专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体晶片的洗净方法-CN201380025705.2有效
  • 阿部达夫;椛泽均 - 信越半导体股份有限公司
  • 2013-04-18 - 2017-03-01 - H01L21/304
  • 本发明是一种半导体晶片的洗净方法,其特征在于,在由平均铝浓度为1ppb以下的合成石英材料所构成的洗净槽内,装满包含氨和过氧化氢的洗净液,使前述半导体晶片浸渍于前述洗净液中,并以使由前述洗净液所导致的前述合成石英的表面蚀刻速度为0.3nm/分钟以下的方式,来洗净前述半导体晶片。由此,可提供一种洗净方法,该方法可将氨/双氧水洗净液中的铝浓度保持为低浓度,并提高半导体晶片的表面清洁度。
  • 半导体晶片洗净方法
  • [发明专利]半导体晶片的清洗方法-CN201280029741.1有效
  • 阿部达夫;椛泽均 - 信越半导体株式会社
  • 2012-05-11 - 2014-02-26 - H01L21/304
  • 本发明是一种具有至少一次以HF清洗、臭氧水清洗、HF清洗的顺序进行的清洗工序的半导体晶片的清洗方法,该方法的特征是在该半导体晶片的清洗方法中最后进行的HF清洗中,以在上述半导体晶片表面上保留一部份厚度而不会去除通过上述臭氧水清洗而在上述半导体晶片表面形成的氧化膜全部的方式进行清洗。由此,在半导体晶片的清洗中,提供一种能够同时降低半导体晶片表面中的金属杂质水平和粒子水平的半导体晶片的清洗方法。
  • 半导体晶片清洗方法
  • [发明专利]半导体晶片的洗净方法-CN201180060442.X有效
  • 椛泽均;阿部达夫 - 信越半导体股份有限公司
  • 2011-11-01 - 2013-08-28 - H01L21/304
  • 本发明提供一种半导体晶片的洗净方法,其是将半导体晶片洗净的方法,其特征在于,其包括下述工序:根据SC1洗净液来将前述半导体晶片洗净的工序;根据氢氟酸来将前述经SC1洗净液所洗净的半导体晶片洗净的工序;以及根据臭氧浓度是3ppm以上的臭氧水来将前述经氢氟酸所洗净的半导体晶片洗净的工序,并且,使由于前述SC1洗净液所造成的半导体晶片的蚀刻耗损成为0.1~2.0nm。由此,提供一种半导体晶片的洗净方法,其能够降低由于洗净所造成的晶片的表面粗糙度恶化,并且有效地进行晶片洗净。
  • 半导体晶片洗净方法
  • [发明专利]超声波清洗装置及超声波清洗方法-CN200980106927.0有效
  • 阿部达夫;椛泽均;新井泉 - 信越半导体股份有限公司
  • 2009-01-23 - 2011-01-26 - B08B3/12
  • 本发明为超声波清洗装置,至少具有:清洗槽,收容有清洗液,以浸渍并清洗被清洗物;超声波传递槽,收容有将超声波传递至清洗槽的传递水;振动板,设在超声波传递槽下部且根据振动件将超声波重叠在传递水中;保持夹具,用以将要清洗的被清洗物保持在清洗槽中;被清洗物被保持夹具保持并被浸于清洗槽的清洗液中,清洗槽被浸在超声波传递槽内的传递水中,且使根据振动板而重叠的超声波经传递水传递至清洗槽,由此对被清洗物进行超声波清洗,该装置配有传递槽摇动机构,用以使超声波传递槽在水平面内摇动。由此提供超声波清洗装置及超声波清洗方法,能抑制超声波清洗中被清洗物的清洗不均的情况并能减少清洗槽数量而降低装置成本,而能有效除去微粒。
  • 超声波清洗装置方法

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