专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于时域差分电流测量的物理不可克隆芯片电路-CN201610045830.5有效
  • 赵晓锦;林仕傍;梁德健 - 深圳大学
  • 2016-01-24 - 2018-11-09 - G06F21/73
  • 本发明公开了一种基于时域差分电流测量的物理不可克隆芯片电路,包括两个电流镜阵列电路、两个电流镜电路和电流比较器电路,两个电流镜阵列电路的输出电流分别输入第一电流镜电路和第二电流镜电路;第一电流镜电路产生的第一子电流和第二电流镜电路产生的第一子电流分别输入到电流比较器电路,电流比较器电路对两个子电流进行比较后,输出一个二进制ID位;经过多次选择电流镜阵列电路的单元电路进行输出并处理后,得到一个ID序列,作为芯片的身份识别信息。本发明具有芯片面积小、低功耗、高可靠性和低成本的特点,可广泛应用于可靠性要求高、功率预算低的电路工业上。
  • 一种基于时域电流测量物理不可克隆芯片电路
  • [发明专利]一种物理不可克隆芯片电路-CN201510623726.5在审
  • 赵晓锦;林仕傍;彭亮多 - 深圳大学
  • 2015-09-25 - 2016-01-13 - H03K19/094
  • 本发明公开了一种物理不可克隆芯片电路,包括M行N列工作于亚阈值区域的MOSFET阵列和自动校零比较器,MOSFET阵列包括以PMOS为负载的M行N列NMOS;物理不可克隆芯片电路的输入信号经译码后选中对应的NMOS导通,选中的NMOS和对应行中的负载PMOS组成单极CMOS放大器,MOSFET阵列的输出端依次输出电压值各不相同的电压;自动校零比较器不断地将MOSFET阵列输出的前一个电压与后一个电压进行比较,在陆续比较的过程中,自动校零比较器的输出端输出物理不可克隆芯片电路的应答信号。本发明采用单级放大器作为阵列的单元电路,芯片面积小、功耗低、应用范围广。
  • 一种物理不可克隆芯片电路
  • [实用新型]一种基于新型调制模式的可见光通信系统-CN201520455469.4有效
  • 赵晓锦;樊小磊;林仕傍;王潇 - 深圳大学
  • 2015-06-29 - 2015-11-18 - H04B10/116
  • 本实用新型公开了一种基于新型调制模式的可见光通信系统,包括VLC发射装置和VLC接收装置,VLC发射装置包括LED发光控制电路、0度线偏振器、90度线偏振器、四分之一相位延迟器和至少一个白光LED。白光LED发出的含有通信信号的白光分别入射0度线偏振器和90度线偏振器;0度线偏振器出射的0度方向的线偏振光和90度线偏振器出射的90度方向的线偏振光入射沿45度方向的四分之一相位延迟器;四分之一相位延迟器的出射的左旋圆偏振单色光、右旋圆偏振单色光以及线偏振态的其他色光为VLC发射装置的输出光。本实用新型受背景光干扰较小,接收端误码率低。
  • 一种基于新型调制模式可见光通信系统

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