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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种硼源可高效循环利用的高纯度六方氮化硼制备方法-CN202310875650.X在审
发明人：郑伟;刘鑫胜;宋晓宇;林卓耿;朱思琪 -专利权人：中山大学
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料制备技术领域，具体涉及一种硼源可高效循环利用的高纯度六方氮化硼制备方法。本发明提供了一种高纯度六方氮化硼制备方法，先用三聚氰胺和硼酸反应制得前驱体，经高温烧结得到含有六方氮化硼的产物，再对烧结产物进行多次浸泡与固液分离得到六方氮化硼产物和分离液，最后对分离液进行蒸发结晶即可将硼源进行回收并循环利用。本发明的制备方法所使用的原料易获得且成本低，无需其他添加剂加入，不仅可以高效制备高纯度、高结晶质量的六方氮化硼，而且产物中的硼可通过回收进行重复利用，使硼的利用率实现最大化，对硼进行高效循环利用的同时大大节约了成本。
一种硼源可高效循环利用纯度氮化制备方法

[发明专利]RbCu2-CN202210435872.5有效
发明人：郑伟;丁莹;林日成;林卓耿;黄丰 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：本发明涉及晶体化学技术领域，具体涉及RbCu2Br3单晶的合成与应用，包括以下步骤：S1.将RbBr和CuBr按照摩尔比为1:2混合溶于体积比为1～3:1的HBr酸和去离子水中；形成RbBr的浓度为0.5～2mmol/mL；S2.向步骤S1的混合溶液中加入次磷酸，在95～105℃条件下保温1～3h；S3.将步骤S2的混合溶液，以0.5～3℃/h的降温速率降温至室温，结晶；S4.将步骤S3形成的晶体烘干，即得。本发明随温度下降光致发光从蓝光向橙光转变，并且长时间大剂量辐照和高电场强度工作下，探测器性能稳定。因此，RbCu2Br3材料在闪烁体领域、光电探测器及X射线探测领域有所作为。
rbcu base sub

[发明专利]一种基于立方氮化硼（c-BN）单晶材料的肖特基-PN结二极管-CN202210240601.4在审
发明人：郑伟;林卓耿;朱思琪 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于立方氮化硼(c‑BN)单晶材料的肖特基‑PN结二极管，所述肖特基‑PN结二极管包括c‑BN晶体、ITO薄膜和Au电极。其中，在所述c‑BN晶体的两侧分别镀上ITO薄膜和Au电极，再将Au与In焊接，作为外接导线。Au/c‑BN/ITO肖特基‑PN结二极管的理想因子为25.15，开启电压为5V。本发明基于c‑BN单晶的电子器件制备与分析提供了思路。
一种基于立方氮化 bn 材料肖特基 pn 二极管

[发明专利]一种CsSnI3-CN201810824771.0有效
发明人：於黄忠;张弜;黄承稳;黄欣欣;巫祖萍;陈金雲;林卓耿 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开一种CsSnI3掺杂有机太阳能电池及其制备方法。该电池包括阴极基底、电子传输层、活性层、空穴传输层以及阳极层；所述活性层由P3HT/PCBM与CsSnI3粉末掺杂而成。本发明的掺杂有机太阳能电池，通过在活性层中掺杂高电导率、高电荷分离以及较好的吸光性的CsSnI3粉末；首先，CsSnI3粉末具有较高的电导率，可以有效的提升有机太阳能电池的电荷传输效率；其次CsSnI3电荷分离能力优异，能提高活性层的电荷分离效率并减少电子空穴对的复合；最后CsSnI3有较强的可见光吸收范围，能增强活性层的吸光性，最终提高掺杂有机太阳能电池的光电转换效率。
一种 cssni base sub

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