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[发明专利]太阳能电池的制造方法以及太阳能电池制造装置-CN201680060879.6有效
发明人： 横川政弘;川崎隆裕 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：具备：使作为第2导电类型的半导体层的n型扩散层形成于具有第1导电类型的结晶系的半导体基板的工序；以及使背面与设置于成膜室的载置台抵接而载置由半导体基板构成的基板(1S)，对成膜室(101)内进行真空排气而减压，将原料气体供给到成膜室(101)内，利用CVD法使防反射膜(3)从半导体基板的受光面侧成膜至半导体基板的侧面的工序。成膜的工序是托盘(100)具有在与半导体基板的抵接面具有开口并且贯通托盘(100)的贯通孔h，通过真空排气使贯通孔h内相对于成膜室(101)内的压力成为负压，从而使半导体基板紧贴于抵接面，使防反射膜(3)成膜于除了抵接面之外的半导体基板表面的工序。
太阳能电池制造方法以及装置

[发明专利]衬底处理装置和衬底的制造方法-CN201780082067.6有效
发明人： 横川政弘;川崎隆裕;中岛保;田中芳雄 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： C23C14/52 文献下载
摘要：衬底处理装置具有：保持衬底(W)并在减压加热处理室内被加热的衬底保持件(H)；使从衬底保持件(H)放射的放射热线(La)向减压加热处理室外透过的透过窗(23)；在减压加热处理室外测量透过了透过窗(23)的放射热线(La)的放射温度计(25)；以及从朝向透过窗(23)开口的气体导入口(24a)向透过窗(23)喷射气体而将气体导入减压加热处理室内的气体导入装置(24)。
衬底处理装置制造方法

[发明专利]半导体装置以及电力转换装置-CN201980027280.6在审
发明人： 横川政弘;田口健介 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：第一电极膜(91)与半导体基板(50)的源极区域(4)电连接，设置在半导体基板(50)的主面(S2)上。第二电极膜(92)与栅极电极(6)电连接，设置在半导体基板(50)的主面(S2)上。第三电极膜(93)与第一电极膜(91)分离地设置在半导体基板(50)的主面(S2)上。保护绝缘膜(20)在主面(S2)上以仅覆盖第一电极膜(91)和第二电极膜(92)各自的一部分且覆盖第三电极膜(93)的至少一部分的方式设置，由热固性树脂构成。主面(S2)具有外周区域(RA)和被外周区域(RA)包围的内侧区域(RB)，保护绝缘膜(20)具有覆盖外周区域(RA)的外周部分(29)和横穿内侧区域(RB)且覆盖第三电极膜(93)的至少一部分的第一内侧部分(21)。
半导体装置以及电力转换