专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种氮化铟(InN)基场效应晶体管及其制备方法-CN201510643022.4在审
  • 郭尧;贾太轩;殷美丽;刘娜娜;牛永生;侯绍刚 - 安阳工学院
  • 2015-10-08 - 2016-02-03 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种氮化铟基场效应晶体管及其制备方法。本发明的一种氮化铟(InN)基场效应晶体管,包括衬底,所述的衬底为将氧化锆掺杂钇后形成的萤石结构,氧化锆衬底包括取向为(111)或(110)或(112)或(113)稳定的表面,在氧化锆衬底上层叠有氮化铟层,氮化铟层表面中部层叠有绝缘介质层,两端层叠有源极和漏极,绝缘介质层上层叠有栅极,制备方法包括以下步骤A:氮化铟/氧化锆异质结结构的制备;B:氮化铟外延层图形化加工;C:在氮化铟外延层上电极和绝缘质层的制备;D:绝缘质层上制备场效应晶体管的栅极。本发明有望制备出高性能的氮化铟基高速电子器件。
  • 一种氮化inn场效应晶体管及其制备方法

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