专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]局部曝光装置和局部曝光方法-CN201110184492.0有效
  • 太田义治;森山茂;松村雄宣;田中茂喜 - 东京毅力科创株式会社
  • 2011-06-29 - 2012-01-11 - G03F7/20
  • 本发明提供能够提高在基板面内的显影处理后的抗蚀剂残膜的均匀性、并对布线图案的线宽以及间距的偏差进行抑制的局部曝光装置和局部曝光方法。局部曝光装置包括:基板输送部件;腔室,其用于形成对被处理基板进行曝光处理的空间;光源,其具有沿与基板输送方向交叉的方向线状排列的多个发光元件,能够利用发光元件的发光对在下方输送的被处理基板上的感光膜照射光;发光驱动部,能够将构成光源的多个发光元件中的一个或者多个发光元件作为发光控制单元而选择性地进行发光驱动;基板检测部件,其对被基板输送部件输送的被处理基板进行检测;控制部,其被供给基板检测部件的基板检测信号,并且控制由发光驱动部进行的发光元件的驱动。
  • 局部曝光装置方法

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