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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202110417853.5有效
发明人：洪庆文;吴家荣;张宗宏;林静龄;李怡慧;黄志森;陈意维;林俊贤 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2014-08-04 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件主要包含鳍状结构设于基底上、浅沟隔离环绕该鳍状结构、第一金属栅极设于鳍状结构上、第二金属栅极设于第一金属栅极一侧的鳍状结构边缘以及浅沟隔离上、第三金属栅极设于第一金属栅极另一侧的鳍状结构边缘以及浅沟隔离上、源极/漏极区域设于第一金属栅极两侧的基底中、层间介电层设于基底上并围绕第一金属栅极、第二金属栅极以及第三金属栅极、多个接触插塞电连接源极/漏极区域以及金属硅化物设于该多个接触插塞及源极/漏极区域之间。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202211053337.X在审
发明人： 林静龄;梁文安;黄振铭 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-12-04 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该制作半导体元件的方法为，首先形成一鳍状结构于一基底上，然后形成一第一栅极结构以及一第二栅极结构于鳍状结构上以及一层间介电层环绕第一栅极结构以及第二栅极结构，将第一栅极结构以及第二栅极结构转换为第一金属栅极以及第二金属栅极，形成一硬掩模于第一金属栅极以及第二金属栅极上，去除部分硬掩模、第二金属栅极以及部分鳍状结构以形成一开口，再形成一介电层于凹槽内以形成一单扩散隔离结构。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201711262580.1有效
发明人： 林静龄;梁文安;黄振铭 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-12-04 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该制作半导体元件的方法为，首先形成一鳍状结构于一基底上，然后形成一第一栅极结构以及一第二栅极结构于鳍状结构上以及一层间介电层环绕第一栅极结构以及第二栅极结构，将第一栅极结构以及第二栅极结构转换为第一金属栅极以及第二金属栅极，形成一硬掩模于第一金属栅极以及第二金属栅极上，去除部分硬掩模、第二金属栅极以及部分鳍状结构以形成一开口，再形成一介电层于凹槽内以形成一单扩散隔离结构。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体装置及其制作方法-CN201510001982.0有效
发明人： 林静龄;黄志森;陈奕文 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-01-05 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置及其制作方法，该半导体装置包括栅极金属层、第一层间介电层、底部掩模层、顶部掩模层和第二层间介电层。第一层间介电层会包围栅极金属层的周边，底部掩模层设置在栅极金属层上，其中掩模层和栅极金属层的组成包括至少一相同的金属原子成分，顶部掩模层会顺向性地设置在底部掩模层的表面上，第二层间介电层会设置在顶部掩模层上且直接接触第一层间介电层。
半导体装置及其制作方法

[发明专利]制作半导体元件的方法-CN201410379206.X有效
发明人：洪庆文;吴家荣;张宗宏;林静龄;李怡慧;黄志森;陈意维;林俊贤 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2014-08-04 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开一种制作半导体元件的方法。首先提供一基底，该基底包含至少一金属栅极设于其上、一源极/漏极区域设于金属栅极两侧的基底中以及一层间介电层环绕金属栅极。然后形成多个接触洞于层间介电层中并暴露出源极/漏极区域，形成一第一金属层于接触洞内，进行一第一热处理制作工艺，并接着进行一第二热处理制作工艺。
制作半导体元件方法

[发明专利]金属栅极结构的制作方法-CN201410351939.2有效
发明人： 林静龄;黄志森;邹世芳;林建廷;陈意维;林世雄;陈俊隆;廖琨垣;张峰溢;周孝邦;吕佳霖 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2014-07-23 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开一种金属栅极结构的制作方法，包括首先提供基底，基底上设置有介电层，第一沟槽和第二沟槽设置介电层中，第一金属层和第二金属层分别填满第一沟槽和第二沟槽，其中该第一沟槽的宽度小于该第二沟槽的宽度。之后，形成掩模层，以完全覆盖第二沟槽。在掩模层的覆盖下，进行第一蚀刻制作工艺以去除部分第一金属层。最后进行第二蚀刻制作工艺，以同时去除部分第一金属层和部分第二金属层。
金属栅极结构制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201410430805.X有效
发明人： 林静龄;黄志森;洪庆文;吴家荣;张宗宏;李怡慧;陈意维 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包含一基底、一第一金属栅极设于基底上、一第一硬掩模设于第一金属栅极上、一层间介电层设于第一金属栅极上并环绕该第一金属栅极以及一图案化的金属层镶嵌于层间介电层中，其中图案化的金属层的上表面低于第一硬掩模的上表面。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201410474214.2有效
发明人： 林静龄;黄志森;洪庆文;吴家荣;张宗宏;李怡慧;陈意维 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2014-09-17 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该半导体元件制作方法包括，首先提供一基底，该基底上设有一金属栅极以及一层间介电层环绕该金属栅极。然后去除部分金属栅极以形成一开口，并形成一掩模层填满开口于层间介电层上并同时形成一孔洞(void)于开口内。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201710546404.4在审
发明人：刘恩铨;童宇诚;林静龄 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-07-06 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括基底、第一介电层、第一导电型的第一掺杂层以及第二导电型的第二掺杂层。基底具有鳍部分。第一介电层配置于所述基底上且围绕所述鳍部分。第一导电型的第一掺杂层配置于所述第一介电层上且位于所述鳍部分的相对两侧壁上。第二导电型的第二掺杂层配置于所述鳍部分的相对两侧壁上且位于所述鳍部分与所述第一掺杂层之间。所述第一掺杂层覆盖所述第二掺杂层的侧壁与底面。
掺杂层导电型半导体结构介电层基底相对两侧配置侧壁底面制造覆盖

[发明专利]半导体元件的制造方法及制得的元件-CN201510049649.7在审
发明人：洪庆文;黄志森;吴家荣;林静龄 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-01-30 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件的制造方法及制得的元件。根据采用双重金属硅化物处理的实施例，提供具有一第一区域和一第二区域的一基板，第一区域具有多个第一金属栅极，第二区域具有多个第二金属栅极，其中相邻的第一金属栅极以及相邻的第二金属栅极以一绝缘物相隔开来。覆盖一介电层于第一金属栅极、第二金属栅极和绝缘物上。以一第一掩模图案化第一区域的介电层和绝缘物，形成多个第一开口。之后，形成一第一金属硅化物于第一开口处。以一第二掩模图案化第二区域的介电层和绝缘物，形成多个第二开口。之后，形成一第二金属硅化物于第二开口处。
半导体元件制造方法

[发明专利]金属栅极结构及其工艺-CN201110261302.0在审
发明人：郑存闵;蔡旻錞;刘志建;林仁杰;李姵莹;王韶韦;林茂森;林静龄 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2011-09-06 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L29/43 文献下载
摘要：一种金属栅极结构位于一基底上。金属栅极结构包含有一栅极介电层、一金属层以及一氮化铝钛金属层。栅极介电层位于基底上。金属层位于栅极介电层上。氮化铝钛金属层位于金属层上。
金属栅极结构及其工艺

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