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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]差压双离子阱质量分析仪及其使用方法-CN201210245627.4有效
发明人： 杰·C·施瓦兹;约翰·E·P·西卡;斯科特·T·夸姆比 -专利权人：塞莫费尼根股份有限公司
申请日： 2007-12-12 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01J49/04 文献下载
摘要：一种双离子阱质量分析仪包括相邻放置且分别保持较高和较低压力的第一和第二二维离子阱。可以在第一阱中执行倾向高压的功能(冷却和碎裂)，在第二阱中执行倾向低压的功能(分离和分析扫描)。可以在第一和第二阱之间通过具有小孔的平板透镜传输离子，其中该小孔提供了泵的限制，并允许在两个阱中保持不同的压力。该双离子阱质量分析仪的差压环境有助于在不牺牲离子捕获和碎裂效率的情况下，使用高分辨率的分析扫描模式。
差压双离子质量分析及其使用方法

[发明专利]在离子阱装置中实现平衡射频场的系统与方法-CN200780017337.1有效
发明人： 杰·C·施瓦兹 -专利权人：塞莫费尼根股份有限公司
申请日： 2007-05-18 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01J49/42 文献下载
摘要：公开一种有效补偿四极离子阱中不平衡或非零的中线射频电势的系统与方法，由补偿特征建起的不平衡的中线电势最小化由离子阱中一个或多个喷射槽口建起的非线性场分量。该离子阱包括纵向穿过离子阱里面的捕获空间的中线，具有与中线近似平行的内部Y电极表面的一对Y电极，以及具有与中线近似平行的内部X电极表面的一对X电极。该X电极具有喷射槽口，被捕获的离子通过该喷射槽口从离子阱中射出。具有耦合到两个Y电极上的Y信号幅度的Y信号。具有耦合到两个Y电极上选取得大于Y信号幅度的X信号幅度的X射频信号，由其在离子阱装置的中线处建起平衡的中线射频电势。
离子装置实现平衡射频系统方法

[发明专利]差压双离子阱质量分析仪及其使用方法-CN200780046398.0有效
发明人： 杰·C·施瓦兹;约翰·E·P·西卡;斯科特·T·夸姆比 -专利权人：塞莫费尼根股份有限公司
申请日： 2007-12-12 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： H01J49/00 文献下载
摘要：一种双离子阱质量分析仪包括相邻放置且分别保持较高和较低压力的第一和第二二维离子阱。可以在第一阱中执行倾向高压的功能(冷却和碎裂)，在第二阱中执行倾向低压的功能(分离和分析扫描)。可以在第一和第二阱之间通过具有小孔的平板透镜传输离子，其中该小孔提供了泵的限制，并允许在两个阱中保持不同的压力。该双离子阱质量分析仪的差压环境有助于在不牺牲离子捕获和碎裂效率的情况下，使用高分辨率的分析扫描模式。
差压双离子质量分析及其使用方法

[发明专利]在质谱仪中对解离类型的数据依赖的选择-CN200780031593.6有效
发明人： 杰·C·施瓦兹;约翰·E·P·西卡;安德里斯·F·R·哈默尔;约书亚·J·库恩 -专利权人：塞莫费尼根股份有限公司;约书亚·J·库恩
申请日： 2007-08-24 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： H01J49/00 文献下载
摘要：本发明公开了用于数据依赖的质谱MS/MS或MSn分析的方法和装置。该方法包括确定感兴趣的离子种类的电荷状态，然后至少部分地基于确定的电荷状态，自动选择解离类型(例如，CAD，ETD，或跟有非解离电荷还原或碰撞活化的ETD)。然后，根据选择的解离类型，解离感兴趣的离子种类，并且收集最终的子离子的MS/MS或MSn质谱。
质谱仪解离类型数据依赖选择

[发明专利]二维四极离子阱-CN200680028082.4有效
发明人：迈克尔·W·赛恩科;杰·C·施瓦兹 -专利权人：塞莫费尼根股份有限公司
申请日： 2006-08-01 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： H01J49/42 文献下载
摘要：提供了一种线性离子阱的孔设计，其中优化该孔以尽量减小可能的轴向场不均匀同时保持四极杆的结构整体性。一般地，本发明提供一种俘获随后发射离子的线性离子阱。该线性离子阱包括限定内阱体的多根杆，该内阱体具有纵向延伸的轴。一根或多根杆包括径向延伸通过杆且纵向延着杆延伸的孔。该孔配置为使得离子从内阱体通过该孔到达内阱体外部的区域。在孔附近设置至少一个槽，其沿着杆纵向延伸并且正对内阱体，该槽在径向上不延伸通过杆。
二维离子

[发明专利]在离子阱中高Q脉冲碎裂-CN200580038639.8有效
发明人： 杰·C·施瓦兹 -专利权人：塞莫费尼根股份有限公司
申请日： 2005-09-12 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： H01J49/42 文献下载
摘要：一种用于质谱仪的离子阱(104)，包括：RF捕获电压电源(112)，用于施加RF捕获电压至离子阱(104)的多个电极(102，106，110)中的至少一个，以捕获(trap)在离子阱(104)中的至少一部分离子；共振激发电压电源(114)，用于施加共振激发电压脉冲至电极(102，106，110)以使已选离子组的至少一部分受到碰撞并破裂变成离子碎片；以及，计算机(116)，用于控制RF捕获电压电源(112)以在预定延迟周期之后降低RF捕获电压至第二幅度用于保持低质量离子碎片在离子阱(104)中用于随后分析，上述延迟周期跟在共振激发电压脉冲的终止之后。
离子中高脉冲碎裂

[发明专利]用于质谱法在四极离子阱中分离离子-CN200580034905.X有效
发明人：斯科特·T·夸姆比;杰·C·施瓦兹;约翰·E·P·西卡 -专利权人：塞莫费尼根股份有限公司
申请日： 2005-07-29 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01J49/42 文献下载
摘要：通过调节场以及利用弹射频率波形，在离子阱中分离在预定狭窄质荷比范围中的离子。这样，质量－电荷比分离窗口被控制，并在没有增加频率分量数目情况下具有提高的分辨率。
用于质谱法离子分离

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