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[实用新型]一种用于城市消防的消防栓施工安装的防护装置-CN202022688113.9有效
发明人： 柏文斌 -专利权人：湖北兴屹工程技术有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： E03B9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于城市消防的消防栓施工安装的防护装置，包括消防栓本体、上盖和底座，底座位于消防栓本体外侧底部，上盖位于消防栓本体外侧上部，上盖和底座可拆卸连接；底座的底部对称设有四根支撑杆；支撑杆的一端固定在底座上，另一端固定连接有卡接组件，四个卡接组件分别与消防栓本体的外侧壁相适配。本实用新型将消防栓本体放入防护装置的底座中，消防栓本体的底部与底座紧密配合，转动支撑杆，使支撑杆上的卡接组件与消防栓本体的外侧壁相卡接，即可夹紧消防栓本体；将上盖安装到底座的顶部，即可完成消防栓的安装。在需要使用消防栓时，将上盖拆除，直接露出消防栓本体的整个上部分，方便消防人员打开出水口的密封盖并进行取水。
一种用于城市消防消防栓施工安装防护装置

[发明专利]时钟网络电路、电路系统、芯片及电子设备-CN201911275767.4在审
发明人：管健;张明明;柏文斌;刘毅 -专利权人：涌现（南京）芯片科技有限公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： G06F1/04 文献下载
摘要：提供一种时钟网络电路、电路系统、芯片及电子设备。所述时钟网络电路包括：时钟信号源以及依次相连的多级时钟缓冲电路，其中，所述时钟信号源，用于通过所述多级时钟缓冲电路向时序网络电路中的沿数据流的方向依次设置的多级时序电路提供时钟信号；所述多级时钟缓冲电路与所述多级时序电路一一对应，且按照时钟级别从高到低的顺序，沿与所述数据流的方向相反的方向依次设置，其中，所述多级时钟缓冲电路中的第一级时钟缓冲电路的时钟级别最高，最后一级时钟缓冲电路的时钟级别最低。
时钟网络电路系统芯片电子设备

[实用新型]基于集成电容器的高压电平位移电路-CN201120371360.4有效
发明人：方健;陈吕赟;王泽华;吴琼乐;柏文斌;管超;杨毓俊;黎俐;向莉;梁晨陇;李曼 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本实用新型涉及基于集成电容器的高压电平位移电路，包括振荡器单元、传输门单元、普通放大器单元、检波单元、比较器单元、集成电容器单元和回路电阻；数字控制电压输入端连接传输门单元；振荡器单元的输出端连接传输门单元；传输门单元的输出端连接集成电容器单元的正极端；集成电容器单元的正极端连接传输门单元的输出端，负极端连接一个回路电阻，并和普通放大器单元的输入端连接；回路电阻位于集成电容器单元的负极输出端和普通放大器单元的输入端之间。本实用新型的有益效果：通过集成电容器单元实现电平位移电路，可实现输入电压信号的整体电平位移，即输入电压信号的高电平电位和低电平电位一起位移相同的幅度。
基于集成电容器高压电平位移电路

[发明专利]基于集成电容器的高压电平位移电路-CN201110297801.5无效
发明人：方健;陈吕赟;王泽华;吴琼乐;柏文斌;管超;杨毓俊;黎俐;向莉;梁晨陇;李曼 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本发明涉及基于集成电容器的高压电平位移电路，包括振荡器单元、传输门单元、普通放大器单元、检波单元、比较器单元、集成电容器单元和回路电阻；数字控制电压输入端连接传输门单元；振荡器单元的输出端连接传输门单元；传输门单元的输出端连接集成电容器单元的正极端；集成电容器单元的正极端连接传输门单元的输出端，负极端连接一个回路电阻，并和普通放大器单元的输入端连接；回路电阻位于集成电容器单元的负极输出端和普通放大器单元的输入端之间。本发明的有益效果：通过集成电容器单元实现电平位移电路，可实现输入电压信号的整体电平位移，即输入电压信号的高电平电位和低电平电位一起位移相同的幅度。
基于集成电容器高压电平位移电路

[发明专利]一种集成变压器-CN201110204919.9无效
发明人：方健;杨毓俊;黎俐;唐莉芳;王泽华;柏文斌;陈吕赟;吴琼乐;管超;李曼;梁晨陇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-07-21 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01F27/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成变压器，具体包括初级线圈和次级线圈，所述初级线圈和次级线圈包括至少一个第一导体层导线、至少一个第二导体层导线和至少一个连接孔。本发明利用相邻的两层导体构成的空心互耦线圈形成集成变压器，所述的集成变压器的初级线圈和次级线圈的第一导体层和第二导体层的所有导线的中点在任意导体层平面上的投影在一条直线上，因此可以使磁芯窗口面与导体层平面垂直，并且利用了两层导体层间的绝缘层厚度，作为磁芯窗口面的宽度，减小了占用的导体层面积。
一种集成变压器

[实用新型]一种双模式片内电源电路-CN201120028411.3无效
发明人：方健;管超;柏文斌;王泽华;关旭;陈吕赟;吴琼乐 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-01-27 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双模式片内电源电路。针对现有的线性片内电源电路的纹波小，但输出电压调节范围有限；开关片内电源电路的输出电压调整范围大，但纹波也大，本实用新型的电源电路结合了线性片内电源电路和开关片内电源电路的优点，使得输出电压即纹波小、输出电压调节范围大。本实用新型的电源电路包括片内基准源单元、过压欠压逻辑单元、误差放大器单元、功率输出单元和高压JFET，其特征在于，高压JFET的栅极连接到误差放大器单元的输出端，片内基准源单元的输出端连接到误差放大器单元的一个输入端，功率输出单元的输出端连接到误差放大器单元的另一个输入端。
一种双模式片内电源电路

[发明专利]一种双模式片内电源电路-CN201110030086.9无效
发明人：方健;管超;柏文斌;王泽华;关旭;陈吕赟;吴琼乐 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-01-27 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： G05F1/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种双模式片内电源电路。针对现有的线性片内电源电路的纹波小，但输出电压调节范围有限；开关片内电源电路的输出电压调整范围大，但纹波也大，本发明的电源电路结合了线性片内电源电路和开关片内电源电路的优点，使得输出电压即纹波小、输出电压调节范围大。本发明的电源电路包括片内基准源单元、过压欠压逻辑单元、误差放大器单元、功率输出单元和高压JFET，其特征在于，高压JFET的栅极连接到误差放大器单元的输出端，片内基准源单元的输出端连接到误差放大器单元的一个输入端，功率输出单元的输出端连接到误差放大器单元的另一个输入端。
一种双模式片内电源电路

[实用新型]一种电平位移电路-CN201120028429.3无效
发明人：方健;柏文斌;管超;吴琼乐;王泽华;高大伟;陈吕赟;杨毓俊;罗杰 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-01-27 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H03K5/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电平位移电路。针对现有的电平位移电路不能同时实现较小的电路版图的面积和不同占空比输入电压都可以有效的电平位移的缺陷，本实用新型提出了一种电平位移电路，包括双脉冲产生与整形电路、高低电平位移转换电路、高压脉冲滤波整形电路和RS触发器，其特征在于，高低电平位移转换电路包括LDMOS管，NMOS管，第一电阻，第二电阻，第三电阻，第一二极管和第二二极管。相比现有的电平位移电路使用两个LDMOS管，本实用新型只使用了一个LDMOS管，因而减小了版图面积，并且通过单路脉冲的高低电平表征输入控制信号的上升沿和下降沿，实现了不同占空比输入电压的有效的电平位移。
一种电平位移电路

[实用新型]一种电流采样电路-CN201020672028.7无效
发明人：李文昌;方健;王泽华;管超;陈吕赟;吴琼乐;柏文斌;杨毓俊;黎俐;于廷江 -专利权人：成都成电硅海科技股份有限公司
申请日： 2010-12-21 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：一种电流采样电路，涉及电子技术领域。本实用新型包括功率管和采样管，功率管的漏极和采样管的漏极连接电源电压VDD，栅极接第一输入电压，还包括第一运放、第二运放和MOS管，功率管的源极接第一运放的负极和MOS管的漏极，采样管的源极接第一运放的正极，第一运放的输出端接第二运放的正极，基准源连接第二运放的负极，第二运放的输出端接MOS管的栅极，MOS管的源极接地。本实用新型通过两级运放的增益和负反馈技术，提高了传统电流采样电路的采样精度。
一种电流采样电路

[实用新型]一种电流采样电路-CN201120055233.3无效
发明人：方健;王泽华;吴琼乐;陈吕赟;管超;柏文斌;杨毓俊;黎俐 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-03-04 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H02M3/157 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电流采样电路，包括第一NMOS管，第二NMOS管，第三NMOS管，第一电阻，其特征在于，还包括第一单端输出运算放大器，第二单端输出运算放大器，第三单端输出运算放大器，第一双端输出运算放大器，第二双端输出运算放大器，第一乘法器，第二乘法器。本实用新型通过采用五个运算放大器和两个乘法器，并利用第三NMOS管进行负反馈，实现了第一NMOS管和第二NMOS管漏源两极之间的电压成比例，突破了采样技术中要求功率管和采样管的三端电位完全一致的局限，相比于传统的电流采样结构，该电路结构的灵活性更大，同时提高了采样电流精度。
一种电流采样电路

[实用新型]一种高压电平位移电路-CN201120028453.7无效
发明人：方健;柏文斌;管超;吴琼乐;王泽华;陈吕赟;杨毓俊;罗杰;李文昌;于廷江;黄国辉 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-01-27 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高压电平位移电路。针对现有的高压电平位移电路不能同时减小电路版图面积和解决电路存在输出初始状态不定的问题，本实用新型提出了一种高压电平位移电路，包括脉冲产生电路、脉冲整形电路、第一偏置电路、箝位电路、LDMOS管、第二偏置电路、滤波电路和信号恢复电路。相比现有的高压电平位移电路使用两个LDMOS管，本实用新型的电平位移电路只使用了一个LDMOS管，因而减小了电路版图面积；同时通过所述的信号恢复电路，解决了高压电平位移电路输出初始状态不定的问题，在减小版图面积的同时，实现了正确输出电平位移信号的功能。
一种高压电平位移电路

[发明专利]一种电平位移电路-CN201110029933.X无效
发明人：方健;柏文斌;管超;吴琼乐;王泽华;高大伟;陈吕赟;杨毓俊;罗杰 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-01-27 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H03K5/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种电平位移电路。针对现有的电平位移电路不能同时实现较小的电路版图的面积和不同占空比输入电压都可以有效的电平位移的缺陷，本发明提出了一种电平位移电路，包括双脉冲产生与整形电路、高低电平位移转换电路、高压脉冲滤波整形电路和RS触发器，其特征在于，高低电平位移转换电路包括LDMOS管，NMOS管，第一电阻，第二电阻，第三电阻，第一二极管和第二二极管。相比现有的电平位移电路使用两个LDMOS管，本发明只使用了一个LDMOS管，因而减小了版图面积，并且通过单路脉冲的高低电平表征输入控制信号的上升沿和下降沿，实现了不同占空比输入电压的有效的电平位移。
一种电平位移电路

[发明专利]一种电平位移电路-CN201110066729.5无效
发明人：方健;吴琼乐;王泽华;陈吕赟;向莉;柏文斌;管超;杨毓俊;黎俐;唐莉芳;潘福跃;陶垠波;张广胜 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-03-18 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本发明公开了一种电平位移电路。本发明是针对现有的电平位移电路的设计中隔离比较困难的问题而设计的，具体包括振荡器单元、可变增益放大器单元、集成变压器单元、回路电阻、普通放大器单元、检波单元和比较器单元。本发明通过集成变压器单元实现的电平位移电路，借助集成变压器单元良好的隔离特性，解决了电平位移电路的设计中隔离比较困难的问题；同时实现输入电压信号的整体电平位移，即输入电压信号的高电平电位和低电平电位一起位移相同的幅度；并且借助载波的概念，通过振荡器单元使得各种频率的低频电压控制信号都能够进行电平位移。
一种电平位移电路

[发明专利]一种高压LDMOS器件-CN201110050222.0无效
发明人：方健;陈吕赟;管超;王泽华;吴琼乐;柏文斌;杨毓俊;黎俐 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-03-02 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种高压LDMOS器件，包括衬底、位于衬底之上的外延层，位于外延层之上靠漏区一侧且下表面与外延层的下表面重合的漂移区，位于LDMOS器件两端的漏区和源区，在衬底和外延层的交界面上跨过外延层的下表面具有交替排列的至少一对n型半导体区和p型半导体区，n型半导体区和p型半导体区的交接面与所述功率器件工作时的表面电压降方向平行，所述n型半导体区和p型半导体区紧贴排列相互形成PN结。本发明的有益效果是：本发明中的n型半导体区和p型半导体区也被合称为体内降低表面电场层，这种具有体内降低表面电场层的LDMOS器件有效的解决了现有的LDMOS器件提高反向耐压和降低正向导通电阻的矛盾。
一种高压 ldmos 器件

[发明专利]全CMOS精确电流采样电路-CN201010598946.4无效
发明人：李文昌;方健;王泽华;管超;陈吕赟;吴琼乐;柏文斌;杨毓俊;黎俐;于廷江 -专利权人：成都成电硅海科技股份有限公司
申请日： 2010-12-21 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：全CMOS精确电流采样电路，涉及电子技术领域。本发明包括功率管和采样管，功率管的漏极和采样管的漏极连接电源电压VDD，栅极接第一输入电压，还包括第一运放、第二运放和MOS管，功率管的源极接第一运放的负极和MOS管的漏极，采样管的源极接第一运放的正极，第一运放的输出端接第二运放的正极，基准源连接第二运放的负极，第二运放的输出端接MOS管的栅极，MOS管的源极接地。本发明通过两级运放的增益和负反馈技术，提高了传统电流采样电路的采样精度。
cmos 精确电流采样电路

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