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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]液体吐出头及液体吐出装置-CN201921749927.X有效
发明人：井冈久美子;相泽隆博;栂嵜隆 -专利权人：东芝泰格有限公司
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： B41J2/14 文献下载
摘要：本实用新型提供一种可以使液体吐出部内的液体均热化的液体吐出头以及液体吐出装置。实施方式所涉及的液体吐出头具有：液体吐出部，其包括第一共通室、构成与第一共通室连接的多个压力室的致动器、以及与多个压力室连接的第二共通室；流入管部，其将液体供给到第一共通室；流出管部，其将液体从第二共通室排出；冷却装置，其包括冷却板和冷却流路，冷却板与第二共通室的外表面的一部分或者流出管部的外表面的一部分接触，第二共通室的外表面的一部分包括液体吐出部的在液体流动方向上最远离流入管部的位置，冷却流路设置在冷却板上，供冷却水通过。通过本实用新型，可以降低液体吐出部内的液体的温度，并使液体吐出部内的液体均热化。
液体吐出装置

[发明专利]半导体模块以及半导体装置-CN201611144609.1在审
发明人：井口知洋;佐佐木阳光;山本哲也;栂嵜隆 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2016-12-13 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一实施方式的半导体模块具有第一和第二布线部、多个第一半导体装置以及多个第二半导体装置。上述第二布线部与上述第一布线部对置地设置。上述第三布线部与上述第一布线部对置地设置。各个第一半导体装置设置在上述第一布线部与上述第二布线部之间，具有第一开关元件，该第一开关元件的输入端子或输出端子与上述第一布线部电连接。各个第二半导体装置设置在上述第一布线部与上述第三布线部之间，具有第二开关元件，上述第二开关元件的输出端子或输入端子与上述第一开关元件相反地电连接于上述第一布线部。
半导体模块以及装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201510099075.4在审
发明人：西内秀夫;栂嵜隆;田岛尚之 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-03-06 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明提供能够谋求小型化、可靠性的提高的半导体装置。根据一个实施方式，第一半导体元件的第一电极连接于第一导电体，第一半导体元件的第二电极连接于第二导电体，第一半导体元件的控制电极连接于第一信号端子。第二半导体元件的第一电极连接于第一导电体，第二半导体元件的第二电极连接于第二导电体。第三半导体元件的第一电极连接于第三导电体，第三半导体元件的第二电极连接于第四导电体，第三半导体元件的控制电极连接于第二信号端子。第四半导体元件的第一电极连接于第三导电体，第四半导体元件的第二电极连接于第四导电体。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置-CN201210282425.7无效
发明人：佐佐木遥;山本敦史;小谷和也;久里裕二;栂嵜隆;北泽秀明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-08-09 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法及半导体装置，通过通用性较高、能够得到良好的高温环境下的可靠性的方法进行半导体芯片的安装，能够进行半导体装置的高温动作。在安装基板与半导体芯片之间夹装如下的接合层，并在熔融层的熔点以上的温度下保持，通过液相扩散形成比熔融层熔点高的合金层，使安装基板与半导体芯片接合，上述接合层具有：含有从Cu、Al、Ag、Ni、Cr、Zr、Ti中选择的某种金属或其合金的接合支撑层；和夹着接合支撑层而层叠的、含有从Sn、Zn、In中选择的某种金属或由从该金属中选择的两种以上的金属构成的合金的熔融层，上述接合层至少在最外层形成有熔融层。
半导体装置制造方法

[发明专利]超声波探头及用于制造超声波探头的方法-CN201210080729.5有效
发明人：大石美智子;朝桐智;栂嵜隆;宫城武史 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-03-23 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： A61B8/00 文献下载
摘要：一种超声波探头包括换能器、基板、第一柔性布线基板、第二柔性布线基板和虚设材料，所述基板包括电子部件以及形成在前表面和后表面上的电极，该第一柔性布线基板以这样的方式连接：第一端部连接到换能器并且第二端部连接到位于该基板的前表面一侧的电极，该第二柔性布线基板以这样的方式连接：第一端部连接到换能器并且第二端部连接到位于该基板的后表面一侧的电极，并且虚设材料具有与该第一柔性布线基板的刚性和厚度相同的刚性和厚度，虚设材料被布置在对应于第二柔性布线基板的第二端部、与所述基板的前表面一侧的电极相邻的部位处。
超声波探头用于制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置-CN201010243543.8有效
发明人：山下创一;右田达夫;饭岛匡;宫田雅弘;内田雅之;栂嵜隆;江泽弘和 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明一般涉及半导体装置的制造方法以及半导体装置。根据本发明，在具有作为第1导电层的电极端子的基板上使感光性树脂膜改性，形成具有到达电极端子的第1开口和第2开口的绝缘层。接着，在包含第1开口内的绝缘层上形成与电极端子电连接的第2导电层，在第2导电层上形成第3导电层，该第3导电层与第1导电层的氧化还原电位之差小于第1导电层与第2导电层的氧化还原电位之差。接着，使感光性树脂膜改性，形成具有到达第3导电层的第3开口、和经由第2开口到达电极端子的第4开口的绝缘层，并形成与第3导电层电连接的凸块。
半导体装置制造方法以及

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