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[发明专利]压电单晶元件及其制造方法-CN200480042961.3有效
发明人： 松下三芳 -专利权人：杰富意矿物股份有限公司
申请日： 2004-10-29 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：本发明提供耐热性优良的压电单晶元件及其制造方法，该元件即使在有从室温到高温(具体为150℃)的温度变化的使用环境下，也可以使横向振动模式的机电耦合系数k₃₁稳定而不降低，从而保持50％以上的高值。具体而言，其特征在于，当以将[001]轴为C轴(晶格常数最大的轴)的正方晶格的[101]轴为极化方向3时，压电元件端面T的法线方向1处于包含与极化方向3大致正交方向的[－101]轴且相对该[－101]轴成±25°立体角的角度范围内，或者，当以上述正方晶格的[011]轴为极化方向3时，压电元件端面T的法线方向1处于包含与极化方向大致正交方向的[0－11]轴且相对该[0－11]轴成±25°立体角的角度范围内，无论何种情况，与极化方向3大致正交方向即横向的振动模式的机电耦合系数k₃₁均在50％以上。
压电元件及其制造方法

[发明专利]压电单晶元件及其制造方法-CN200480042913.4有效
发明人： 松下三芳 -专利权人：杰富意矿物股份有限公司
申请日： 2004-10-28 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：提供一种能够稳定地得到横向振动模式的机电偶合系数k₃₁为60％以上的压电单晶元件及其制造方法。具体而言，在以极化方向(3)为假立方晶系的[110]轴时，压电元件端面10c的法线方向(1)在包含与极化方向大致正交的方向即[001]轴且在该[001]轴±35°的角度范围内，与极化方向(3)正交的方向即横向振动模式的机电偶合系数k₃₁为60％以上。
压电元件及其制造方法

[发明专利]压电单晶、压电单晶元件及其制造方法-CN200480030194.4有效
发明人： 松下三芳;岩崎洋介 -专利权人：杰富意矿物股份有限公司
申请日： 2004-10-14 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：通过在镁铌酸铅－钛酸铅(PMN－PT)单晶或锌铌酸－钛酸铅(PZN－PT或PZNT)单晶中添加特定的添加物，提供一种压电特性优良且价格低廉的复合钙钛矿结构的压电单晶元件等。具体而言，压电单晶具有复合钙钛矿结构，是一种含有35～98mol％的镁铌酸铅[Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃]或锌铌酸铅[Pb(Zn_1/3Nb_2/3)O₃]、0.1～64.9mol％的钛酸铅[PbTiO₃]以及0.05～30mol％的铟铌酸铅[Pb(In_1/2Nb_1/2)O₃]的组成物，其特征在于：该组成物中的0.05～10mol％的铅被置换为钙。
压电元件及其制造方法

[发明专利]压电单晶元件-CN200510118462.4有效
发明人： 松下三芳;岩崎洋介 -专利权人：杰富意矿物股份有限公司
申请日： 2005-10-28 - 公布日： 2006-05-31 - 主分类号： H01L41/18 文献下载
摘要：本发明提供特别是在假立方晶和正方晶之间的变态温度T_rt～(T_rt－20)℃的特定高温域，压电特性出色的压电单晶元件。具体而言，由具有[Pb(Mg，Nb)O₃]_(1－x)·[PbTiO₃]_(x)：(X＝0.26～0.29)的组成且具有复合钙钛矿构造的单晶构成，在25℃的相对介电常数的值是5000及以上，在所述单晶的假立方晶和正方晶之间的变态温度下的相对介电常数的值是在25℃的相对介电常数的值的2.5倍及以上。
压电元件

[发明专利]压电单晶元件及其制造方法-CN200410045750.7有效
发明人： 松下三芳;岩崎洋介 -专利权人：川铁矿业株式会社
申请日： 2004-05-21 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L41/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种积极地利用与极化方向直交的方向(横向振动模式)的机电耦合系数(k₃₁)的压电单晶元件(器件)。具体而言，其特征是：极化方向(3)为赝立方晶的〔001〕轴时，压电元件端面的法线方向，相对于与畴结构直交的方向(n)，处在0～15°或40～50°的范围内，其中，该畴结构存在于包含与极化方向(3)直交的〔010〕及〔100〕轴的结晶平面内。
压电元件及其制造方法

[发明专利]畴控制压电单晶元件及其制造方法-CN02143429.8有效
发明人：小川敏夫;松下三芳;舘义仁 -专利权人：小川敏夫;川铁矿业株式会社
申请日： 2002-09-25 - 公布日： 2003-10-08 - 主分类号： H01L41/18 文献下载
摘要：本发明的课题是，开发了有效地利用了k33为80％以上、d33为800pC/N以上，而且k31为70％以上、d31为1200pC/N以上的k31的利用横向振动模式(k31)的畴控制压电单晶元件，以及k33为80％以上、d33为800pC/N以上，而且k31为30％以下，在k33的振动模式的使用频带内没有乱真等的高效率、高性能的利用纵向振动模式(k33)的畴控制压电单晶元件。作为压电单晶元件的厚度方向的极化条件，在20℃～200℃的温度范围内施加最长2小时的400V/mm～1500V/mm的直流电场，或者在保持施加了电场的状态下进行冷却(电场冷却)，作为该工序的前阶段，在与极化方向正交的方向上施加电场(电场施加)，或者把压电单晶的菱面晶体－正方晶体相边界温度，或者正方晶体－立方晶体相边界温度夹在中间进行升降温，或者在立方晶体温区的不同的2个温度之间进行升降温(热处理)，或者兼用这些工序。
控制压电元件及其制造方法