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[实用新型]导电结构、薄膜晶体管、阵列基板和显示装置-CN201220138478.7有效
发明人：郑在纹;黄秋平;林盛实;金童燮;徐朝焕;徐华伟;陈正伟;薛建设 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2012-04-01 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种导电结构、薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。其中所述导电结构包括：由铜或铜合金形成的铜层；用于阻挡所述铜层的铜离子向外扩散的阻挡层；用于阻挡外部离子扩散至所述铜层的防扩散层，所述防扩散层设置在所述铜层与所述阻挡层之间。本实用新型利用多层导电结构阻止外部离子扩散进入铜层以及铜层铜离子的向外扩散，从而减少离子扩散对铜金属层的电学性能和化学耐腐蚀性能的不良影响，同时，由于阻挡层与衬底基板或半导体层之间具有良好的粘附性，能够提高导电结构的粘合稳固程度；并且，该导电结构中的各个层都具有类似的刻蚀选择性，有利于对多层导电结构的刻蚀/图案化处理。
导电结构薄膜晶体管阵列显示装置

[发明专利]导电结构及制造方法、薄膜晶体管、阵列基板和显示装置-CN201210096583.3无效
发明人：郑在纹;黄秋平;林盛实;金童燮;徐朝焕;徐华伟;陈正伟;薛建设 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2012-04-01 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了一种导电结构及制造方法、薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。其中所述导电结构包括：由铜或铜合金形成的铜层；用于阻挡所述铜层的铜离子向外扩散的阻挡层；用于阻挡外部离子扩散至所述铜层的防扩散层，所述防扩散层设置在所述铜层与所述阻挡层之间。本发明利用多层导电结构阻止外部离子扩散进入铜层以及铜层铜离子的向外扩散，从而减少离子扩散对铜金属层的电学性能和化学耐腐蚀性能的不良影响，同时，由于阻挡层与衬底基板或半导体层之间具有良好的粘附性，能够提高导电结构的粘合稳固程度；并且，该导电结构中的各个层都具有类似的刻蚀选择性，有利于对多层导电结构的刻蚀/图案化处理。
导电结构制造方法薄膜晶体管阵列显示装置

[发明专利]等离子体发生装置-CN200810009903.0无效
发明人：李相老;林盛实;金允焕;崔宇喆 -专利权人： SE等离子株式会社
申请日： 2008-02-13 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子体发生装置，该等离子体发生装置将下部电极的部分区域向下突出而形成等离子体排出口，并设置将下部电极下表面与外部隔开的外部壳体，从而对局部范围进行等离子体加工时能够防止被加工物的加工部位之外的部分受到损伤，而且在等离子体排出口与外部壳体之间形成副产物吸入口，从而可以有效去除进行等离子体加工时产生的副产物。根据本发明，由于下部电极所发生的热量被外部壳体阻断，因而可以防止被加工物表面受损；并且，通过使下部电极的一部分突出，可以防止等离子体在被加工物表面扩散；再有，由于在进行等离子体处理的一旁进行排气，可以及时去除进行等离子体处理时发生的副产物。
等离子体发生装置

[发明专利]制造塑料基板的方法-CN02823750.1有效
发明人：李承骏;崔京姬;崔道铉;林盛实;边秉炫 -专利权人：大宇电子SERVICE株式会社
申请日： 2002-11-29 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明公开了通过阻隔层表面原位退火制造带有能够阻止氧气和湿气渗透的阻隔层的透明塑料显示基板，而不会引起对基板任何损害的方法。本发明包括在透明塑料基板上形成硅系阻隔层以及将阻隔层原位退火两个步骤。
制造塑料方法