专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于绑定机制的缓存管理方法-CN201811509797.2有效
  • 周天游;廖彬彬;王荣生;黄益人 - 杭州阿姆科技有限公司
  • 2018-12-11 - 2023-04-11 - G06F12/0871
  • 本发明公开了一种基于绑定机制的缓存管理方法。它把BFN(缓存区编号)号等额划分为若干组,每一个BFN(缓存区编号)对应1bit有效标识,将每一组标识存入可读写RAM中,RAM的读写地址即为组号,将组号存入FIFO中。当用户申请BFN(缓存区编号)时,从FIFO中取出组号,根据组号读取RAM,再根据组内指针(上一次取出有效位标识的bit位置)取到有效标识,根据有效标识在组内位置以及组号,组合而成一个BFN(缓存区编号)响应给用户,同时翻转此标识位。本发明的有益效果是:可以最大化的压缩BFN(缓存区编号)自身的存储空间,可节省由于BFN(缓存区编号)号过大所需存储的位宽带来的消耗。
  • 一种基于绑定机制缓存管理方法
  • [发明专利]一种SSD中块转换层的实现方法-CN201811027966.9有效
  • 晋兆虎;廖彬彬;王荣生;黄益人 - 杭州阿姆科技有限公司
  • 2018-09-04 - 2023-04-07 - G06F12/1009
  • 本发明公开了一种SSD中块转换层的实现方法。它具体包括如下步骤:(1)建立初始的坏块信息表BBIT;(2)建立块转换层BTL,块转换层BTL表是一个逻辑block到物理block的转换表,其中逻辑block的地址生成包括若干类型,物理block的替换方式包括若干类型。本发明的有益效果是:块转换层BTL表建立之后,控制器的其他引擎在查询block的信息的时候,直接向块转换层BTL申请,块转换层BTL将屏蔽掉坏块信息的Block信息送到各流程,这样其他流程不用处理有坏块的异常情况,引入块转换层(BTL)简化了SSD的设计。
  • 一种ssd转换实现方法
  • [发明专利]一种快速处理固态硬盘TRIM的方法-CN201810928716.6有效
  • 沈海锋;王荣生;黄华;黄益人 - 杭州阿姆科技有限公司
  • 2018-08-15 - 2023-04-07 - G06F12/02
  • 本发明公开了一种快速处理固态硬盘TRIM的方法。它具体操作步骤如下:(1)TRIM状态表以LBA为索引,代表对应的LBA是否等待TRIM,将k个LBA映射到一个TRIM节点,以TRIM节点为索引建立一个TRIM节点状态表,TRIM节点状态表的内容为每个节点的状态;(2)当主机下发TRIM命令后,SSD控制器根据起始LBA地址和范围将TRIM状态表和TRIM节点状态表更新,将主机所要TRIM的LBA信息记录下来,更新完TRIM状态表和TRIM节点状态表的时候向主机返回TRIM命令;(3)设备表项处理模块在背景上将记录的待TRIM的LBA进行TRIM操作完成。本发明的有益效果是:解决TRIM命令处理延时巨大的问题的方法;在TRIM背景处理过程中优先响应主机IO的表项的请求,使得SSD的性能不受背景TRIM操作的明显影响。
  • 一种快速处理固态硬盘trim方法
  • [发明专利]一种QC-LDPC编码算法及实现方法-CN201811509804.9有效
  • 廖彬彬;周天游;王荣生;廖莎;黄益人 - 杭州阿姆科技有限公司
  • 2018-12-11 - 2023-04-07 - H03M13/11
  • 本发明公开了一种QC‑LDPC编码算法及实现方法。它通过使用部分生成矩阵G和部分校验矩阵H,来从原始信息位u计算出校验位p;具体为:原始信息位u通过填充单元使得原始信息位u的长度为QC长度的整数倍;通过填充单元的原始信息位u使用乒乓两个缓存来提高LDPC编码器的性能;配置稠密循环矩阵和稀疏循环矩阵,进入到稠密/稀疏矩阵参数中,用来控制每个计算时钟周期内,哪些稠密或者稀疏计算引擎参与计算;根据矩阵参数的配置信息,通过异或来实现矩阵乘法中的累加功能,最终输出校验位p。本发明的有益效果是:仅需使用少量的存储空间,计算速度快;根据用户的性能需求灵活定制电路,实现性能、功耗和电路面积之间的最优化。
  • 一种qcldpc编码算法实现方法
  • [发明专利]一种快速获取NAND最优读取数据的方法-CN202211198514.3有效
  • 冯立晖;廖莎;雷莉;王荣生 - 杭州阿姆科技有限公司
  • 2022-09-29 - 2023-01-10 - G11C16/34
  • 本发明公开了一种快速获取NAND最优读取数据的方法,包括:S1、选取读数据的电压阈值偏移范围;S2、读取并存储数据;S3、依次计算每个电压阈值的最优电压阈值,组成最优电压阈值表;S4、逐比特判定最优电压阈值:判定要恢复的数据比特类型,判断出用哪个电压阈值读取当前比特数据,并确定出该电压阈值的最优电压阈值;S5、根据S4得到的该电压阈值的最优电压阈值,完成当前比特数据的恢复;S6、重复S4~S5,每次恢复一个比特数据,依次逐比特分析并恢复数据,最后恢复出NAND闪存颗粒对应最优电压阈值粒度的最优读数据。本发明能提高最优读取数据的准确性和精度;缩短数据读取的总时长,降低数据存储成本。
  • 一种快速获取nand最优读取数据方法
  • [发明专利]一种应用于SSD上的双层纠错方法-CN202210442460.4有效
  • 廖莎;沈海锋;鲍慧强;王荣生;冯立晖;雷莉 - 杭州阿姆科技有限公司
  • 2022-04-26 - 2022-08-05 - G11C29/42
  • 本发明公开了一种应用于SSD上的双层纠错方法,包括第一层纠错方法和第二层纠错方法,两层纠错方法均包括编码过程和解码过程,设每x份原始数据增加1份数据作为冗余数据,首先通过第二层纠错方法对原始数据块进行编码,当数据Sn通过第一层纠错方法发生解码失败时,启动第二层纠错方法对Sn进行解码,得到新的数据Sn',将Sn'再送入第一层纠错方法进行解码,由于在第二层纠错方法的解码计算时,已经消除了数据Sn绝大多数的比特翻转错误,所以再次经过第一层纠错方法的解码成功的概率很大。本发明的双层纠错方法使得成本开销得到了有效的控制,并且纠错能力大幅度增强,进而大幅度延长闪存颗粒的寿命周期。
  • 一种应用于ssd双层纠错方法
  • [发明专利]一种基于读数据的电压分布分析方法-CN202210184370.X有效
  • 雷莉;冯立晖;廖莎 - 杭州阿姆科技有限公司
  • 2022-02-28 - 2022-05-27 - G11C16/26
  • 本发明公开了一种基于读数据的电压分布分析方法,应用于NAND Flash,包括:根据已知的标准电压分布图,确定待测电压的范围;在待测电压的范围内确定若干个待测电压档位,待测电压档位是指读取NAND Flash中原始数据时使用的电压阈值点的档位;将所有电压阈值点绑定一起调档,读取NAND Flash中的原始数据并保存;计算每个电压阈值点对应的每一个待测电压档位所判定的存储状态的相对个数,用CountX(i)表示;预画出电压分布图,基于预画出的电压分布图对CountX(i)进行处理,得到最终的电压分布图。本发明对所有电压阈值点绑定统一调档读取,且只基于读数据,就可以快速获得电压分布情况,从而判断测试的物理块的状态是否异常。
  • 一种基于读数电压分布分析方法
  • [发明专利]一种SSD中RAID的实现方法-CN201810982296.X有效
  • 廖彬彬;晋兆虎;王荣生;黄益人 - 杭州阿姆科技有限公司
  • 2018-08-27 - 2022-01-28 - G06F3/06
  • 本发明公开了一种SSD中RAID的实现方法。它的实现方法包括如下两个方面:(1)Logic Block重映射:将当前使用的block编号和实际的物理block隔离,在二者加之间建立一个映射表,当实际物理块发生错误的时候,用NAND的冗余保护空间获取新的block,用以替换出错的block,替换之后的新的block的逻辑编号没有发生变化;(2)RAID组的选择:在选择RAID组的时候,将没有强相关性的block做RAID处理;在NVM Set内部做RAID处理,以实现不同NVM Set之间的I/O隔离。本发明的有益效果是:利用Bad block映射关系表降低RAID复杂度,提供稳定的读写性能;使用灵活的RAID关系组实现I/O隔离。
  • 一种ssdraid实现方法
  • [发明专利]一种基于RAID信息的LDPC纠错方法-CN202110034833.X有效
  • 廖莎;鲍慧强 - 杭州阿姆科技有限公司
  • 2021-01-12 - 2021-04-06 - H03M13/11
  • 本发明公开了一种基于RAID信息的LDPC纠错方法,当闪存颗粒中出现LDPC不可纠的错误时,采用的纠错方法包括如下步骤:S1、初始化两组数据Min和SIGN;S2、确定发生LDPC解码不可纠的数据的地址,设该数据为错误数据M;S3、更新Min和SIGN两组数据;S4、将数据M与数据Min和SIGN进行加权,形成一帧新的数据,该所述新的数据作为LDPC的输入解码。本发明在不改变现有闪存控制器架构的基础上,提高纠错能力,进而大幅度提高闪存颗粒的寿命周期,且具有延时更低的优势。
  • 一种基于raid信息ldpc纠错方法
  • [发明专利]基于RAID信息的纠错方法、计算机可读存储介质及处理器-CN202010809757.0有效
  • 廖莎;王荣生 - 杭州阿姆科技有限公司
  • 2020-08-13 - 2020-11-17 - G06F11/10
  • 本发明公开了一种基于RAID信息的纠错方法、计算机可读存储介质及处理器,纠错方法包括:当闪存颗粒出现BCH或RS不可纠的错误时,确定不可纠的错误数据A的地址;计算经过RAID恢复得到的值DRAID;对闪存颗粒进行三次读:选取三个读取阈值op、op+、op‑,其中op为闪存颗粒在当前情况下的最佳阈值,op+和op‑分别为op右侧的阈值和op左侧的阈值,根据读取阈值op、op+、op‑重读错误数据A,分别得到Dop、Dop+、Dop‑;将第二次读得到的数据Dop+和第三次读得到的数据Dop‑按照比特位进行异或操作,并判断异或的结果是否为1:若异或的结果为1,则用DRAID的对应比特位替代原数据;若异或的结果为0,则保持Dop的对应比特位。在不改变现有闪存控制器架构的基础上,提高纠错能力。
  • 基于raid信息纠错方法计算机可读存储介质处理器

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