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[发明专利]在(100)GaAs衬底上制备ZnTe外延厚膜的方法-CN201510468759.7有效
发明人： 査钢强;李嘉伟;李颖锐;曹昆;席守志;蔺云;汤三奇;介万奇 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2015-08-04 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种在(100)GaAs衬底上制备ZnTe外延厚膜的方法，用于解决现有方法制备ZnTe外延厚膜生长速率慢的技术问题。技术方案是将经过处理的ZnTe生长源及(100)GaAs衬底放入生长炉腔室内，生长前采用高纯Ar反复清洗生长炉腔室以去除残余空气并充入Ar至目标压强，加热ZnTe生长源和(100)GaAs衬底，加热到一定温度后，生长源继续升温至目标温度，衬底停止加热，依靠生长源处热辐射维持厚膜生长所需温度。本发明通过控制ZnTe生长源温度、生长炉腔室压力以及生长源与衬底之间的距离，来控制生长ZnTe外延厚膜的速率，其生长速率由背景技术的10μm/h提高到20μm/h～100μm/h。
100 gaas 衬底制备 znte 外延方法

[发明专利]碲锌镉像素探测器的封装方法-CN201410123591.1在审
发明人： 査钢强;王闯;齐阳;赵清华;杨波;李利娜;介万奇 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲锌镉像素探测器的封装方法，用于解决现有探测器的封装方法实用性差的技术问题。技术方案是采用具有很好连接性能并保证不破坏CZT晶片的聚合物导电银胶进行连接。导电银胶选用微米级片状银粉作为导电填料，环氧树脂和固化剂作为基体树脂制备而成，具有一定的拉伸性能并能很好分散，同时用银填料具有很好的导电性能，在一定温度下固化或干燥后既能有效地粘接CZT晶片和基板，又能具有良好导电性能。同时针对像素阵列CZT探测器电极密度大，一次准确连接的要求，采用丝网印刷的方法在PCB板像素电极上涂刷导电银胶，再将晶片倒扣进行准确贴合，来实现单个像素的精准连接，同时不会对较脆的CZT晶片造成破坏，实用性强。
碲锌镉像素探测器封装方法

[发明专利]基于二硼化钛的复合刀具涂层及其制备方法-CN201410057176.0无效
发明人：华云峰;査钢强;姚栋嘉;王琳琳;王晓明 -专利权人：西工大常熟研究院有限公司
申请日： 2014-02-20 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于二硼化钛的复合刀具涂层及其制备方法，复合刀具涂层包括交替层叠的TiB₂-Ni层和DLC-Ni层，所述的TiB₂-Ni层和DLC-Ni层的厚度为纳米级；它的制备方法依次包括以下步骤：（a）在仪器上分别安装TiB₂源、碳源、金属Ni源以及基板；（b）将所述的仪器抽真空，并加热待附着基板；（c）向仪器内通入惰性气体，分别设置好TiB₂源、碳源和金属Ni源的配比和参数，交替开合TiB₂源、碳源挡板进行物理气相沉积30~200分钟即可。本发明基于二硼化钛的复合刀具涂层，一方面将TiB₂-Ni层和DLC-Ni层交替层叠设置，利用DLC的高硬度、电导率高等特点，使得复合刀具涂层具有韧性好、导热性和导电性能好的优点，且其硬度可达20GPa；另一方面由于TiB₂特殊的耐铝粘连性能，特别适用于铝合金的干切削。
基于二硼化钛复合刀具涂层及其制备方法