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[发明专利]显示装置-CN201811457536.0有效
发明人： 楠见崇嗣;渡部卓哉;田川晶;岩濑泰章;竹內洋平 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：一种显示装置中的单位电路采用如下构造：仅使用一个系统的电压(栅极导通电压VGH)以作为将扫描线设为选择状态的电压(一个电源系统构造)。在构成栅极驱动器内的移位寄存器的单位电路上，设置源极端子与输出控制节点(netA)连接的薄膜晶体管(T11)。在这种构造中，若来自外部的电源供给停止，则向薄膜晶体管(T11)的栅极端子施加的电压及向薄膜晶体管(T11)的漏极端子施加的电压被设定为栅极导通电压(VGH)。
显示装置

[发明专利]扫描信号线驱动电路及驱动方法、具备其的显示装置-CN201910161211.6有效
发明人： 楠见崇嗣;渡部卓哉;田川晶;岩濑泰章;竹内洋平 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：提供一种扫描信号线驱动电路，能够在确保用于图像显示的高速扫描的同时降低功耗，并且能够实现窄边框化。第1栅极驱动器(410)和第2栅极驱动器(420)隔着显示部(500)相对配置，基于DC缓冲方式，奇数编号的栅极线(GL1、GL3、…)由第1栅极驱动器(410)驱动，并且偶数编号的栅极线(GL2、GL4、…)由第2栅极驱动器(420)驱动，在应当将各栅极总线(GLi)设为非选择状态时，电荷从其两端放电。因此，例如奇数编号的栅极总线(GLn)的第1栅极驱动器侧的端部连接到包括活性化晶体管(M10)和非活性化晶体管(M13L)的缓冲器，第2栅极驱动器侧的端部连接到非活性化辅助晶体管(M13R)。
扫描信号线驱动电路方法具备显示装置

[发明专利]显示装置及其驱动方法-CN201910329318.7有效
发明人：田川晶;岩濑泰章;渡部卓哉;楠见崇嗣;竹内洋平 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：一种显示装置及其驱动方法，采用经由构成移位寄存器的单位电路内的缓冲晶体管将直流电压VDC作为激活的扫描信号施加到栅极总线的方式的栅极驱动器，在显示装置中设置有生成该直流电压VDC的直流电压生成电路。直流电压生成电路在各帧期间使直流电压VDC的电压电平变化。例如，在直流电压输入端子设置于垂直扫描结束侧的情况下，直流电压生成电路在各帧期间使直流电压VDC的电压电平逐渐降低。
显示装置及其驱动方法

[发明专利]移位寄存器及具备该移位寄存器的显示装置-CN201811344967.6有效
发明人：竹內洋平;渡部卓哉;田川晶;岩濑泰章;楠见崇嗣 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明提供一种移位寄存器，在构成移位寄存器的各级的单元电路中设有电荷供给部(420)，该电荷供给部(420)包含第三控制节点N3，该第三控制节点N3与第一节点(用于保持电荷以输出高电平的扫描信号(输出信号Q)的节点)N1在相同的时序下电位成为高电平，且在自该第三控制节点N3的电位成为高电平后直至输出高电平的扫描信号(输出信号Q)为止的期间，该电荷供给部(420)能够对第一节点N1供给电荷。在此，移位寄存器内的所有单元电路以相同的方式构成。
移位寄存器具备显示装置

[发明专利]扫描信号线驱动电路及具备其的显示装置-CN201811341922.3有效
发明人：田川晶;渡部卓哉;岩濑泰章;楠见崇嗣;竹內洋平 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明提供一种栅极驱动器(扫描信号线驱动电路)，其为可以抑制边框尺寸增大并中途停止扫描的栅极驱动器(用于具备触摸面板的显示装置的栅极驱动器)。在每个单元电路中设有薄膜晶体管(第一稳定化晶体管)T6，在薄膜晶体管T6中，栅极端子被提供帧期间结束时成为导通电平的清除信号CLR，漏极端子连接电荷存储节点N1，源极端子被提供关断电平的电位。在此，使薄膜晶体管T6的栅极长度大于其它电荷存储节点关断晶体管的栅极长度。或者，薄膜晶体管T6采用多栅极结构，其它电荷存储节点关断晶体管采用单栅极结构。
扫描信号线驱动电路具备显示装置

[发明专利]显示装置-CN201910310170.2在审
发明人：竹內洋平;渡部卓哉;田川晶;岩濑泰章;楠见崇嗣 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：将图像显示部内的多个像素形成部(PIX)分组，以使各像素组由K个(K为2以上的整数)像素形成部(PIX)形成。形成各像素组的K个像素形成部(PIX)连接到相同的源极总线SL。各像素形成部(PIX)设置有连接控制晶体管(12)，其用于控制对应的源极总线(SL)和像素电极(13)之间的电连接状态。形成各像素组的K个像素形成部中所包括的K个连接控制晶体管(12)被控制以在相互不同的期间变为导通状态。源极驱动器在各水平扫描期间分时地将视频信号施加到各源极总线(SL)。
像素形成部源极总线像素组连接控制晶体管视频信号施加电连接状态图像显示部源极驱动器导通状态水平扫描显示装置像素电极分时分组

[发明专利]显示装置及其驱动方法-CN201910291104.5在审
发明人：岩濑泰章;渡部卓哉;田川晶;楠见崇嗣;竹內洋平 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：对源极总线进行预充电的预充电电路被设置在采用SSD方式的显示装置上。如果是采用n沟道型的TFT的话，预充电电路(500)在对与应该进行正极性的数据写入的像素形成部(6)连接的源极总线(SL)施加视频信号之前施加预充电电压(VPC)。SSD电路(400)以下述方式对数据输出线DL的连接目的地的源极总线(SL)进行切换，在各水平扫描期间中，相较于与应该进行正极性的数据写入的像素形成部(6)连接的源极总线(SL)，与应该进行负极性的数据写入的像素形成部(6)连接的源极总线(SL)相对较早地被施加视频信号。
源极总线像素形成部写入预充电电路视频信号显示装置正极性施加连接目的地数据输出线预充电电压水平扫描负极性预充电地被电路驱动

[发明专利]移位寄存器和具备移位寄存器的显示装置-CN201811169890.3在审
发明人：岩濑泰章;渡部卓哉;田川晶;楠见崇嗣;竹內洋平 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明提供移位寄存器和具备移位寄存器的显示装置。构成移位寄存器的各层的单位电路(4)由具有与现有单位电路几乎相同的结构的传输部(401)、用于存储在实施了扫描的中途停止时的传输部(401)内的第一节点(N1)的状态的状态存储部(402)以及将状态存储部(402)与传输部(401)连接起来以将基于来自状态存储部(402)的输出信号(QX)的电荷向第一节点(N1)供给的连接部(403)构成。对状态存储部(402)的动作进行控制的控制时钟信号(CKX)、(CKXB)的时钟动作在栅极时钟信号的时钟动作停止时实施。
移位寄存器状态存储传输部单位电路显示装置控制时钟信号栅极时钟信号动作停止输出信号电荷存储扫描

[发明专利]薄膜晶体管、显示面板和薄膜晶体管的制造方法-CN201280019248.1有效
发明人：守口正生;神崎庸辅;高西雄大;楠见崇嗣 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2012-04-12 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的薄膜晶体管具备：栅极电极(11a)；覆盖栅极电极(11a)的栅极绝缘膜(12a)；设置在栅极绝缘膜(12a)上的包含氧化物半导体的半导体层(13a)；隔着还原性高的金属层(15aa、15ab)设置于半导体层(13a)且夹着沟道区域(C)地相互分离的源极电极(16aa)和漏极电极(16ab)；设置于半导体层(13a)的导电区域(E)；和设置于半导体层(13a)且抑制导电区域(E)对沟道区域(C)的扩散的扩散抑制部(13ca、13cb)。
薄膜晶体管显示面板制造方法

[发明专利]显示装置-CN201280012567.X无效
发明人：守口正生;神崎庸辅;高西雄大;楠见崇嗣 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2012-03-16 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： G02F1/1368 文献下载
摘要：在玻璃基板（11）上形成TFT（1），并形成覆盖TFT（1）的平坦化树脂膜（17）。接着，形成覆盖平坦化树脂膜（17）的整个表面的防湿性的保护膜（18）。保护膜（18）使用SiO2膜、SiN膜、SiON膜或者它们的叠层膜。将平坦化树脂膜（17）的端面配置在密封件（4）的内侧或者下方，并将平坦化树脂膜（17）的端面设为锥形形状。由此，防止水分向平坦化树脂膜（17）侵入，防止显示劣化。该效果在包含氧化物半导体TFT的显示装置中显著。
显示装置

[发明专利]溅射靶、其制造方法和薄膜晶体管的制造方法-CN201280010763.3有效
发明人： 楠见崇嗣;神崎庸辅 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2012-02-23 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够得到特性良好的膜的溅射靶。溅射靶(100)包括：包含IGZO的多个靶材(10)；包含Cu等的背板(20)；和包含In等的结合件(30)。多个靶材(10)和背板(20)通过结合件(30)接合。在各靶材(10)的表面设置有长度(L2)、宽度(W3)、深度(D1)的槽(40)。该槽(40)与相互相邻的靶材(10)彼此间的接缝(15)平行地设置在接缝(15)的附近(与接缝(15)相距距离(W2)的位置)。槽(40)的宽度(W3)和从接缝(15)到槽(40)的距离(W2)与靶材(10)的上下边的长度(L1)相比足够小。
溅射制造方法薄膜晶体管

[发明专利]半导体装置和显示装置-CN201180061376.8有效
发明人：守口正生;神崎庸辅;高西雄大;楠见崇嗣;松木园广志 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2011-12-15 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的半导体装置（100）为具有薄膜晶体管（10）的半导体装置，包括：形成在基板（60）之上的薄膜晶体管（10）的栅极电极（62）；形成在栅极电极（62）之上的栅极绝缘层（66）；形成在栅极绝缘层（66）之上的氧化物半导体层（68）；和配置在氧化物半导体层（68）之上的源极电极（70s）和漏极电极（70d）；形成在氧化物半导体层（68）、源极电极（70s）和漏极电极（70d）之上的保护层（72）；形成在保护层（72）之上的供氧层（74）；和形成在供氧层之（74）之上的扩散防止层（78）。
半导体装置显示装置

[发明专利]半导体装置和显示装置-CN201180059369.4有效
发明人：守口正生;神崎庸辅;高西雄大;楠见崇嗣;松木园广志 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2011-12-06 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的半导体装置包括：形成在基板(60)上的薄膜晶体管(10)的栅极电极(62)和供氧层(64)；形成在栅极电极(62)和供氧层(64)之上的栅极绝缘层(66)；形成在栅极绝缘层(66)之上的薄膜晶体管(10)的氧化物半导体层(68)；和配置在栅极绝缘层(66)和氧化物半导体层(68)之上的薄膜晶体管(10)的源极电极(70S)和漏极电极(70d)。
半导体装置显示装置

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN201180026960.X有效
发明人：守口正生;竹井美智子;神崎庸辅;井上毅;深谷哲生;高西雄大;楠见崇嗣;中谷喜纪;冈本哲也;中西研二 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2011-05-23 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明是包括栅极电极（21）和栅极绝缘膜（22）、半导体层（23）、源极电极（24）、漏极电极（25）等的TFT（20）。半导体层（23）包括金属氧化物半导体（IGZO），且具有：与源极电极（24）接触的源极部（23a）、与漏极电极（25）接触的漏极部（23b）和这些源极部（23a）与漏极部（23b）之间的沟道部（23c）。在所述半导体层（23）中，至少在所述沟道部（23c）形成有与其他部分相比In等的金属单质的含有率高的还原区域（30）。
薄膜晶体管及其制造方法

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