专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2022-12-02 公布专利
2022-11-29 公布专利
2022-11-25 公布专利
2022-11-22 公布专利
2022-11-18 公布专利
2022-11-15 公布专利
2022-11-11 公布专利
2022-11-08 公布专利
2022-11-04 公布专利
2022-11-01 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]运算装置-CN201810161068.6有效
  • 田边靖贵;佐野徹;徐慧 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2018-02-27 - 2022-12-02 - G06F1/3234
  • 实施方式提供能够进行多个种类的运算并且能够抑制存储器的读入及写入的次数、抑制耗电的运算装置。实施方式的运算装置(3)具有运算指示部(11)、运算部(21)、缓冲器(41)和保存区域指示部(31)。运算指示部(11)进行第1运算或第2运算中的某一方的运算种类的运算指示。运算部(21)根据运算指示,进行运算,将中间运算结果输出。缓冲器(41)保存中间运算结果(Ic)。保存区域指示部(31)根据运算种类,进行保存中间运算结果(Ic)的缓冲器内的区域(B)的指示。
  • 运算装置
  • [发明专利]活性物质、电极、二次电池、电池包及车辆-CN201910851732.4有效
  • 高见则雄;保科圭吾;石桥充;中野义彦;原田康宏 - 株式会社东芝
  • 2019-09-10 - 2022-12-02 - H01M4/36
  • 本发明的实施方式涉及活性物质、电极、二次电池、电池包及车辆。提供一种活性物质,其包含能够嵌入脱嵌Li离子的单斜晶型的铌钛复合氧化物粒子和将铌钛复合氧化物粒子的表面的至少一部分覆盖的碳纤维。单斜晶型的铌钛复合氧化物粒子满足下述(1)式。单斜晶型的铌钛复合氧化物粒子的平均一次粒径为0.05μm以上且2μm以下的范围。碳纤维含有选自由Fe、Co及Ni构成的组中的1种以上的金属元素,且满足下述(2)式。碳纤维的平均纤维直径为5nm以上且100nm以下的范围。1.5≤(α/β)≤2.5(1),1/10000≤(γ/σ)≤1/100(2)。其中,α为铌钛复合氧化物粒子的Nb的摩尔数,β为铌钛复合氧化物粒子的Ti的摩尔数,γ为碳纤维中的全部金属元素的重量,σ为碳纤维的碳重量。
  • 活性物质电极二次电池车辆
  • [发明专利]磁盘装置以及头的调整方法-CN202010564599.7有效
  • 大竹雅哉;竹尾昭彦 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2020-06-19 - 2022-12-02 - G11B5/09
  • 实施方式提供能提高可靠性的磁盘装置及头的调整方法。磁盘装置具备:第1盘,具有第1面;第2盘,具有与第1面不同的第2面;第1头,具有第1写入头和第1辅助元件,第1写入头以第1记录密度向第1面写入数据,第1辅助元件使得朝向第1面产生提高第1写入头的写入性能的第1能量;第2头,具有第2写入头和第2辅助元件,第2写入头以第2记录密度向第2面写入数据,第2辅助元件使得朝向第2面产生提高第2写入头的写入性能的第2能量;及控制器,根据能够用第1头向第1盘写入的第1记录容量和能够用第2头向第2盘写入的第2记录容量来对第1记录密度和第2记录密度中的至少一方进行变更。
  • 磁盘装置以及调整方法
  • [发明专利]悬架组件以及盘装置-CN202010610317.2有效
  • 铃木保夫;佐佐木康贵 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2020-06-30 - 2022-12-02 - G11B5/48
  • 实施方式提供悬架组件以及盘装置,能防止过度的变形以及损伤,提高了可靠性。根据实施方式,悬架组件具备:支承板,其具有前端部和基端部;布线部件(42),其具有万向架部(44)且设置于支承板;以及磁头(17),其载置于万向架部。万向架部具有:第1焊接部(B1),其相对于磁头位于支承板的基端部侧且焊接于支承板;第2焊接部(B2),其相对于磁头位于支承板的前端部侧且焊接于支承板;舌状部(44a),其位于第1焊接部与第2焊接部之间,被支承为能够相对于支承板进行位移且搭载有磁头;以及限制件(45),其从舌状部向第2焊接部侧延伸。
  • 悬架组件以及装置
  • [发明专利]磁盘装置-CN202010612279.4有效
  • 松泽卓治 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2020-06-30 - 2022-12-02 - G11B5/55
  • 实施方式提供能够考虑增益的输出失真而高精度地控制第2致动器的磁盘装置。实施方式的磁盘装置具备:磁盘;磁头;第1致动器,其使磁头在磁盘上的预定位置动作;第2致动器,其设置于第1致动器,调整磁头的位置;控制部,其控制第1致动器和第2致动器的动作;以及存储部,其存储基于对第2致动器的增益的电压依赖性进行近似的近似式所算出的近似多项式的系数。控制部在控制第2致动器的动作时,根据使用所述系数的近似多项式、和输入到第2致动器的电压的振幅来计算第2致动器的增益的振幅。
  • 磁盘装置
  • [发明专利]盘装置及其制造方法-CN202010703840.X有效
  • 时崎智行 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2020-07-21 - 2022-12-02 - G11B5/48
  • 本发明的实施方式提供提高了制造性的盘装置及其制造方法。根据实施方式,盘装置包括:具有第1执行器模块(29)的第1头执行器(22A)、具有第2执行器模块的第2头执行器(22B)、以及与第1头执行器和第2头执行器连接的配线基板单元。配线基板单元具有柔性印刷配线基板,该柔性印刷配线基板具有基体部和从基体部延伸出来的至少2根伸出部,伸出部各自包括设有多个连接焊盘的接合部(46)和切断加工痕部(62A、62B),一方的接合部安装于第1执行器模块,在连接焊盘接合第1配线部件的连接端部(43)。另一方的接合部安装于第2执行器模块,在连接焊盘接合第2配线部件的连接端部。
  • 装置及其制造方法
  • [发明专利]磁头及磁记录装置-CN202210078110.4在审
  • 中川裕治;成田直幸;高岸雅幸;前田知幸;永泽鹤美 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2022-01-24 - 2022-11-29 - G11B5/10
  • 提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。根据实施方式,磁头包括第1、第2磁极和设置于第1、第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第1磁性层与第2磁极之间的第2磁性层、设置于第1磁性层与第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第2磁极之间的第2非磁性层及设置于第1磁极与第1磁性层之间的第3非磁性层。第1磁性层包含包括Fe、Co及Ni的至少1个的第1元素。第2磁性层包含(Fe100‑xCox)100‑yEy(10atm%≤x≤50atm%,10atm%≤y≤90atm%)。第2元素E包括选自由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群的至少1个。第1磁性层不包含第2元素,或者,第1磁性层中的第2元素的浓度比第2磁性层中的第2元素的浓度低。
  • 磁头记录装置
  • [发明专利]半导体装置-CN202210137348.X在审
  • 雁木比吕;田口安则;井口智明;小林勇介;根本宏树 - 株式会社东芝
  • 2022-02-15 - 2022-11-29 - H01L29/40
  • 实施方式的半导体装置具有:第一电极;第二电极;包含第一半导体区域、第二半导体区域以及第三半导体区域在内的半导体层;第三电极;第一绝缘区域;第二绝缘区域;第四电极,具有包含第一部分、第二部分以及第三部分在内的在第一方向上连续的多个部分,第一部分的第二方向上的宽度为第一宽度,第二部分在第一方向上位于比所述第一部分靠所述第二电极侧,所述第二方向上的宽度为比所述第一宽度小的第二宽度,第三部分与所述第二部分邻接,在所述第一方向上位于比所述第二部分靠所述第二电极侧,所述第二方向上的宽度为比所述第二宽度大的第三宽度;以及第三绝缘区域。
  • 半导体装置
  • [发明专利]头致动器及盘装置-CN202210104721.1在审
  • 根反祥史;青木健一郎 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2022-01-28 - 2022-11-29 - G11B21/12
  • 本发明提供减少布线间的串扰而可靠性提高的头致动器及盘装置。根据实施方式,头致动器及盘装置具备具有第1布线构件的第1悬架组件和具有第2布线构件的第2悬架组件。第1布线构件包括在第1布线构件的宽度方向上隔开间隔而并列的至少4条第1读布线及至少4条第1写布线。第2布线构件的多条第2布线包括在第2布线构件的宽度方向上隔开间隔而并列的至少4条第2读布线及至少4条第2写布线。至少2条第1读布线及至少2条第1写布线以在与第1布线构件的表面垂直的方向上与第2读布线及第2写布线不相对的方式,排列于相对于第2读布线及第2写布线在宽度方向上错开的位置。
  • 头致动器装置

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