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[发明专利]内连线结构、内连线布局结构及其制作方法-CN202110178192.5有效
发明人：陈东郁;林佳芳 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2016-01-05 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明公开一种内连线结构、内连线布局结构及其制作方法。该内连线结构包括基底，该基底上设置有绝缘材料。多条导线设置在该基底上并且被该绝缘材料覆盖，其中在一顶视图中，该多条导线沿着第一方向纵长地延伸并沿着第二方向平行排列，该第一方向与该第二方向互相垂直。多个气隙设置在该多条导线之间的该绝缘材料中，并且以端点对端点的方式沿着该第一方向排列。图案化硬掩模设置在部分该多条导线上，其中于该顶视图中，该图案化硬掩模沿着该第二方向延伸跨过该多条导线，并且不重叠该多个气隙。至少一插塞结构设置在该图案化硬掩模与该多条导线的重叠区域上，其中该插塞结构穿过该图案化硬掩模以电连接至该多条导线的其中一者。
连线结构布局及其制作方法

[发明专利]一种轨道车辆整车电磁兼容试验系统-CN202211427240.0在审
发明人：陈娟;文秧林;伍道乐;陈铁柱;高雄;彭志华;黄维军;林佳芳;胡运雄 -专利权人：中车株洲电力机车有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： G01M17/08 文献下载
摘要：本申请提供一种轨道车辆整车电磁兼容试验系统，涉及轨道交通车辆研发验证试验领域，所述系统包括电磁屏蔽室和置于所述电磁屏蔽室内的测试系统、采集装置和负载系统；其中：所述负载系统，包括驱动单元和轨道轮，所述驱动单元用于驱动所述轨道轮滚动，以使被测车辆的轨道车轮落在所述轨道轮上且所述被测车辆的车身固定时，所述轨道轮通过滚动方式向所述被测车辆运行的相反方向运行；所述采集装置，用于采集所述被测车辆在测试过程中产生的电磁波信号和电流信号；所述测试系统与所述采集装置连接，所述测试系统用于接收所述电磁波信号和所述电流信号，并对所述电磁波信号和所述电流信号进行分析。本申请能够提高轨道车辆电磁兼容试验的准确性。
一种轨道车辆整车电磁兼容试验系统

[发明专利]内连线结构、内连线布局结构及其制作方法-CN201610004548.2有效
发明人：陈东郁;林佳芳 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2016-01-05 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种内连线结构、内连线布局结构及其制作方法，该具有气隙的内连线布局结构包含有多个沿一方向延伸的气隙，以及设置于该多个气隙之间的至少一第一内连线单元。该第一内连线单元包含有一第一导线、一设置于该第一导线上的第一接着标记、以及一设置于该第一接着标记上且穿透该第一接着标记而电连接至该第一导线的第一插塞结构。该第一接着标记实体分离沿一直线排列的该多个气隙。
连线结构布局及其制作方法

[发明专利]具有屏蔽结构的半导体装置-CN201310293957.5有效
发明人：郭建利;林永昌;林明哲;吴贵盛;林佳芳 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有屏蔽结构的半导体装置，其包括基底、射频电路、屏蔽结构以及金属内连线系统。基底包括主动面以及背面。射频电路设置在基底的主动面的一侧。屏蔽结构至少设置在基底中且包围射频电路，屏蔽结构接地，其中屏蔽结构包括屏蔽穿硅电极，屏蔽穿硅电极没有贯穿基底。金属内连线系统设置在该基底的主动面的一侧，金属内连线系统包括连接线路，且连接线路连接电位信号至射频电路。
具有屏蔽结构半导体装置

[发明专利]一种储能电源内阻的测量方法及装置-CN201510730909.7有效
发明人：伍道乐;叶彪;杨奇科;阳涛;陈铁柱;林佳芳;赵冬 -专利权人：南车株洲电力机车有限公司
申请日： 2015-11-02 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： G01R27/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种储能电源内阻的测量方法及系统，包括控制装置控制第二断路器闭合，降压电阻对储能电源进行放电，使得试验支路两端的电压降低至预设电压值；断开第二断路器，然后闭合第一断路器，试验电阻对储能电源进行放电；待试验支路的电压稳定后，断开第一断路器，确定电压测量单元采集第一断路器断开前的试验支路两端的电压值作为第一电压值，以及电流测量单元采集该时刻的试验支路的电流值；确定电压测量单元采集第一断路器断开后的试验支路两端的电压值作为第二电压值；依据第一电压值、第二电压值以及电流值计算储能电源的内阻。本发明实现了高精度测量大电压储能电源的内阻。
一种电源内阻测量方法装置

[发明专利]硅穿孔结构及其形成方法-CN201110105754.X有效
发明人：郭建利;林佳芳 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2011-04-27 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开一种硅穿孔结构及其形成方法，该硅穿孔结构包括连通晶片的第一面与第二面的穿孔洞、填满穿孔洞的导电层、直接接触并围绕导电层的穿孔洞介电环、直接接触并围绕穿孔洞介电环的第一导电环、以及直接接触并围绕第一导电环又为晶片所围绕的第一介电环。
穿孔结构及其形成方法

[发明专利]整合式光刻机台及光刻工艺-CN200910205195.2无效
发明人： 林佳芳;罗国龙;方树平 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2009-10-16 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明披露一种整合式光刻机台及光刻工艺，该整合式光刻机台包含晶片输入/输出区、涂布与显影区、曝光区以及设于该涂布与显影区及该曝光区之间的等待与传送区。其中等待与传送区维持传送到该涂布与显影区及该曝光区之间的晶片于固定温度或使该晶片与其他元件维持热绝缘。本发明改良了目前机台容易因散热而影响到晶片叠对精准度的问题。
整合光刻机台工艺