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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]氧化物分散强化型铂合金的制造方法-CN201180050597.5有效
发明人：山嵜春树;柳原浩;鹤冈英和 -专利权人：田中贵金属工业株式会社
申请日： 2011-10-18 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： B22F9/04 文献下载
摘要：本发明是氧化物分散强化型铂合金的制造方法，其包括利用具备容器、粉碎介质、搅拌棒的粉碎装置，在溶剂中对由铂合金构成的被粉碎物进行粉碎处理的工序，其中，上述容器、粉碎介质、搅拌棒中的至少与被粉碎物的接触面由铂或铂合金构成，在上述溶剂中投入过氧化氢溶液来进行粉碎。利用本发明，与以往的方法相比，能够制造更高品质的氧化物分散强化型铂合金。
氧化物分散强化合金制造方法

[发明专利]反射膜或半透反射膜用的薄膜及溅射靶材以及光记录介质-CN200680054819.X无效
发明人：小幡智和;柳原浩 -专利权人：田中贵金属工业株式会社
申请日： 2006-11-17 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：本发明是在由银或银合金形成的基质中分散由镓、钯、铜的氮化物、氧化物、复合氧化物、氮氧化物、碳化物、硫化物、氯化物、硅化物、氟化物、硼化物、氢化物、磷化物、硒化物、碲化物中的至少一种形成的化合物相而成的反射膜或半透反射膜用的薄膜。作为薄膜中的化合物相，除上述之外，还可以包含银的氮化物、氧化物、复合氧化物、氮氧化物、碳化物、硫化物、氯化物、硅化物、氟化物、硼化物、氢化物、磷化物、硒化物、碲化物中的至少一种。本发明的薄膜即使长期使用反射率的下降也少，可以延长光记录介质、显示器等采用反射膜的各种装置的寿命。此外，也可以用于光记录介质中所采用的半反半透膜。
反射薄膜溅射以及记录介质

[发明专利]反射膜或半透反射膜用的薄膜及溅射靶材以及光记录介质-CN200680054809.6无效
发明人：小幡智和;柳原浩 -专利权人：田中贵金属工业株式会社
申请日： 2006-11-17 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： G11B7/26 文献下载
摘要：本发明是在由银或银合金形成的基质中分散由镝、钆、铒、镨、钐、镧、钇的氮化物、氧化物、复合氧化物、氮氧化物、碳化物、硫化物、氯化物、硅化物、氟化物、硼化物、氢化物、磷化物、硒化物、碲化物中的至少一种形成的化合物相而成的反射膜或半透反射膜用的薄膜。除镝等之外，该薄膜还可以包含银和/或镓、钯、铜的氮化物、氧化物、复合氧化物、氮氧化物、碳化物、硫化物、氯化物、硅化物、氟化物、硼化物、氢化物、磷化物、硒化物、碲化物中的至少一种。本发明的薄膜即使长期使用反射率的下降也少，可以延长光记录介质、显示器等采用反射膜的各种装置的寿命。此外，也可以用于光记录介质中所采用的半反半透膜。
反射薄膜溅射以及记录介质

[发明专利]反射膜或半透反射膜用的薄膜及溅射靶材以及光记录介质-CN200680054804.3无效
发明人：小幡智和;柳原浩 -专利权人：田中贵金属工业株式会社
申请日： 2006-11-17 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：本发明是在由银形成的基质中分散银的氮化物、氧化物、复合氧化物、氮氧化物、碳化物、硫化物、氯化物、硅化物、氟化物、硼化物、氢化物、磷化物、硒化物、碲化物中的至少一种银化合物相而形成的反射膜或半透反射膜用的薄膜。本发明的薄膜即使长期使用反射率的下降也少，可以延长光记录介质、显示器等采用反射膜的各种装置的寿命。此外，也可以用于光记录介质中所采用的半反半透膜。
反射薄膜溅射以及记录介质

[发明专利]反射膜或半透反射膜用的薄膜及溅射靶材以及光记录介质-CN200680054798.1无效
发明人：小幡智和;柳原浩 -专利权人：田中贵金属工业株式会社
申请日： 2006-11-17 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：本发明是在由银或银合金形成的基质中分散由铝、镁、锡、锌、铟、钛、锆、锰、硅的氮化物、氧化物、复合氧化物、氮氧化物、碳化物、硫化物、氯化物、除硅以外的硅化物、氟化物、硼化物、氢化物、磷化物、硒化物、碲化物中的至少一种形成的化合物相而成的反射膜或半透反射膜用的薄膜。除铝等之外，该薄膜还可以包含银、镓、钯、铜的氮化物、氧化物、复合氧化物、氮氧化物、碳化物、硫化物、氯化物、硅化物、氟化物、硼化物、氢化物、磷化物、硒化物、碲化物中的至少一种。本发明的薄膜即使长期使用反射率的下降也少，可以延长光记录介质、显示器等采用反射膜的各种装置的寿命。此外，也可以用于光记录介质中所采用的半反半透膜。
反射薄膜溅射以及记录介质

[发明专利]光记录介质的反射膜用的银合金-CN200380100206.1有效
发明人：毛冢弘之;柳原浩 -专利权人：田中贵金属工业株式会社
申请日： 2003-12-09 - 公布日： 2005-11-30 - 主分类号： G11B7/26 文献下载
摘要：本发明是含有以银为主要成分，以铟及/或锡为添加元素的光记录介质的反射膜用的银合金。该添加元素的浓度较好为0.1－25重量％，特好在0.1－5.0重量％范围时，可抑制反射率的降低。若考虑到反射层的导热率的话，进一步限定添加元素的浓度到0.1－0.5重量％，可形成高导热率的反射层。
记录介质反射合金

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共 6 条

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