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[发明专利]太阳能电池模块-CN201080006424.9无效
发明人：横山康弘;林一彦 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2010-03-17 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：太阳能电池模块(100)包括太阳能电池发电单元(102)和连接部件(104)。连接部件(104)向外部电子元件(220)提供太阳能电池(110)的输出。连接部件(104)包括覆盖部件(130)和输出连接部(140)。在端子部(126)与保护部件(120)的表面，覆盖部件(130)至少覆盖端子部(126)的表面。输出连接部(140)有一端被置于覆盖部件(130)的内部，另一端(144)被置于覆盖部件(130)的外部。输出连接部140的一端(142)连接在太阳能发电单元(102)的端子部(126)，另一端(144)具有用于连接至电子组件(200)的端子。
太阳能电池模块

[发明专利]STAT3/5激活抑制剂-CN200780036608.8无效
发明人：关口和生;铃木敬;大渕丰;奥野贡广;大井直人;大西健司;本山晶章;吉田宪司;儿玉健志;杉山和久;赤松圣司;清野邦彦;柳原康夫;渡边隆司;林一彦;田中英男;住田卓美 -专利权人：大塚制药株式会社
申请日： 2007-10-02 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： C07D317/58 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种STAT3/5激活抑制剂。本发明提供了一种STAT3/5激活抑制剂，其包含作为活性成分的由下面通式表示的芳香化合物或其盐，其中，X₁表示氮原子或基团-CH＝；R¹表示基团-Z-R⁶，其中Z表示基团-CO-、基团-CH(OH)-等，R⁶表示具有1～4个氮原子、氧原子或硫原子的5～15元单环、双环或三环饱和或不饱和杂环基团；R²表示氢原子或卤素原子；Y表示基团-O-、基团-CO-，基团-CH(OH)-或低级烷撑基；和A表示一个基团，其中，R³表示氢原子、低级烷氧基等，p表示1或2，R⁴表示咪唑基低级烷基等。
stat3 激活抑制剂

[发明专利]发光体、发光元件和发光显示装置-CN02804577.7有效
发明人： 林一彦;福地隆;坪井真三;藤枝一郎 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2002-02-04 - 公布日： 2004-04-21 - 主分类号： H05B33/26 文献下载
摘要：一种发光元件，在基板上形成下电极图形，在下电极图形上形成发光层图形，在发光层图形上形成透明电极，对于具有有机薄膜通过外加电流而发光的结构的发光体，透明电极的图形比下电极的图形大。而且，在下电极图形的全部区域上形成透明电极的图形。透明电极的图形比发光层的图形大。在发光层图形的全部区域上形成透明电极的图形。
发光体发光元件显示装置

[发明专利]发光装置及通信系统-CN02144336.X有效
发明人：小田敦;林一彦;东口达 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2002-10-09 - 公布日： 2003-04-16 - 主分类号： H04B10/00 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种在用于光通信的发光装置中，使通信速度高速化的发光装置以及具有该发光装置的通信系统，以及提供一种不费工夫就能改写记录在设置于识别对象物上的信息识别单元(存储单元)中的信息的通信系统。本发明的发光装置，具有能发送由根据输入的数据进行调制的光构成的信号光的发光体120，其特征在于，上述发光体120是场致发光元件。此外，其特征在于，上述发光体120随期间的不同，发射由未被调制的光构成的非信号光和上述信号光，上述非信号光实现照明功能。此外，其特征在于，上述信号光还实现照明功能。
发光装置通信系统

[发明专利]发光体、发光器件和发光显示器-CN02119711.3有效
发明人： 林一彦;小田敦 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2002-05-10 - 公布日： 2002-12-18 - 主分类号： H05B33/12 文献下载
摘要：本发明的发光体包括阳极和阴极,阴极至少部分面对阳极,并且有发光材料层介于其间。辅助电极通过绝缘层形成于发光体的一个面上,发光体的这个面与阳极通过发光材料层面向阴极的面相对。阴极可以由腐蚀较小的材料制成。由此发光体便延长了发光器件的寿命,也由此延长了发光显示器的寿命。
发光体发光器件显示器

[发明专利]磁致电阻性材料和磁致电阻膜-CN95109128.X无效
发明人： 林一彦;山本英文;藤方润一;石原邦彦 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1995-07-01 - 公布日： 2002-12-18 - 主分类号： H01F1/01 文献下载
摘要：本发明涉及磁致电阻材料及其膜。该材料是非磁性基质和分散在非磁性基质内的铁磁性材料如Co或Ni-Fe-Co的超细粒子组成的非均匀体系。为了减轻磁致电阻效应的退化，使用含有Pt和至少一种选自Cu、Ag、和Au中的金属元素的合金或混合物作为非磁性基质的材料。非磁性基质可任选地含有限量的选自Al、Cr、In、Mn、Mo、Nb、Pd、Ta、Ti、W、V、Zr和Ir的辅助元素。磁致电阻材料膜可在基体上成膜，并可任选地在膜和基体间插入缓冲膜和/或用保护层覆盖该膜。
致电材料

[发明专利]磁致电阻元件和传感器-CN96109802.3无效
发明人： 林一彦;藤方润一;山本英文;石原邦彦;中田正文 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1996-09-16 - 公布日： 2002-08-07 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一磁致电阻元件通常包括依次相连的一抗铁磁性层、一第一铁磁性层、一非磁性层和一第二铁磁性层。代替非磁性层，磁致电阻元件可以包括一钴层、一非磁性层和一钴层的组合层。抗铁磁性层是由镍氧化物、镍氧化物和钴氧化物的混合物、或镍氧化物和钴氧化物的叠片制作的。铁磁性层有1-10毫微米厚，元件有0.1-1微米高。非磁性层有2-3毫微米厚，抗铁磁性层有5-30毫微米厚。磁致电阻元件有一适当的交叉点，输出很好的再现信号，并有对应于输出信号的所要求的半波长。
致电元件传感器

[发明专利]发光器件、含有此发光器件的液晶显示装置及其制造方法-CN01139621.0无效
发明人： 林一彦;藤枝一郎;小田敦;金子节夫 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2001-11-26 - 公布日： 2002-07-03 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：发光器件(110)包括(a)作为光源的电致发光器件(100),和(b)将从电致发光器件(100)发出的光引入液晶显示装置的导光体(112)。电致发光器件(100)在导光体(112)的端面上形成。该发光器件可以用作在液晶显示装置中的背光光源。
发光器件含有液晶显示装置及其制造方法