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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201810054537.4有效
发明人：金宰范;金岁玲;林俊亨;金兑相 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10K59/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括基底基板。第一薄膜晶体管被布置在基底基板上。第一薄膜晶体管包括第一输入电极、第一输出电极、布置在第一绝缘层下方的第一半导体图案和布置在第一绝缘层上且第二绝缘层下方的第一控制电极。第二薄膜晶体管包括第二输入电极、第二输出电极、布置在第二绝缘层上的第二半导体图案和布置在绝缘图案上的第二控制电极，绝缘图案被形成在第二半导体图案上并且暴露第二半导体图案的一部分。第一半导体图案包括晶体半导体。第二半导体图案包括氧化物半导体。第一半导体图案、第一控制电极、第二半导体图案和第二控制电极重叠。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN201710778238.0有效
发明人：金宰范;金亿洙;孙暻锡;林俊亨;林志勋 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供一种显示装置及其制造方法，所述显示装置包括基体基底、第一晶体管、第二晶体管、有机发光二极管和电连接到第一晶体管的电容器。第一晶体管包括位于第一层间绝缘层下方的第一半导体图案和位于第一层间绝缘层上方并位于第二层间绝缘层下方的第一控制电极。第二晶体管包括位于第一层间绝缘层上方并位于第二层间绝缘层下方的第二控制电极。第二半导体图案位于第二层间绝缘层上方。
显示装置及其制造方法

[发明专利]显示装置以及制造该显示装置的方法-CN202310156998.3在审
发明人：南润龙;金亿洙;金亨埈;林俊亨;全景辰 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：提供了一种显示装置以及制造该显示装置的方法。该显示装置包括：电压线；钝化层，设置在电压线上并且具有底切形状；第一连接电极，设置在底切形状内侧；第二连接电极，将电压线和第一连接电极电连接；以及公共电极，通过第一连接电极和第二连接电极中的至少一个电连接到电压线。
显示装置以及制造方法

[实用新型]显示装置-CN202320296833.1有效
发明人：南润龙;金亿洙;金亨俊;林俊亨;全景辰 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H10K59/131 文献下载
摘要：提供了一种显示装置。该显示装置包括：电压线；钝化层，设置在电压线上并且具有底切形状；第一连接电极，设置在底切形状内侧；第二连接电极，将电压线和第一连接电极电连接；以及公共电极，通过第一连接电极和第二连接电极中的至少一个电连接到电压线。
显示装置

[发明专利]显示设备及制造该显示设备的方法-CN201810619392.8有效
发明人：孙暻锡;金亿洙;金宰范;林俊亨;林志勋 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H10K59/131 文献下载
摘要：提供了一种显示设备和一种制造该显示设备的方法。所述显示设备包括：基底，其上限定有第一区域、与第一区域间隔开的第二区域和在第一区域和第二区域之间并且沿弯曲轴弯曲的弯曲区域；第一薄膜晶体管(“TFT”)和第二TFT；以及第一导电层和第二导电层。第一TFT包括：第一有源层，包括多晶硅；第一栅电极；以及第一电极，设置在与第一导电层的水平相同的水平处，第二TFT包括：第二有源层，包括氧化物半导体；第二栅电极；以及第二电极，设置在与第二导电层的水平相同的水平处。
显示设备制造方法

[发明专利]显示装置和制造显示装置的方法-CN202310063233.5在审
发明人：朴晙晳;塞伦特·吴;金基桓;金明花;金旻九;林俊亨 -专利权人：三星显示有限公司;汉阳大学校ERICA产学协力团
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：公开了显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括衬底、阻挡层以及在阻挡层上的开关晶体管和驱动晶体管，阻挡层在衬底上并且包括在朝向衬底的方向上凹陷的沟槽区域和围绕沟槽区域并具有平坦的上表面的平坦区域。开关晶体管包括第一有源层、第一栅电极以及第一上电极和第二上电极，第一有源层在阻挡层上，第一有源层的至少一部分位于沟槽区域处，第一有源层包括沟道区域以及在沟道区域的相对侧处的源区域和漏区域，第一栅电极在第一有源层上，第一上电极和第二上电极在第一有源层上并且连接到第一有源层。
显示装置制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710839142.0有效
发明人：金宰范;孙暻锡;林志勋;金亿洙;林俊亨 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-09-18 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：基体基底；第一晶体管，包括均设置在基体基底上的第一半导体图案、第一控制电极、第一输入电极和第一输出电极；第二晶体管，包括第二半导体图案、第二控制电极、第二输入电极和第二输出电极；以及多个绝缘层。单个第一贯穿部分暴露第一控制电极和设置在第一控制电极的两侧处的第一半导体图案。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管、包括其的显示设备和制备薄膜晶体管的方法-CN202211665373.1在审
发明人：金亨俊;鲁容泳;林俊亨;朱慧慧 -专利权人：三星显示有限公司;浦项工科大学校产学协力团
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供了薄膜晶体管、包括其的显示设备和制备薄膜晶体管的方法，所述薄膜晶体管包括：栅电极；栅极绝缘层，与栅电极接触；半导体层，通过栅极绝缘层与栅电极绝缘；以及源电极和漏电极，与半导体层接触，其中，半导体层包括由式1表示的钙钛矿化合物：式1[A]2[B][X]6:Z，其中，在式1中，A包括单价有机阳离子、单价无机阳离子或它们的组合，B包括Sn4+，X包括单价阴离子，并且Z包括金属阳离子或准金属阳离子。
薄膜晶体管包括显示设备制备方法

[实用新型]显示装置-CN202320115126.8有效
发明人：朴晙晳;塞伦特·吴;金基桓;金明花;金旻九;林俊亨 -专利权人：三星显示有限公司;汉阳大学校ERICA产学协力团
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：公开了显示装置。显示装置包括衬底、阻挡层以及在阻挡层上的开关晶体管和驱动晶体管，阻挡层在衬底上并且包括在朝向衬底的方向上凹陷的沟槽区域和围绕沟槽区域并具有平坦的上表面的平坦区域。开关晶体管包括第一有源层、第一栅电极以及第一上电极和第二上电极，第一有源层在阻挡层上，第一有源层的至少一部分位于沟槽区域处，第一有源层包括沟道区域以及在沟道区域的相对侧处的源区域和漏区域，第一栅电极在第一有源层上，第一上电极和第二上电极在第一有源层上并且连接到第一有源层。
显示装置

[发明专利]显示装置和制造显示装置的方法-CN202211597245.8在审
发明人：孙尙佑;文然建;金恩贤;梁承浩;林俊亨;郑贤濬 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供了一种显示装置和制造显示装置的方法。所述显示装置包括：绝缘层、发光元件和电连接到发光元件的像素电路。像素电路包括第一晶体管。第一晶体管包括：金属氧化物半导体图案，包括源区、漏区和设置在源区与漏区之间的沟道区；第一栅极，设置在金属氧化物半导体图案上，并且在平面图中与沟道区叠置；以及金属氧化物图案，设置在第一栅极上。
显示装置制造方法

[发明专利]显示面板-CN202211456225.9在审
发明人：南润龙;具素英;金亿洙;金亨俊;林俊亨;全景辰 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H10K59/124 文献下载
摘要：提供了一种显示面板。显示面板的制造方法包括如下步骤：在支撑基板上的显示区域布置电路阵列，在所述支撑基板上的非显示区域布置多条连接线；在所述支撑基板上布置过孔膜；对所述过孔膜进行图案化而在所述支撑基板的所述非显示区域设置具有围绕所述显示区域的形态的密封孔；在封装基板上布置具有围绕所述显示区域的形态的密封层；将所述支撑基板与所述封装基板对准；以及接合所述支撑基板与所述封装基板。其中，布置所述电路阵列和所述多条连接线的步骤包括如下步骤：对缓冲膜上的半导体材料膜进行图案化，以布置与阻光图案重叠的有源层，并布置与所述密封孔和所述第一连接线图案之间的重叠区域中的至少一部分对应的蚀刻防止层。
显示面板

[发明专利]薄膜晶体管及薄膜晶体管阵列基底-CN202211448586.9在审
发明人：李京垣;高殷慧;金连洪;金恩贤;金亨俊;李善熙;林俊亨 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：公开了一种薄膜晶体管和一种薄膜晶体管阵列基底，所述薄膜晶体管包括：遮光层，设置在基底上；氧供应层，设置在遮光层上，并且包括金属氧化物；缓冲层，设置在基底上，并且覆盖氧供应层；有源层，设置在缓冲层上，其中，有源层包括与遮光层叠置的沟道区以及分别与沟道区的相对侧接触的第一电极区域和第二电极区域；以及栅极绝缘层，设置在有源层的沟道区上。
薄膜晶体管阵列基底

[发明专利]显示装置和制造该显示装置的方法-CN202211271504.8在审
发明人：金亨俊;具素英;金亿洙;南润龙;林俊亨;全景辰 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10K59/121 文献下载
摘要：本公开涉及显示装置和制造该显示装置的方法。显示装置包括：第一导电层，包括第一电压线和第二电压线；缓冲层；半导体层，包括第一有源层和第二有源层；第一栅极绝缘层；第二导电层，包括与第一有源层重叠的第一栅电极和与第二有源层重叠的第二栅电极；钝化层；过孔层；堤图案层，包括彼此部分地间隔开的第一堤图案和第二堤图案；第三导电层，包括彼此间隔开的第一电极和第二电极；以及发光元件。钝化层包括氮化硅(SiNx)，并且氮化硅(SiNx)中的硅‑氢键(Si‑H)的数量与氮‑氢键(N‑H)的数量的比率在约1:0.6至约1:1.5的范围内。
显示装置制造方法

[实用新型]显示装置-CN202223356614.2有效
发明人：孙尙佑;文然建;金恩贤;梁承浩;林俊亨;郑贤濬 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供了一种显示装置。所述显示装置包括：绝缘层、发光元件和电连接到发光元件的像素电路。像素电路包括第一晶体管。第一晶体管包括：金属氧化物半导体图案，包括源区、漏区和设置在源区与漏区之间的沟道区；第一栅极，设置在金属氧化物半导体图案上，并且在平面图中与沟道区叠置；以及金属氧化物图案，设置在第一栅极上。显示装置的第一晶体管可以具有宽驱动电压范围。
显示装置

[发明专利]显示装置-CN202210994295.3在审
发明人：金明镐;金宰范;孙暻锡;李承俊;李昇宪;林俊亨 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10K59/122 文献下载
摘要：一种显示装置包括：第一半导体层；第一导电层，设置在第一半导体层上，并且包括在平面图中与第一半导体层至少部分地重叠以构成第一晶体管的第一电容器电极；第二电容器电极，设置在第一导电层上，并且在平面图中与第一电容器电极重叠以构成第一电容器；第二半导体层，设置在第二电容器电极上，并且包括在平面图中与第二电容器电极重叠以构成第二电容器的第三电容器电极；第二导电层，设置在第二半导体层上，并且与第二半导体层至少部分地重叠；以及第三导电层，设置在第二导电层上，从而通过使第一电容器电极、第二电容器电极和第三电容器电极重叠来实现高分辨率图像。
显示装置

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