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[发明专利]提高CdZnTe探测器性能的CdZnTe/GaAs外延膜及制备方法-CN202110852294.0有效
发明人：万鑫;查钢强;李阳;曹昆;刘雅洁;魏鹤鸣;李颖锐 -专利权人：西北工业大学;西北工业大学青岛研究院
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高CdZnTe探测器性能的CdZnTe/GaAs外延膜及制备方法，基于P型GaAs衬底上生长CdZnTe厚膜并在Te2气氛中进行等温退火。将其制备成Au/CdZnTe/p‑GaAs/Au探测器，与退火之前相比，CdZnTe外延膜的电阻率明显提高，探测器对241Am@5.49MeVα粒子响应更加灵敏，能量分辨率提高，并且在退火之后出现了对241Am@59.5KeVγ射线的响应。本发明提供的改性方法包括衬底的预处理、CdZnTe外延膜的生长过程、CdZnTe外延膜的退火过程及辐射探测器的制备。
提高 cdznte 探测器性能 gaas 外延制备方法

[发明专利]近空间升华法用CdZnTe生长源的处理方法-CN202310548688.6在审
发明人：曹昆;刘宇;查钢强;李颖锐;姜然;刘佳虎 -专利权人：西北工业大学;深圳翱翔锐影科技有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明提供了近空间升华法用CdZnTe生长源的处理方法。该近空间升华法用CdZnTe生长源的处理方法包括以下步骤：S1、CdZnTe晶锭切割，选取CdZnTe晶锭，并将所述CdZnTe晶锭切割成标准厚度的圆片；S2、CdZnTe生长源打磨；S3、CdZnTe生长源清洗腐蚀，对CdZnTe生长源依次进行清洗腐蚀动作；S4、预蒸发程序设置；S5、预蒸发；S6、超声清洗；S7、外延膜生长。未经过本发明处理的生长源通过近空间升华法长时间加热生长只会得到多晶膜，而采用本发明处理后的生长源由于预蒸发过程会去除生长源表面的损伤层会得到更大单晶面积的外延单晶膜。相较于CdZnTe多晶膜，CdZnTe外延单晶膜没有晶界，因而具有更好的载流子输运性能，光电性能提高，能谱性能提高。
空间升华 cdznte 生长处理方法

[发明专利]能量补偿方法及装置-CN201810411519.7有效
发明人： 查钢强 -专利权人：西安艾克斯光电科技有限公司
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G01T1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种能量补偿方法及装置，涉及辐射测量技术领域，包括：所述处理装置根据所述不同能量剂量场的计数率值获取对应的能量响应值；所述处理装置将不同能量剂量场的能量响应值划分为n个能区；所述处理装置根据D＝a1*C1+a2*C2+…an*Cn，对不同能区的计数率值进行加权，实现不同能区的计数率值的补偿，以减小设置有所述能量补偿装置的个人剂量仪的能量响应相对于137Cs的响应偏差，其中，n表示能区个数，C1、C2…Cn分别为能区内的计数率值，a1、a2…an分别为每个能区对应的权重系数。在保证满足国家标准要求的能量响应偏差的同时，还增大CZT探测器的灵敏度，提高了测量精度，同时降低了整个个人剂量仪的重量和体积，便于仪表的携带。
能量补偿方法装置

[发明专利]一种黄铜棒生产用智能检测筛分设备-CN202211389812.0有效
发明人：胡铜生;查钢强;汪东;王成楼;金永胜;张新磊;张磊 -专利权人：江苏迪泰克精密仪器有限公司;铜陵有色股份铜冠黄铜棒材有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G01B13/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种黄铜棒生产用智能检测筛分设备，用作检测筛分黄铜棒，检测筛分设备包括支撑座、平移驱动、万向驱动、接电组件，支撑座双端旋转支撑安装黄铜棒，支撑座安装在平移驱动上，万向驱动为黄铜棒一端施加旋转运动，支撑座通过与黄铜棒接触的圆周方向支撑力分布检测黄铜棒形变量。支撑座包括环座、向心柱、差压计，环座安装到平移驱动上，环座内沿圆周方向均布设置若干液压腔，液压腔内设置向心柱，向心柱径向在内的一端形成包络圆围绕黄铜棒，液压腔内在黄铜棒安装时注入相等压力，液压腔数量为四以上的偶数，相对的液压腔连接同一差压计。接电组件抵触在黄铜棒的两端侧面，接电组件对黄铜棒进行通电，接电组件检测过流电阻变化。
一种黄铜生产智能检测筛分设备

[发明专利]快速退火制备高性能CdZnTe X射线探测器方法-CN202310549237.4在审
发明人：曹昆;姜然;查钢强;李颖锐;刘佳虎;刘宇 -专利权人：西北工业大学;深圳翱翔锐影科技有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了快速退火制备高性能CdZnTe X射线探测器方法。该快速退火制备高性能CdZnTe X射线探测器方法包括以下步骤：S1、CdZnTe生长源的预处理，选择合格的CdZnTe生长源，并对CdZnTe生长源进行预处理动作；S2、CdZnTe薄膜的生长，设置生长参数在衬底上进行生长动作；S3、CdZnTe薄膜的划片处理，将经过所述步骤S2生长后的CdZnTe薄膜经行划片处理；S4、CdZnTe薄膜退火，将经过划片处理的CdZnTe薄膜进行退火处理；S5、探测器制备，其中，本发明通过各个步骤的配合优化了金半接触特性，减少了生长时间，获得了光响应特性优异的CdZnTe成像探测器。
快速退火制备性能 cdznte 射线探测器方法

[发明专利]新型结构的CdZnTe探测器的制备方法-CN202310561567.5在审
发明人：曹昆;刘佳虎;查钢强;李颖锐;姜然;刘宇 -专利权人：西北工业大学;深圳翱翔锐影科技有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了新型结构的CdZnTe探测器的制备方法。该新型结构的CdZnTe探测器的制备方法包括以下步骤：S1、衬底预处理，对GaAs衬底进行预处理；S2、CdZnTe多晶源预处理，对CdZnTe多晶源进行预处理；S3、CdZnTe膜的生长程序的设置，对CdZnTe膜生长温度和时间参数设置；S4、CdZnTe膜生长，采用多晶源Cd0.9‑0.8Zn0.1‑0.2Te，对CdZnTe膜进行生长处理；S5、CdZnTe阻挡层的生长程序的设置，对CdZnTe阻挡层生长温度和时间参数进行设置；S6、CdZnTe阻挡层生长，采用多晶源Cd0.8‑0.5Zn0.2‑0.5Te，对CdZnTe阻挡层进行生长处理；S7、CdZnTe探测器的制备，本发明的新型结构的CdZnTe探测器的制备方法通过各个步骤的相互配合，外延膜表面增加阻挡层，减小离子注入，提高膜的电阻率，减小漏电流，降低噪声，提高探测器的能量分辨率，载流子迁移率寿命积。
新型结构 cdznte 探测器制备方法

[发明专利]一种多视场X射线成像拼接方法-CN202111217884.2有效
发明人：康阳;吴森;李颖锐;武蕊;范东海;查钢强 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： A61B6/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种多视场X射线成像拼接方法，集时对成像物体进行多视场的X射线扫描。通过在多视场投影重叠部分得到物体的深度信息，克服单视场投影没有物体的深度信息的弊端。投影数据加权融合为将各个视场中各像素的投影值通过计算赋予权重，加权得到重叠位置点的近似“平行光”投影数据。像素归一为将上一步得到的所有重叠点属于同一像素的部分各自取平均值，并赋予到对应的像素并输出得到一幅完整的图像。本发明可以显著提高扫描图像的拼接质量，在X射线扫描的同时就进行拼接，并且可以根据成像物体拼接精度的要求选择视场的使用数目，整个方法探测速度快，患者所受辐射小，成像效果好。可满足对X射线成像的低剂量，高精度的要求。
一种视场射线成像拼接方法

[发明专利]一种便携式辐射剂量仪及剂量监控设备-CN201810413746.3有效
发明人： 查钢强 -专利权人：西安艾克斯光电科技有限公司
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G01T1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种便携式辐射剂量仪及剂量监控设备，属于放射性检测仪器技术领域。该便携式辐射剂量仪包括：CZT探测器、信号处理系统和屏蔽罩。CZT探测器与信号处理系统耦合，CZT探测器和信号处理系统均设置于所述屏蔽罩内，信号处理系统用于对CZT探测器输出的电信号进行放大、成形、筛选处理后输出，屏蔽罩由金属材料制成。采用了CZT探测器，从而保证了出色的探测效率。加之，采用信号处理系统对所述CZT探测器输出的电信号进行放大、成形、筛选处理，从而可以改变输出信号的幅值、脉宽等，以提高便携式辐射剂量仪及剂量监控设备的剂量线性。该屏蔽罩可以避免CZT探测器和信号处理系统受到外界电磁信号的干扰，以提高辐射剂量率的准确性。
一种便携式辐射剂量监控设备

[发明专利]一种便携式辐射剂量仪及剂量监控设备、分段处理方法-CN201810412050.9有效
发明人： 查钢强 -专利权人：西安艾克斯光电科技有限公司
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G01T1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种便携式辐射剂量仪及剂量监控设备、分段处理方法，属于放射性检测仪器技术领域。该便携式辐射剂量仪包括：CZT探测器、信号处理系统、处理器和由金属材料制成的屏蔽罩。CZT探测器、信号处理系统和处理器依次耦合，CZT探测器、信号处理系统和处理器均设置于屏蔽罩内。与现有技术相比，由于采用信号处理系统对所述CZT探测器输出的电信号进行放大、成形、筛选处理后输出给所述处理器进行预处理，从而可以改变输出信号的幅值、脉宽等，以提高便携式辐射剂量仪及剂量监控设备的剂量线性，保证了该CZT探测器的工作电压在降至人体的安全电压时，该便携式辐射剂量仪仍然具备较高的探测效率。
一种便携式辐射剂量监控设备分段处理方法

[发明专利]一种CZT辐射探测薄膜材料的表面处理方法-CN202011281223.1有效
发明人：李易伟;查钢强;张文玉;汪雅伟;曹昆;李阳;李磊;田亚杰 -专利权人：西北工业大学;中广核工程有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L21/461 文献下载
摘要：本发明涉及一种CZT辐射探测薄膜材料的表面处理方法，配置专用的粗抛液和细抛液，对薄膜材料采用外8字磨抛法磨粗抛和细抛薄膜表面，配置专用的腐蚀液，按照腐蚀30s后取出，然后用甲醇超声清洗30s，再用丙酮、酒精和蒸馏水超声波清洗20min，最后用氮气吹干的工艺完成腐蚀；再进行氧离子和氩气刻蚀完成对薄膜材料的表面。本方法通过对CZT多晶厚膜表面进行抛光、腐蚀和刻蚀表面处理，使得CZT多晶膜表面度提高，大幅度提高了厚膜探测器的光电性能。
一种 czt 辐射探测薄膜材料表面处理方法

[发明专利]基于光电流响应的CdZnTe探测器计数率测试方法及装置-CN202211731669.9在审
发明人：李颖锐;李清沛;查钢强;康阳;李佩政;武蕊;吴森;程朝阳;魏登科 -专利权人：陕西翱翔辐射探测科技有限公司;深圳翱翔锐影科技有限公司;西北工业大学
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G01T7/00 文献下载
摘要：本发明提供了基于一种光电流响应的CdZnTe探测器计数率测试方法及装置，其方法包括：获取CdZnTe探测器在X射线处于不同管电流下的计数率变化曲线；进行预设管电流步进并获取CdZnTe探测器在不同采集时间下的光电流台阶曲线中，并进行均值与拟合处理，得到管电流与光电流的关联关系；基于管电流与光电流的关联关系以及不同的探测器工作偏压下判断光电流台阶曲线的稳定性，基于稳定性确定CdZnTe探测器是否处于极化状态；CdZnTe探测器在非极化状态时，基于计数率变化曲线对CdZnTe探测器进行计数率测试。本发明通过对比计数率曲线和光电流响应曲线，可以快速判断探测器是否在非极化状态，在最终某一管电压下的计数率拟合曲线中，可以准确地测评高计数率CdZnTe探测器在某一X射线剂量下的计数率。
基于电流响应 cdznte 探测器计数测试方法装置

[发明专利]一种匹配像素探测器的基于正三角形的伽马射线准直器-CN202011205503.4有效
发明人： 查钢强;武蕊;李颖锐;曹昆;魏登科;吴森;康阳 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G21K1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种匹配像素探测器的基于正三角形的伽马射线准直器，包括：与伽马射线探测器阳极像素电极数量和排布一致的正三角形孔或截角正三角形孔；可使伽马射线强度衰减入射强度95％以上的最小孔间距；在垂直于准直孔特征形状所在平面且互相平行排布的贯通准直孔；由准直器使能区侧壁及准直孔特征平面未开孔区域构成探测器的屏蔽层；在探测器底端起机架固定和支撑作用的圆形承托盘；由圆形承托盘内部开孔和准直器使能区内部的中下部分开槽两部分组合构成的探测器装配区；圆形承托盘上周期通孔构成的固定孔。本发明专利描述的准直器，在达到相同的准直效果时可使较多的伽马射线入射到探测器上，实现高效率的伽马射线成像要求。
一种匹配像素探测器基于正三角形伽马射线准直器

[发明专利]一种具有高能量分辨率的像素型伽马射线探测器-CN202211262696.6在审
发明人： 查钢强;范东海;魏登科;武蕊;陈冬雷 -专利权人：西北工业大学深圳研究院;中广核工程有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有高能量分辨率的像素型伽马射线探测器，包括占探测器阳极表面中间区域大部分的密排矩形中间电极；占探测器阳极表面边缘区域大部分、尺寸为所述矩形电极3/4的矩形边缘电极；阳极平面内各类电极间具有相等的分隔间距；占探测器侧面面积2/5、由阳极向阴极扩展的侧面环电极；阴极平面与探测器边缘相距同所述分隔间距相等的完整电极。本发明制备的像素型伽马射线探测器可以改善探测器内部电场和权重场的不均匀性，提高边缘电极探测性能，提高探测器整体计数的均匀性，探测效率高、能谱性能优异，可以满足辐射剂量监测等领域对探测器探测高效率、高分辨率的应用要求。
一种具有高能量分辨率像素伽马射线探测器

[实用新型]一种用于多种铜屑混合自动配料流水线的磁选装置-CN202221795280.6有效
发明人：汪东;查钢强;胡铜生;王成楼;金永胜;张新磊;张磊 -专利权人：铜陵有色股份铜冠黄铜棒材有限公司;江苏迪泰克精密仪器有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： B03C1/18 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于多种铜屑混合自动配料流水线的磁选装置，包括物料输送机，物料输送机一侧的下端焊接第一支架，物料输送机一侧的上端焊接有两组第二支架，第一支架与第一电动推杆的一端铰接，第一电动推杆的输出端铰接有连接杆，连接杆的两端连接有连接架，两组连接架的一端与两组第二支架铰接，两组连接架的另一端与夹板的一侧连接，本实用新型通过第一电动推杆的伸出，推动连接杆，带动连接架以第二支架为支点转动，同时第一电动推杆会以第一支架为支点进行转动，利用连接架推动两组夹板相互靠近，将吸附的多余的金属杂物进行夹断，使吸附更牢的金属杂物随电磁铁移动时不会散落。
一种用于多种混合自动配料流水线磁选装置

[实用新型]一种多种铜屑混合料仓的升降调节结构-CN202221918433.1有效
发明人：汪东;查钢强;胡铜生;王成楼;金永胜;张新磊;张磊 -专利权人：铜陵有色股份铜冠黄铜棒材有限公司;江苏迪泰克精密仪器有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： B01F35/71 文献下载
摘要：本实用新型公开一种多种铜屑混合料仓的升降调节结构，包括底板，所述底板表面固定安装有安装杆，所述安装杆顶部固定安装有输送道，所述底板表面固定安装有多个导向杆，多个所述导向杆外侧滑动连接有升降板，所述底板表面固定安装有驱动结构，所述升降板表面固定安装有两个连接件，所述连接件表面活动连接有L形支撑杆，两个所述L形支撑杆一端固定连接有料仓，所述L形支撑杆一端固定连接有齿轮，所述料仓一侧铰接有仓门，所述料仓一侧开设有出料孔。本实用新型便于调节料仓的高度，从而改变料仓与输送道之间的距离，防止铜屑对料仓造成伤害，并且便于控制料仓角度进行倒料的工作。
一种多种混合升降调节结构

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