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[发明专利]功率模块的连接结构、封装结构以及制作工艺-CN202211409127.X有效
发明人： 梁小广;洪旭;丁烜明 -专利权人：无锡利普思半导体有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率模块的连接结构、封装结构以及制作工艺，所述连接结构包括：包括至少一个铜板和金属板；所述铜板包括开设于所述铜板上的第一孔和连接在所述铜板上的铜带；所述铜带的两个相对的边缘分别一体连接于所述第一孔的两个相对的边缘；所述铜带凸起于所述铜板的第一侧；所述金属板固定于所述铜板的第二侧。本发明更有利于加工，并方便焊接工艺的操作，且可以减小导通电阻。
功率模块连接结构封装以及制作工艺

[发明专利]一种低电感SiC模块结构-CN202310270938.4在审
发明人：丁烜明;梁小广 -专利权人：无锡利普思半导体有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H05K5/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种低电感SiC模块结构，包括基材板，所述基材板的顶部固定连接有铜板，所述铜板的表面设置有集成电路板，铜板的一侧固定连接有与集成电路板配合使用的支架，通过设置辅助机构，使SiC模块兼顾MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，具备驱动功率小和饱和压降低的功能，降低SiC模块能耗的同时，进一步提升SiC模块的运行性能，通过设置定位机构，先预先对基材板、铜板和封装盒之间采用一级螺栓固定方式，再对基材板、铜板和封装盒之间采用二级卡扣固定方式，以防SiC模块受工作场所和环境影响出现间隙，对其内部部件提供保护，通过设置冷却机构，采用内嵌式冷却循环方式对铜板上集成电路板以及其他部件产生的热量进行快速携带散热。
一种电感 sic 模块结构

[发明专利]一种压接型SiC功率模块封装结构-CN202310271322.9在审
发明人：丁烜明;梁小广 -专利权人：无锡利普思半导体有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种压接型SiC功率模块封装结构，包括安装台和与型SiC功率模块配合使用的压板，所述安装台上固定连接有安装框架，所述安装框架上滑动设置有移动座，所述移动座上固定连接有放置平台，所述放置平台上沿左右方向依次纵向嵌设有多组与SiC功率模块配合使用的条形箱且压板位于条形箱的上方，所述支架上设置有与压板和SiC功率模块配合使用的气动组件，通过设置气动组件，可将外界的空气匀速充入固定筒内，且利用气体流量计对进气量进行精准的控制，以便精准控制活塞杆的下移速度和下移位置，从而可使压板在对SiC功率模块进行压合封装时，可对压接力度进行精准控制，且气动的方式，可有效避免其他机械传动直接的硬性接触。
一种压接型 sic 功率模块封装结构

[发明专利]一种基于SIC功率模块的车载逆变控制器-CN202310271339.4在审
发明人：丁烜明;梁小广 -专利权人：无锡利普思半导体有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H05K5/02 文献下载
摘要：本发明属于逆变控制器技术领域，且公开了一种基于SIC功率模块的车载逆变控制器，包括控制器本体，所述控制器本体的顶部开设有安装槽，所述控制器本体的底部开设有均匀分布的若干安装散热组件，所述安装散热组件的每部插接有安装组件，所述控制器本体的顶部安装有封装组件，所述控制器本体的底部安装有左右两个防滑条；所述安装组件包括有插接与安装散热组件内部的安装杆，所述安装杆的上端延伸至安装槽的内部且与封装组件相抵持。本发明通过安装散热组件和安装组件的配合可以将安装槽内每个发热的零部件分隔开，并通过隔热布使其散发的热量不会相互干扰，不仅有效控制热量的流动，而且极大的降低了热量对其他零部件的损害。
一种基于 sic 功率模块车载控制器

[发明专利]一种功率模块内部绑定线的连接工艺-CN202010709525.8有效
发明人： 梁小广 -专利权人：无锡利普思半导体有限公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明适用于功率半导体模块的封装技术领域，提供了一种功率模块内部绑定线的连接工艺，包括以下步骤：通过键合的方式在将铜绑定线连接到金属板上，再通过焊接或者烧结的方式将铜绑定线连接到芯片和功率模块的电极上。本发明方法相对于现有直接通过铝绑定线使芯片和DBC相连接的方式，金属板的热膨胀系数与半导体芯片更为接近，功率循环寿命大为提高；相对于现有直接通过铜绑定线使芯片和DBC相连接的方式，芯片表面不需要连接较厚的铜箔层，工艺简单，成本低；相对于上述两种方式，本方法增加了与芯片表面的接触面积，电路的大部分通过较厚的金属板，大大减少了导通电阻，也降低了寄生电感。
一种功率模块内部绑定连接工艺

[发明专利]功率模块及其内部电气连接方法-CN202210354684.X在审
发明人： 梁小广;丁烜明;洪旭;朱荣 -专利权人：无锡利普思半导体有限公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率模块及其内部电气连接方法，包括主体；所述主体包括基板组件、芯片和铜框架；所述基板组件分别连接芯片和铜框架；所述铜框架包括第一铜带；所述第一铜带和芯片通过第一连接层连接；所述第一铜带上设置有嵌入第一连接层的凸出结构。本发明铜带上的凸出结构可以有效的防止焊接时候融合的焊锡被较重的铜带和铜板被挤压的问题。
功率模块及其内部电气连接方法

[发明专利]功率模块及其内部定位方法-CN202210356044.2在审
发明人： 梁小广;丁烜明;洪旭;朱荣 -专利权人：无锡利普思半导体有限公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L23/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率模块及其内部定位方法，包括主体，所述主体包括基板组件、铜框架和芯片；所述铜框架和芯片分别连接基板组件；所述铜框架包括第一铜带；所述基板组件或芯片上设置有使第一铜带对应定位在芯片上的限位组件。本发明通过在绝缘基板的表面或者芯片表面加入限位件来限制铜框架或者铜带的移动，起到定位的作用，能够防止使用铜框架或者铜带进行芯片表面连接时，铜框架或者铜带无法准确定位倒置与芯片的中心的位置偏移，而引起的短路问题。
功率模块及其内部定位方法

[发明专利]功率半导体封装结构-CN202111520330.X在审
发明人： 梁小广;丁烜明;洪旭;朱荣 -专利权人：无锡利普思半导体有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率半导体封装结构，包括：pressfit端子、绝缘散热基板、半导体芯片、绑定线、金属底座、底板以及外壳；所述半导体芯片焊接在绝缘散热基座上，所述金属底座的一端焊接有金属片，将金属片焊接在绝缘散热基板上，所述pressfit端子的一端安装金属底座中，所述pressfit端子的另一端延伸出外壳，所述绑定线用于连接各部件，所述绝缘散热基板安装于外壳和底板连接所形成的腔体内部，外壳内部注入绝缘填充介质。本功率半导体封装结构强化了金属底座与绝缘散热底板的连接，防止因为应用环境的振动带来的底座脱落现象。
功率半导体封装结构

[实用新型]功率模块的Pressfit端子连接结构及功率模块-CN202122138872.2有效
发明人： 梁小广;丁烜明;洪旭;朱荣 -专利权人：无锡利普思半导体有限公司
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种功率模块的Pressfit端子连接结构及功率模块，包括绝缘散热基板和外壳，外壳罩设在绝缘散热基板上；绝缘散热基板上设置有连接端子、半导体芯片及绑定线，连接端子和半导体芯片通过绑定线相连接；连接端子远离绝缘散热基板的一端贯穿外壳，连接端子部分位于外壳外；连接端子包括Pressfit端子和支撑组件，支持组件连接设置Pressfit端子上，支撑组件远离Pressfit端子的一端抵接在外壳的底部侧壁上。本实用新型解决了连接端子支撑力不够的问题。
功率模块 pressfit 端子连接结构

[实用新型]功率模块内部连接铜片及功率半导体模块-CN202121985610.3有效
发明人：洪旭;梁小广;丁烜明 -专利权人：无锡利普思半导体有限公司
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本实用新型提供了本实用新型提供了一种功率模块内部连接铜片及功率半导体模块，包括铜板、第一铜带及第二铜带，所述第一铜带和所述第二铜带间隔设置在所述铜板上；所述第一铜带和所述第二铜带均为弧形；所述第一铜带的两端均连接设置在所述铜板上，所述第二铜带的两端均连接设置在铜板上。本实用新型减小模块内铜板二次成型难度，使具备批量生产能力。
功率模块内部连接铜片半导体

[实用新型]功率模块用连接结构及功率模块-CN202122000724.4有效
发明人： 梁小广;丁烜明;洪旭;朱荣 -专利权人：无锡利普思半导体有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种功率模块用连接结构及功率模块，包括绝缘散热基板和外壳，所述外壳罩设在所述绝缘散热基板上；所述绝缘散热基板上设置有连接端子、半导体芯片及绑定线，所述连接端子和所述半导体芯片通过所述绑定线相连接；所述连接端子远离所述绝缘散热基板的一端贯穿所述外壳，所述连接端子部分位于所述外壳外；所述绝缘散热基板设置有固定层，所述连接端子嵌设在所述固定层内，所述半导体芯片和所述绑定线嵌设在所述固定层内。本实用新型解决封装功率模块时用于连接端子的底座的强度问题。
功率模块连接结构

[发明专利]功率模块的Pressfit端子连接结构及功率模块-CN202111040194.4在审
发明人： 梁小广;丁烜明;洪旭;朱荣 -专利权人：无锡利普思半导体有限公司
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率模块的Pressfit端子连接结构及功率模块，包括绝缘散热基板和外壳，外壳罩设在绝缘散热基板上；绝缘散热基板上设置有连接端子、半导体芯片及绑定线，连接端子和半导体芯片通过绑定线相连接；连接端子远离绝缘散热基板的一端贯穿外壳，连接端子部分位于外壳外；连接端子包括Pressfit端子和支撑组件，支持组件连接设置Pressfit端子上，支撑组件远离Pressfit端子的一端抵接在外壳的底部侧壁上。本发明解决了连接端子支撑力不够的问题。
功率模块 pressfit 端子连接结构

[发明专利]功率模块内部连接铜片及其制备方法、功率半导体模块-CN202110968716.0在审
发明人：洪旭;梁小广;丁烜明 -专利权人：无锡利普思半导体有限公司
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率模块内部连接铜片及其制备方法、功率半导体模块，包括铜板、第一铜带及第二铜带，所述第一铜带和所述第二铜带间隔设置在所述铜板上；所述第一铜带和所述第二铜带均为弧形；所述第一铜带的两端均连接设置在所述铜板上，所述第二铜带的两端均连接设置在铜板上。本发明减小模块内铜板二次成型难度，使具备批量生产能力。
功率模块内部连接铜片及其制备方法半导体

[发明专利]功率模块用连接结构及其制备方法、功率模块-CN202110975721.4在审
发明人： 梁小广;丁烜明;洪旭;朱荣 -专利权人：无锡利普思半导体有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率模块用连接结构及其制备方法、功率模块，包括绝缘散热基板和外壳，所述外壳罩设在所述绝缘散热基板上；所述绝缘散热基板上设置有连接端子、半导体芯片及绑定线，所述连接端子和所述半导体芯片通过所述绑定线相连接；所述连接端子远离所述绝缘散热基板的一端贯穿所述外壳，所述连接端子部分位于所述外壳外；所述绝缘散热基板设置有固定层，所述连接端子嵌设在所述固定层内，所述半导体芯片和所述绑定线嵌设在所述固定层内。本发明解决封装功率模块时用于连接端子的底座的强度问题。
功率模块连接结构及其制备方法

[实用新型]一种功率半导体模块-CN202021083676.9有效
发明人： 梁小广 -专利权人：无锡利普思半导体有限公司
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本实用新型提供一种功率半导体模块，包括金属底板、绝缘散热材料层、芯片、绑定板、硅胶、外壳，所述绑定板包括铜板、铜带，所述铜板通过焊接与铜带连接，所述绑定板用于各部件的电路连接，所述金属底板通过焊锡与绝缘散热材料层连接，所述芯片通过焊锡与绝缘散热材料层连接，所述芯片与铜带连接，所述铜带与绝缘散热材料层连接。通过本实用新型，以解决现有技术存在的较厚的铜框架应用在功率半导体模块封装中冷热变化时给芯片带来的机械应力的问题。
一种功率半导体模块

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