效
发明人： 江宏礼;陈奕升;陈自强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本揭露提供一种混合半导体晶体管结构，其包含：衬底；第一晶体管，其在所述衬底上，所述第一晶体管的沟道包含鳍片且具有第一沟道高度；第二晶体管，其相邻于所述第一晶体管，所述第二晶体管的沟道包含纳米线；和离距，其横向隔开所述鳍片与所述纳米线。所述第一沟道高度大于所述离距。本揭露还提供一种用于制造所述混合半导体晶体管结构的方法。
混合半导体晶体管结构制造方法

[实用新型]存储器装置-CN202223354823.3有效
发明人： 江宏礼;王哲夫;陈自强;张孟凡 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G11C11/408 文献下载
摘要：本实用新型提供一种包括多个记忆胞的存储器装置，所述多个记忆胞中的至少一者包括第一晶体管、第二晶体管及第三晶体管。第一晶体管包括第一漏极/源极路径及电性耦合至写入字线的第一栅极结构。第二晶体管包括第二漏极/源极路径及电性耦合至第一晶体管的第一漏极/源极路径的第二栅极结构。第三晶体管包括电性耦合至第二晶体管的第二漏极/源极路径的第三漏极/源极路径及电性耦合至读取字线的第三栅极结构。其中，第一晶体管及/或第二晶体管及/或第三晶体管是铁电场效晶体管或负电容场效晶体管。
存储器装置

[发明专利]半导体元件的制造方法及其元件-CN201911031414.X有效
发明人：郑兆钦;陈奕升;江宏礼;陈自强;张开泰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体元件的制造方法及其元件。半导体元件的制造方法包括：形成鳍结构，具有下鳍结构和设置在下鳍结构上的上鳍结构。上鳍结构包括交替堆叠的多个第一半导体层和多个第二半导体层。第一半导体层被部分地蚀刻以减少第一半导体层的宽度。形成氧化物层在上鳍结构上。形成牺牲栅极结构在具有氧化物层的上鳍结构上。形成源极/漏极磊晶层在鳍结构的源极/漏极区域上。去除牺牲栅极结构以形成栅极空间。去除氧化物层以暴露栅极空间中的第二半导体层。形成栅极结构在栅极空间中的第二半导体层的周围。
半导体元件制造方法及其

[发明专利]电阻式存储器器件及其形成方法-CN202210812748.6在审
发明人： 江宏礼;邱荣标;王哲夫;陈自强;张孟凡 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了电阻式存储器器件及其形成方法。电阻式存储器器件包括底部电极、位于所述底部电极上方的切换层，切换层包括第一水平部分、位于所述底部电极的上表面上方的第二水平部分以及位于所述第一水平部分和第二水平部分之间的底部电极的侧表面上方的第一垂直部分，位于切换层上方的顶部电极，顶部电极包括第一水平部分、第二水平部分以及第一垂直部分，以及导电通孔，位于顶部电极上方并且接触顶部电极的第一水平部分、第二水平部分和第一垂直部分。通过提供符合底部电极的非平面轮廓的切换层和顶部电极，电荷聚集和电场的局部增加可以促进电阻状态切换并提供降低的操作电压。
电阻存储器器件及其形成方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201910675829.4有效
发明人：郑兆钦;江宏礼;陈自强;陈奕升 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本揭示是关于半导体元件及其制造方法。在制造半导体元件的方法中，鳍结构形成于底部鳍结构上方，其中鳍结构为交替堆叠第一半导体层及第二半导体层。具有侧壁间隔物的牺牲栅极结构形成于鳍结构上方。去除未由牺牲栅极结构覆盖的鳍结构的源极/漏极区域。横向凹陷第二半导体层。介电内部间隔物形成在经凹陷第二半导体层的横向端部。横向凹陷第一半导体层。形成源极/漏极磊晶层以接触经凹陷第一半导体层的横向端部。去除第二半导体层，从而露出通道区域中的第一半导体层。围绕第一半导体层形成栅极结构。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件-CN201910439996.9有效
发明人： 江宏礼;陈奕升;周雷峻;陈志良;陈自强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法包括：在半导体衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍结构。每个鳍结构包括靠近半导体衬底的第一区域和远离半导体衬底的第二区域。在第一相邻鳍结构对的第一区域之间形成导电层。在鳍结构的第二区域上方形成沿与第一方向基本垂直的第二方向延伸的栅电极结构，并且在栅电极结构上形成包括至少一条导线的金属化层。本发明的实施例还涉及半导体器件。
制造半导体器件方法

[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件-CN201910584958.2有效
发明人： 江宏礼;陈奕升;陈自强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-01 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了半导体器件及其形成方法。半导体器件包括在第一方向上延伸并且设置在半导体衬底的第一区域上方的第一多个堆叠纳米线结构。第一多个堆叠纳米线结构的每个纳米线结构均包括在基本垂直于第一方向的第二方向上布置的多条纳米线。纳米线堆叠绝缘层位于衬底和第一多个堆叠纳米线结构的每个纳米线结构的最靠近衬底的纳米线之间。至少一个第二堆叠纳米线结构设置在半导体衬底的第二区域上方，并且浅沟槽隔离层位于半导体衬底的第一区域和第二区域之间。
制造半导体器件方法

[发明专利]存储器装置及其形成方法-CN202210373111.1在审
发明人： 江宏礼;王哲夫;郑兆钦;陈自强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种形成存储器装置的方法包括以下操作。在衬底上方的第一介电层内形成第一导电插塞。执行处理工艺以将所述第一导电插塞的一部分转变成缓冲层，并且所述缓冲层覆盖在所述第一导电插塞的剩余部分上方。在所述缓冲层上方依序形成相变层及顶部电极。形成第二介电层以包封所述顶部电极及下伏的所述相变层。在所述第二介电层内形成第二导电插塞，且使所述第二导电插塞实体接触所述顶部电极。在所述缓冲层内形成丝状底部电极。
存储器装置及其形成方法

[发明专利]存储器装置及其操作方法-CN202210204683.7在审
发明人：李东颖;余绍铭;张开泰;江宏礼;陈佑升 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：提供一种存储器装置及其操作方法。存储器装置包括底部电极、第一数据储存层、第二数据储存层、界面导电层和顶部电极。第一数据储存层设置在底部电极上并与底部电极接触。第二数据储存层设置在第一数据储存层之上。界面导电层设置在第一数据储存层和第二数据储存层之间。顶部电极设置在第二数据储存层之上。
存储器装置及其操作方法

[发明专利]半导体器件、集成电路及其制造方法-CN202210210125.1在审
发明人：洪以则;周昂升;江宏礼;陈自强;郑兆钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体器件、集成电路及其制造方法。一种半导体器件包括栅极层、沟道材料层、第一介电层及多个源极/漏极端子。栅极层设置在衬底之上。沟道材料层设置在栅极层之上，其中沟道材料层的材料包括第一低维材料。第一介电层位于栅极层与沟道材料层之间。多个源极/漏极端子与沟道材料层接触，其中沟道材料层至少局部地设置在多个源极/漏极端子之间且位于栅极层之上，且栅极层设置在衬底与多个源极/漏极端子之间。
半导体器件集成电路及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202111021654.9在审
发明人：洪以则;周昂升;江宏礼;陈自强;郑兆钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括设置在衬底上方的热传递层、沟道材料层、栅极结构以及源极及漏极端子。沟道材料层具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，且设置在热传递层上，其中第一表面与热传递层接触。栅极结构设置在沟道材料层上方。源极及漏极端子与沟道材料层接触且位于栅极结构的相对的两侧处。通过设于衬底与沟道材料层之间的热传递层的热传导，可以增强器件的散热能力而改善器件性能。
半导体器件及其制造方法

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