专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]改善晶圆表面平坦度的方法-CN03121971.3有效
  • 詹前庆;欧阳允亮;卢永伟 - 矽统科技股份有限公司
  • 2003-04-18 - 2004-10-20 - H01L21/302
  • 本发明揭示一种改善晶圆表面平坦度的方法,适用在一晶圆上以化学气相沉积法(chemical vapor deposition;CVD)沉积复数层的薄膜,包括:一晶圆;将晶圆置入一第一薄膜沉积设备中,以化学气相沉积法沉积一第一层薄膜,其中第一薄膜沉积设备具有至少一第一反应气体注入口(injector),且晶圆相对第一反应气体注入口具有一第一方向;将晶圆置入一第二薄膜沉积设备中,以化学气相沉积法沉积一第二层薄膜,其中第二薄膜沉积设备具有至少一第二反应气体注入口(injector),而第一、第二反应气体注入口的数量与排列方式大体相同,且晶圆相对第二反应气体注入口具有一第二方向,第二方向与该第一方向具有一第一角度,使第二反应气体注入口在晶圆上投影点与第一反应气体注入口在晶圆上投影点不同。
  • 改善表面平坦方法
  • [发明专利]半导体金属内连线的制造方法-CN01116180.9无效
  • 欧阳允亮;黄昭元 - 矽统科技股份有限公司
  • 2001-05-25 - 2003-01-01 - H01L21/768
  • 一种半导体金属内连线的制造方法,它包括下列步骤提供一包含导电区域的半导体基底,该导电区域具有金属线及孔洞;于该半导体基底的表面上顺应性地形成一钛金属层;以化学气相沉积法于该钛金属层表面上顺应性地形成第一氮化钛层;以物理气相沉积法于该第一氮化钛层表面上顺应性地形成第二氮化钛层。具有确保先前所形成的第一氮化钛层不会因为其化学性质不稳定而发生氧化作用。提高元件的可靠度的功效。
  • 半导体金属连线制造方法

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