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[发明专利]半导体器件-CN201410422025.0有效
发明人： 松井孝二郎;阪本雄彦;梅津和之;宇野友彰 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-08-25 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件。提高半导体器件的性能。在半导体衬底(SB)的主面的LDMOSFET形成区域(LR)形成有相互并联连接而构成功率MISFET的多个单位MISFET元件。在半导体衬底(SB)的主面的驱动电路区域(DR)还形成有控制功率MISFET的栅极电压的控制电路。在半导体衬底(SB)上还形成有具有由同种金属材料构成的多个布线层的布线结构。形成于LDMOSFET形成区域(LR)的多个单位MISFET元件的栅电极(GE)彼此之间经由极布线(M1G、M2G、M3G)而相互电连接，所述极布线分别形成在由同种金属材料构成的多个布线层的全部布线层上。
半导体器件

[实用新型]半导体器件-CN201420482097.X有效
发明人： 松井孝二郎;阪本雄彦;梅津和之;宇野友彰 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-08-25 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件。提高半导体器件的性能。在半导体衬底(SB)的主面的LDMOSFET形成区域(LR)形成有相互并联连接而构成功率MISFET的多个单位MISFET元件。在半导体衬底(SB)的主面的驱动电路区域(DR)还形成有控制功率MISFET的栅极电压的控制电路。在半导体衬底(SB)上还形成有具有由同种金属材料构成的多个布线层的布线结构。形成于LDMOSFET形成区域(LR)的多个单位MISFET元件的栅电极(GE)彼此之间经由极布线(M1G、M2G、M3G)而相互电连接，所述极布线分别形成在由同种金属材料构成的多个布线层的全部布线层上。
半导体器件