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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体元件及半导体装置-CN202180057395.7在审
发明人：柳田秀彰;水本尚吾;安藤裕之;松原佑典 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供一种对功率器件特别有用且顺向特性得到改善的半导体元件及半导体装置。一种半导体元件及具备该半导体元件的半导体装置，所述半导体元件为具备包含结晶性氧化物半导体(例如，α‑Ga2O3等)作为主成分的半导体层、层叠于该半导体层上的电极层以及直接或隔着其他层而层叠于该电极层上的导电性基板的层叠结构体，所述导电性基板至少含有选自元素周期表第11族金属中的第一金属以及线性热膨胀系数与所述第一金属的线性热膨胀系数不同的第二金属。
半导体元件装置

[发明专利]半导体装置-CN202180050839.4在审
发明人：柳田秀彰;四户孝;安藤裕之;松原佑典;北角英人 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：提供一种能够在谋求小型化及高密度化的同时提高对过电流的耐久性的半导体装置。本发明的半导体装置具有：多个PN结二极管，具备负温度特性而串联连接；多个电阻元件，与所述多个PN结二极管分别并联连接，并且相互被串联连接；以及肖特基势垒二极管，具备正温度特性而与所述多个PN结二极管并联连接。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202180050849.8在审
发明人：柳田秀彰;四户孝;安藤裕之;松原佑典;北角英人 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：提供一种能够在谋求小型化及高密度化的同时提高对过电流的耐久性的半导体装置。本发明的半导体装置具有：多个PN结二极管，具备负温度特性而串联连接；肖特基势垒二极管，具备正温度特性而与所述多个PN结二极管并联连接；以及芯片焊盘，共同载置所述多个PN结二极管中的至少一个与所述肖特基势垒二极管。
半导体装置

[发明专利]功率转换电路以及功率转换系统-CN202180048967.5在审
发明人：北角英人;松原佑典 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：提供一种降低了辐射噪声的功率转换电路。功率转换电路至少具备：开关元件(5)，经由电抗器(4)对所输入的电压进行开闭；以及换向二极管(7)，通过至少包括在所述开关元件(5)关断时从所述电抗器(4)产生的电动势的电压，使沿所述电动势的方向流动的电流导通，所述换向二极管(7)包括氧化镓系肖特基势垒二极管。
功率转换电路以及系统

[发明专利]半导体元件和半导体装置-CN202180013128.X在审
发明人： 松原佑典;今藤修;安藤裕之;竹原秀树;四户孝;冲川满 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：提供一种半导体特性及散热性优异的半导体元件及半导体装置。一种半导体元件，包含层叠结构体，该层叠结构体通过在导电性基板上直接或隔着其他层层叠有氧化物半导体膜而成，所述氧化物半导体膜包括具有刚玉结构的氧化物作为主成分，所述导电性基板具有比所述氧化物半导体膜大的面积，所述半导体装置通过所述半导体元件与引线框、电路基板或散热基板利用接合部件接合而成。
半导体元件装置

[发明专利]半导体元件和半导体装置-CN202180013173.5在审
发明人： 松原佑典;今藤修;安藤裕之;竹原秀树;四户孝;冲川满 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：提供一种半导体特性及散热性优异的半导体元件及半导体装置。一种半导体元件，包含层叠结构体，该层叠结构体通过在导电性基板上直接或隔着其他层层叠有氧化物半导体膜而成，所述氧化物半导体膜包括含有镓的氧化物作为主成分，所述导电性基板具有比所述氧化物半导体膜大的面积，所述半导体装置通过所述半导体元件与引线框、电路基板或散热基板利用接合部件接合而成。
半导体元件装置

[发明专利]半导体装置和半导体系统-CN202080064681.1在审
发明人：冲川满;樋口安史;松原佑典;今藤修;四户孝 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：提供了一种对功率器件特别有用，且改善了由绝缘体膜引起的由半导体层内的应力集中导致的晶体缺陷的半导体装置。一种半导体装置，至少具备半导体层、肖特基电极和绝缘体层，在所述半导体层的一部分和所述肖特基电极之间设置有所述绝缘体层，所述半导体层包含结晶性氧化物半导体，所述绝缘体层具有10°以下的锥形角。
半导体装置系统

[发明专利]半导体元件-CN202080069877.X在审
发明人：今藤修;松原佑典 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2020-10-05 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：提供一种具备平坦性优异且不易变形而能够实现良好的半导体特性的多孔层的半导体元件。半导体元件包含半导体膜和配置在半导体膜的第一面侧或作为第一面侧的相反侧的第二面侧的多孔层，所述多孔层的空隙率为10％以下。
半导体元件

[发明专利]层叠结构体和半导体装置-CN202080064671.8在审
发明人：冲川满;樋口安史;松原佑典;今藤修;四户孝 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了一种层叠结构体和使用层叠结构体的半导体装置，该层叠结构体对功率器件特别有用，且改善了由绝缘体膜引起的半导体层内的应力集中导致的晶体缺陷。一种层叠结构体，通过在半导体膜的一部分上层叠有绝缘体膜而成，所述半导体膜具有刚玉结构，并且包含结晶性氧化物半导体，所述结晶性氧化物半导体含有选自元素周期表第9族和第13族中的一种或两种以上的金属，所述绝缘体膜具有20°以下的锥形角。
层叠结构半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202080052697.0在审
发明人：冲川满;樋口安史;松原佑典 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供一种特别对于功率器件有用的、抑制了漏电流的低损耗的半导体装置。一种半导体装置，包含：半导体层；介电膜，形成在所述半导体层上，且具有开口部，在距离所述开口部至少0.25μm以上的范围而形成；和电极层，在从所述开口部的内部直至所述介电膜的一部分或全部之上而形成，其中，从所述开口部到0.25μm以上的距离的所述介电膜的膜厚小于50nm，所述介电膜的相对介电常数在5以下。
半导体装置

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