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[发明专利]低温多晶硅背板结晶品质检测装置及其方法-CN201710076175.4有效
发明人：杨富程;叶佳良;蔡伟雄;林耿立;林友崧;黄卯生 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2017-02-13 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明为一种低温多晶硅背板结晶品质检测装置及其方法，该方法包括：发射窄频入射光至低温多晶硅背板；于一轴向上以第一影像撷取角度执行该低温多晶硅背板的表面各位置的影像撷取，藉以取得一衍射影像，该第一影像撷取角度为该轴向上最大衍射光强度的角度；于另一轴向上以第二影像撷取角度执行该低温多晶硅背板的表面各位置的影像撷取，藉以取得另一衍射影像，该第二影像撷取角度为该另一轴向上最大衍射光强度的角度；以及依据该衍射影像及该另一衍射影像的衍射光强分布影像，以判断该低温多晶硅背板的结晶品质。
低温多晶背板结晶品质检测装置及其方法

[发明专利]驱动电路-CN201610156800.1有效
发明人：黄绍璋;吕世襄;林耿立 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2016-03-18 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：一种驱动电路，用以控制一输入输出接合垫的位准，并具有静电放电防护能力，并包括一检测器、一控制器以及一释放控制元件。检测器耦接一电源端与输入输出接合垫。控制器耦接检测器。释放控制元件耦接电源端或输入输出接合垫，并耦接控制器。当一静电放电事件发生在电源端或输入输出接合垫时，检测器使能控制器，使得控制器导通释放控制元件，用以释放一静电放电电流。当静电放电事件未发生在电源端以及输入输出接合垫时，检测器不使能控制器，并且释放控制元件根据一控制信号而导通，用以控制输入输出接合垫的位准。通过实施本发明，可用以控制一输入输出接合垫的位准，并具有静电放电防护能力。
驱动电路

[发明专利]半导体装置及其制作方法-CN201010106625.8有效
发明人： 林耿立;林光明;杜尚晖;张睿钧 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2010-01-28 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制作方法，该半导体装置包括：一基底；一埋藏层，位于该基底内；以及第一深沟渠接触结构，形成该基底内，其中该第一深沟渠接触结构包含一导电材料，以及一位于该导电材料的侧壁上的衬垫层，且该第一深沟渠接触结构的底表面与该埋藏层接触。深沟渠接触结构的导电材料可以在具有掺杂杂质的气体的环境下，以化学气相沉积方式形成，不需进行额外的掺杂工艺，以避免可能产生的污染或元件效能降低的问题。且深沟渠接触结构的侧壁具有绝缘作用的衬垫层，因此能用作隔离元件，更可用以定义元件的主动区域，而能够减少单一元件所需要的主动区域的面积，以大幅提升单一晶片内所能配置的元件数且提高元件密度。
半导体装置及其制作方法

[发明专利]高压半导体元件装置-CN200810095861.7有效
发明人：蔡宏圣;林耿立;梁文嘉 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2008-05-06 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种高压半导体元件装置，其包括一第一型掺杂半导体基底，及一第二型掺杂外延半导体于第一型掺杂半导体基底上。一第一型体掺杂区设置于第二型掺杂外延半导体中。一浓掺杂漏极区形成于第二型掺杂外延半导体中，且与第一型体掺杂区间隔以一隔离区和一沟道区。一第二型深浓掺杂区自该浓掺杂漏极区延伸至该第一型掺杂半导体基底。一对异型浓掺杂源极区设置于该第一型体掺杂区中以及一栅极设置于该沟道区上，其间隔以一栅极介电层，其中该高压半导体元件装置是以一第一型深浓掺杂区域隔离其他元件。该装置兼具垂直与水平双扩散晶体管的优点，通过二维和三维ReduceSurface Field结构，提升了崩溃电压，增进了晶体管耐压能力，达到了更佳的表面电场结果。
高压半导体元件装置

[发明专利]半导体装置-CN200710160825.X有效
发明人：周业宁;林耿立 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2007-12-18 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，所述的半导体装置包括一受保护元件，位于一基板的一受保护元件区中；一静电放电功率钳制元件，位于上述基板的一防护环区中，且包围上述受保护元件，上述静电放电功率钳制元件包括一第一防护环和一第二防护环，上述第一防护环包括一第一井区，其具有上述第一导电类型；一第一掺杂区和一第二掺杂区，位于上述第一井区中，上述第一掺杂区和上述第二掺杂区分别具有上述第一导电类型和一第二导电类型；上述第二防护环包括一第二井区，其具有上述第二导电类型；一第三掺杂区，位于上述第二井区中，其具有上述第二导电类型。本发明可增加防护环隔离噪声的效能，不需额外的空间置放ESD电源钳制元件，可大为节省芯片面积。
半导体装置

[发明专利]静电放电防护电路-CN200710139822.8无效
发明人：周业宁;林耿立 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2007-08-01 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： H02H9/00 文献下载
摘要：本发明是关于一种静电放电防护电路，该静电放电防护电路包括：晶体管耦接于节点以及接地端之间，具有栅极耦接至接地端；二极管串耦接于节点以及接合垫之间，具有以串联方式连接的复数第一二极管，其中第一二极管以由接合垫至节点的顺向导通方向而连接。第二二极管耦接于节点以及接合垫之间，其中第二二极管以由节点至接合垫的顺向导通方向而连接。本发明的静电放电防护电路可在低压制造工艺所形成的低压电路内提供中压的静电放电防护，不需要额外的制造成本即可在现有的低压制造工艺中提供较高电压的静电放电防护。
静电放电防护电路

[发明专利]具有间隙结构的高压静电放电保护装置-CN200410031110.0有效
发明人： 林耿立;周业宁;柯明道 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2004-04-06 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：一种具有间隙结构的高压静电放电保护装置，运用于横向扩散金氧半场效晶体管(LDMOS)。本发明利用LDMOS既有的结构，额外加上一间隙结构，用以分隔扩散区与场氧化区。当LDMOS的一寄生的硅控整流器未导通时，使ESD电流分散于其它放电路径，用以避免ESD电流过于集中于某一放电路径，进而造成元件的损坏。
具有间隙结构高压静电放电保护装置

[发明专利]具高静电放电防护耐受能力的高压组件结构-CN200410000324.1有效
发明人：柯明道;林昆贤;林耿立 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2004-01-07 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明是关于一种具高静电放电防护耐受能力的高压组件结构，是适用于一静电放电防护电路中，此ESD防护组件是包括沟道区域、汲极区域及源极区域，其主要特征是在于汲极区域的宽度是沿一纵轴方向而变化，使每一汲极区域的侧边边缘至对应的沟道区域侧边呈不等距离，使汲极区域外围形成多个放电转角(corner)，以增进静电放电导通效能及增进导通的均匀度。
静电放电防护耐受能力高压组件结构

[发明专利]高压集成电路的静电放电保护装置-CN200310115289.3有效
发明人： 林耿立;周业宁;柯明道 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2003-11-27 - 公布日： 2005-06-01 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：一种高压集成电路的静电放电(ESD)保护装置，运用于高电压的金氧半场效晶体管。本发明利用金氧半场效晶体管既有的结构，额外加上一个扩散区，来产生一个寄生的硅控整流器。并且，在适当的安排下，该硅控整流器的放电路径较短，因而有较快的反应速度，所以提供较佳的ESD防护。
高压集成电路静电放电保护装置

[发明专利]静电放电防护元件及相关的电路-CN00132956.1有效
发明人：柯明道;林耿立 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2000-11-16 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明提出一种ESD防护元件以及相关的ESD防护电路。本发明的ESD防护元件是以冗余的栅结构来取代公知LVTSCR中ESD电流必须绕行经过的STI层。如此，冗余的栅结构一方面可以提供掺杂区的隔离效果，另一方面，又不会阻碍了ESD事件发生时ESD电流的放电路径。可以提高了LVTSCR的导通速度与ESD耐受力。
静电放电防护元件相关电路

[发明专利]加速次级导通的二级式静电放电防护电路-CN01116195.7有效
发明人： 林耿立;柯明道 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2001-05-30 - 公布日： 2004-08-11 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种加速次级导通的二级式静电放电(electrostaticdischarge，ESD)防护电路，耦合于一输入/输出接合垫与一电源线之间，包含一耦合于该输入/输出接合垫与该电源线之间的初级ESD防护元件和一ESD侦测电路、一耦合于该接合垫与一内部电路之间的串接电阻、及一耦合于该内部电路与该电源线之间的次级ESD防护元件；当一ESD事件发生时，该ESD侦测电路提供一控制信号予该次级ESD防护元件的控制端，使该次级ESD防护元件较该初级ESD防护元件更早开启，以箝制ESD电压，有效保护该内部电路。
加速次级二级静电放电防护电路

[发明专利]适用于静电放电防护的电压控制元件及其保护电路-CN01109356.0有效
发明人： 林耿立;柯明道 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2001-02-28 - 公布日： 2002-10-09 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明提出一种ESD防护元件与其相关的电路,适用于一集成电路,耦合于一第一接合垫与一第二接合垫之间。当一工作电源供给该集成电路电源时,一偏压产生器提供一偏压电压,使该防护元件呈现关闭状态。当该工作电源不供给该集成电路电源时,该防护元件呈现保持导通(alwayson)状态,可以释放发生于该第一接合垫与该第二接合垫之间的一ESD事件所产生的电流。
适用于静电放电防护电压控制元件及其保护电路

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