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[发明专利]多芯偏振保持光纤-CN201680001609.8有效
发明人： 林和幸;井添克昭;爱川和彦 -专利权人：株式会社藤仓
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： G02B6/024 文献下载
摘要：本发明提供多芯偏振保持光纤。多芯偏振保持光纤(10)具备：多个纤芯(11)；包围多个纤芯(11)的包层(12)；以及在由包层(12)的外周包围的区域内以将多个纤芯(11)分别夹入的方式设置的多个应力赋予部(15)，应力赋予部(15)的剖面积比纤芯(11)的剖面积大，多个应力赋予部(15)沿着一个方向配置有多个，并且沿着与该一个方向不同的其他方向配置有多个。
偏振保持光纤

[发明专利]光纤-CN201780052834.9有效
发明人：平川圭祐;市井健太郎;林和幸 -专利权人：株式会社藤仓
申请日： 2017-05-30 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：本发明实现一种光纤，与CSMF熔接的熔接点处的连接损失充分变小。使内侧包层(12)的折射率与外侧包层(13)的折射率实质上相等，并且将上升掺杂剂在内侧包层(12)中的浓度规定为，基于该上升掺杂剂的折射率上升率为0.25％以上且0.5％以下。
光纤

[发明专利]保偏光纤、光器件、保偏光纤的母材以及制造方法-CN201880019812.7在审
发明人：市井健太郎;平川圭祐;林和幸 -专利权人：株式会社藤仓
申请日： 2018-03-22 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： G02B6/024 文献下载
摘要：本发明实现纤芯的截面扁平的保偏光纤，并且实现能够简单地进行制造的保偏光纤。保偏光纤(1)具备纤芯(11)、内侧包层(12)、两个应力赋予部(13a～13b)以及外侧包层(14)。内侧包层(12)陷入两个应力赋予部(13a～13b)的每一个。纤芯(11)的截面为扁平状，该扁平状的长轴方向为将两个应力赋予部(13a～13b)的排列方向。
保偏光纤应力赋予部纤芯内侧包层扁平状截面扁平排列方向外侧包层光器件长轴母材制造

[发明专利]保偏光纤-CN201510119462.X有效
发明人： 林和幸;井添克昭 -专利权人：株式会社藤仓
申请日： 2015-03-18 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： G02B6/024 文献下载
摘要：本发明提供一种保偏光纤。本发明的保偏光纤具备芯；空开间隔地配置在该芯的两侧的一对应力施加部；以及包围上述芯以及上述一对应力施加部的包覆层。上述包覆层具备配置在上述芯的外周上的第一包覆层；配置在该第一包覆层的外周上的第二包覆层；以及配置在该第二包覆层的外周上的第三包覆层。上述芯的最大折射率比上述第一包覆层、上述第二包覆层以及上述第三包覆层的各最大折射率都大。上述第二包覆层的最大折射率比上述第一包覆层与上述第三包覆层的最大折射率都小。各上述应力施加部的热膨胀率比上述包覆层的热膨胀率大。各上述应力施加部设置为在沿着周向的位置断开上述第二包覆层。
偏光

[发明专利]保偏光纤-CN201180046597.8有效
发明人： 林和幸;井添克昭;远藤丰;爱川和彦;工藤学 -专利权人：株式会社藤仓
申请日： 2011-10-03 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： G02B6/024 文献下载
摘要：本发明涉及保偏光纤。本发明的保偏光纤（10）具备纤芯（11）、设置于纤芯（11）两侧的一对应力赋予部（12、12）、包围这些纤芯（11）以及应力赋予部（12、12）的包层（13），在400～680nm的波长范围内被使用，包层（13）的直径是125μm，应力赋予部（12）的直径是33μm～37μm，一对应力赋予部（12、12）间的间隔是8.6μm～15.4μm，纤芯（11）与包层（13）的相对折射率差是0.35%～0.45%，截止波长在400nm以下。
偏光

[发明专利]保偏光纤以及使用了该保偏光纤的光纤传感器-CN201080011996.6无效
发明人：大道浩儿;寺田佳弘;远藤丰;林和幸;井添克昭;爱川和彦;工藤学 -专利权人：株式会社藤仓
申请日： 2010-11-22 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： G02B6/44 文献下载
摘要：本发明的保偏光纤具有：纤芯(1)，该纤芯(1)由掺杂有锗的石英玻璃形成；应力赋予部(3)，该应力赋予部(3)由掺杂有硼的石英玻璃形成；包层(2)，该包层(2)由纯石英玻璃形成；以及由聚酰亚胺形成的被覆层(4)，该被覆层(4)被设置在所述包层的外周，其膜厚为10μm以下。
偏光以及使用光纤传感器

[发明专利]EUV光刻用反射型掩模基板-CN200980143726.8有效
发明人： 林和幸 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2009-10-28 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供具备EUV光及图案检查光的波长范围的反射率低且膜组成及膜厚易于控制在所希望的范围内的吸收体层的EUV光刻用反射型掩模基板。该EUV光刻用反射型掩模基板中在衬底上依次形成有反射EUV光的反射层和吸收EUV光的吸收体层，其特征在于，所述吸收体层至少含有钽(Ta)、硼(B)、氮(N)及氢(H)，所述吸收体层中，B的含有率为1at％以上但低于5at％，H的含有率为0.1～5at％，Ta及N的合计含有率为90～98.9at％，Ta和N的组成比Ta∶N＝8∶1～1∶1。
euv 光刻反射型掩模基板

[发明专利]EUV光刻用反射型掩模坯料-CN200980143609.1有效
发明人： 林和幸 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2009-10-28 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种具有低反射层的EUV光刻用反射型掩模，所述低反射层对EUV和掩模图案的检查光的波长区为低反射率，进而满足掩模制造过程和图案转印过程所需要的在波长区(400～1200nm)的所期望的反射率(405nm：＜40％，600～650nm：30～50％，800～900nm：＞50％，1000～1200nm：＜90％)。一种EUV光刻用反射型掩模坯料，其特征在于，其在衬底上依次形成有用于反射EUV光的反射层、和用于吸收EUV光的吸收体层、和针对掩模图案的检查光(波长190～260nm)的低反射层，前述低反射层至少含有钽(Ta)、氧(O)和氢(H)，在前述低反射层中，Ta和O的总含有率为85～99.9at％，H的含有率为0.1～15at％。
euv 光刻反射型掩模坯料

[发明专利]EUV光刻用反射型掩模基板及EUV光刻用反射型掩模-CN200980127898.6有效
发明人： 林和幸;宇野俊之;海老原健 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2009-07-10 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供来自掩模图案区域外侧的区域的反射光所造成的影响得到抑制的EUV掩模及用于该EUV掩模的制造的EUV掩模基板。EUV光刻(EUVL)用反射型掩模在衬底上具有掩模图案区域和位于该掩模图案区域的外侧的EUV光吸收区域，所述掩模图案区域中在所述衬底上具有反射EUV光的反射层，该反射层上存在包括吸收EUV光的吸收体层的部位和不包括所述吸收体层的部位，包括所述吸收体层的部位和不包括所述吸收体层的部位的配置形成掩模图案，该掩模的特征在于，来自所述吸收体层表面的EUV反射光的反射率为5～15％，来自所述EUV光吸收区域表面的EUV反射光的反射率在1％以下。
euv 光刻反射型掩模基板型掩模

[发明专利]EUV光刻用反射型掩模基板-CN200980123428.2无效
发明人： 林和幸 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2009-06-17 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供具有对于EUV光和掩模图案检查光的波长区域的反射率低、特别是对于掩模图案检查光的整个波长区域(190～260nm)呈现低反射特性且对于氯系气体蚀刻的蚀刻速度快的低反射层的EUV光刻用反射型掩模基板。一种EUV光刻用反射型掩模基板，它是在衬底上依次形成有反射EUV光的反射层、吸收EUV光的吸收体层、对掩模图案的检查光(波长190nm～260nm)为低反射的低反射层的EUV光刻用反射型掩模基板，其特征在于，所述低反射层以总含有率计含有95原子％以上的硅(Si)和氮(N)，Si的含有率为5～80原子％，N的含有率为15～90原子％。
euv 光刻反射型掩模基板

[发明专利]EUV光刻用反射型掩模基板-CN200980109887.5无效
发明人： 林和幸;宇野俊之;海老原健 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2009-02-19 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供具有可容易地控制应力和晶体结构的吸收体层的EUV光刻用反射型掩模基板。该EUV光刻用反射型掩模基板的衬底上至少依次形成有反射EUV光的反射层和吸收EUV光的吸收体层，其特征在于，所述吸收体层含有钽(Ta)、氮(N)和氢(H)，所述吸收体层中的Ta和N的总含有率为50～99.9原子％，H的含有率为0.1～50原子％。
euv 光刻反射型掩模基板

[发明专利]石英类单芯光纤、石英类多芯光纤及其制造方法-CN200810186745.6有效
发明人：工藤学;林和幸;妻沼孝司 -专利权人：株式会社藤仓
申请日： 2008-12-12 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：本发明的石英类单芯光纤、石英类多芯光纤及其制造方法，可以提高石英类多芯光纤的荧光诊断精度，并在来自观察组织的荧光检测、发光检测、光谱分析等方面改善石英类单芯光纤的S/N比。石英类单芯光纤的纤芯中具有Ge浓度15重量％以上、F浓度0.05重量％以上且2重量％以下，以在入射具有波长400nm～650nm的激发光时抑制波长600nm～800nm处的发光。石英类多芯光纤包括多个纤芯，该纤芯具有GeO₂-SiO₂类玻璃，该GeO₂-SiO₂类玻璃包括Ge浓度15重量％以上、F浓度0.05重量％以上且2重量％以下，包层与纤芯的相对折射率差为3％以上且包层直径与纤芯直径之比为1.02～3.0，在入射400～650nm的激发光时，抑制600～800nm处的发光。
石英类单芯光纤类多芯及其制造方法

[发明专利]保偏光纤和光纤陀螺-CN200610090558.9无效
发明人：爱川和彦;井添克昭;林和幸;工藤学 -专利权人：株式会社藤仓
申请日： 2006-06-27 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：一种保偏光纤包括：芯；一对应力施加部分，在该芯的每侧设置一个；以及包层，围绕该芯和应力施加部分；其中当该保偏光纤用在0.81μm到0.87μm的波长时，以2m的纤长度测得的截止波长长于所使用的波长，并且当具有1000m长度的纤缠绕在具有40mm直径的卷轴上时偏振串扰等于或小于－35dB/100m。
偏光光纤陀螺

[发明专利]排气净化方法、排气净化装置及其所使用的除尘装置-CN02813416.8有效
发明人：爱甲雅彦;林和幸;土本利明;泽田博明;中川秋夫 -专利权人：松下电器产业株式会社;松下环境空调工程株式会社
申请日： 2002-07-03 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： B01D46/04 文献下载
摘要：一种排气净化方法及排气净化装置及其所使用的除尘装置，在成膜装置等半导体或者液晶模组的制造装置中产生的排气的净化工序中，可以减少维护作业，或者使其维护作业的安全性提高。其包括：排气的燃烧处理工序；从由燃烧处理生成的燃烧排气中除去含有Si的粉尘的除尘工序；及，将除尘后的燃烧排气进行水性洗涤的洗涤工序。通过该方法，通过除尘工序除去含有Si的粉尘，因此，可以抑制洗涤工序中析出物的析出。因此，使工序稳定运转，并且减少维护作业。另外，不需要大量洗涤水就可以实施洗涤工序。
排气净化方法装置及其使用除尘

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