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- [实用新型]一种OLED面板LTPO新型背板结构-CN202222123044.6有效
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杨远直;罗敬凯;贾浩
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福建华佳彩有限公司
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2022-08-12
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2022-11-15
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H01L27/32
- 本实用新型公开了一种OLED面板LTPO新型背板结构,包括基板,所述基板的顶部镀有一层金属层M0,所述金属层M0上覆盖设置有绝缘层PV1,所述绝缘层PV1上开设有VIA1洞,所述绝缘层PV1上设置有Poly半导体层,所述Poly半导体层的外侧设置有P+层,OLED操作电路中驱动功能的TFT使用电子迁移率更大的LTPS TFT,TFT的尺寸较IGZO TFT尺寸更小;开关TFT使用漏电流更小的IGZO TFT,储存电容可以做的较小,且由于TFT分层分布,所以与只使用IGZO或LTPS背板的传统OLED面板相比,子像素的驱动电路的面积更小,分辨率更高,面板显示更清晰;OLED操作电路中开关功能的TFT使用漏电流较小的IGZO TFT,电容电位保持时间延长,可实现低频刷新显示,所以与只使用LTPS背板的传统OLED面板相比,驱动功耗更低。
- 一种oled面板ltpo新型背板结构
- [实用新型]一种新型LTPO背板结构-CN202220638458.X有效
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杨远直;罗敬凯;贾浩
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福建华佳彩有限公司
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2022-03-22
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2022-09-27
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H01L27/12
- 本实用新型公开了一种新型LTPO背板结构,包括低温多晶硅半导体层,所述低温多晶硅半导体层上设有绝缘层和第一层金属栅极,所述绝缘层将第一层金属栅极和低温多晶硅半导体层隔开,所述绝缘层和第一层金属栅极外设有第一层钝化层,所述第一层钝化层上设有第二层金属,所述第二层金属与第一层金属栅极相连,所述第二层金属外设有第二层钝化层,所述第二层钝化层上设有第三层金属,所述第三层金属与第二层金属通过第二层钝化层形成像素驱动电路的储存电容,所述第三层金属上设有第三层钝化层,所述第三层钝化层上镀膜形成金属氧化物半导体,本实用新型属于背板技术领域,具体是指一种新型LTPO背板结构,功耗低稳定性好。
- 一种新型ltpo背板结构
- [实用新型]一种像素结构的内部补偿电路-CN202220809216.2有效
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刘焱鑫;罗敬凯;贾浩;杨远直;林梦玲
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福建华佳彩有限公司
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2022-04-08
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2022-08-05
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G09G3/3225
- 本实用新公开一种像素结构的内部补偿电路,像素结构的每个像素单元包括第一开关管和多个子像素;每个子像素包括4T2C驱动架构,第一晶体管一端连接Data,第一晶体管控制端连接Scan1,第一晶体管另一端连接第一电容一端和第二晶体管控制端;第二晶体管一端连接第三晶体管一端,第三晶体管控制端连接EM,第三晶体管另一端连接OVDD;第二晶体管另一端连接发光二极管,第一电容另一端连接第四晶体管一端、第二电容一端和发光二极管;第四晶体管另一端连接Vsus,第四晶体管控制端连接Reset;第二电容另一端、发光二极管的阴极连接OVSS;第一晶体管另一端均连接第一开关管一端,第一开关管另一端连接Verf,第一开关管控制端连接Scan2。本实用新使面板亮度均匀。
- 一种像素结构内部补偿电路
- [实用新型]一种应用于OLED面板的IGZO背板结构-CN202220333000.3有效
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杨远直;罗敬凯;贾浩
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福建华佳彩有限公司
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2022-02-16
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2022-07-12
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H01L27/12
- 本实用新型公开一种应用于OLED面板的IGZO背板结构,基板Sub上设有金属层M0;基板Sub上还设有绝缘层PV,绝缘层PV覆盖金属层M0;绝缘层PV上设有半导体层IGZO;IGZO半导体层上设有金属层M0.5;绝缘层PV上还设有绝缘层GI,绝缘层GI覆盖金属层M0.5和半导体层IGZO;绝缘层GI上设有金属层M1;绝缘层GI上还设有绝缘层IP,绝缘层IP覆盖金属层M1;绝缘层IP上设有金属层M2,金属层M2与金属层M0.5形成储存电容;绝缘层IP上还设有有机平坦层OP,有机平坦层OP覆盖金属层M2;有机平坦层OP上设有阳极金属层Anode;有机平整层OP上还设有画素定义层PDL,该画素定义层PDL在阳极金属层Anode处设有开口。本实用新型能够改善IGZO OLED面板分辨率低的缺点。
- 一种应用于oled面板igzo背板结构
- [实用新型]一种新型全面屏手机画素排布结构-CN202220428916.7有效
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杨远直;罗敬凯;贾浩
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福建华佳彩有限公司
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2022-03-01
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2022-06-21
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H01L27/32
- 本实用新型公开了一种新型全面屏手机画素排布结构,包括屏幕本体,所述屏幕本体内部设有屏下摄像头区域和正常区域,所述正常区域内部设有若干组均匀排列的第一像素,所述屏下摄像头区域内部设有若干组均匀排列的第二像素,第二像素的开口区为第一像素的开口区的一半,从而减小对屏下摄像头区域的遮挡,使其透明度更高,降低对摄像头的影响,所述屏幕本体内部还设有第一驱动电路和第二驱动电路,第二驱动电路的尺寸为第一驱动电路的一半,进一步增大屏下摄像头区域的透光率,屏下摄像头区域与周边区域无明显显示差异,显示更均匀,实现了无差别的显示效果和100%的屏占比,同时兼顾拍摄的清晰度,使用时显示画面和拍摄两不误。
- 一种新型全面手机排布结构
- [发明专利]一种新型全面屏手机画素排布结构及方法-CN202210195067.X在审
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杨远直;罗敬凯;贾浩
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福建华佳彩有限公司
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2022-03-01
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2022-06-03
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H01L27/32
- 本发明公开了一种新型全面屏手机画素排布结构及方法,包括屏幕本体,所述屏幕本体内部设有屏下摄像头区域和正常区域,所述正常区域内部设有若干组均匀排列的第一像素,所述屏下摄像头区域内部设有若干组均匀排列的第二像素,第二像素的开口区为第一像素的开口区的一半,从而减小对屏下摄像头区域的遮挡,使其透明度更高,降低对摄像头的影响,所述屏幕本体内部还设有第一驱动电路和第二驱动电路,第二驱动电路的尺寸为第一驱动电路的一半,进一步增大屏下摄像头区域的透光率,屏下摄像头区域与周边区域无明显显示差异,显示更均匀,实现了无差别的显示效果和100%的屏占比,同时兼顾拍摄的清晰度,使用时显示画面和拍摄两不误。
- 一种新型全面手机排布结构方法
- [发明专利]全面屏手机像素排布方法-CN202210042734.0在审
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杨远直;罗敬凯;贾浩
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福建华佳彩有限公司
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2022-01-14
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2022-04-22
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H01L27/32
- 本发明公开了一种全面屏手机像素排布方法,包括如下步骤:S1:其他区域的像素开口不变,FDC区域的像素开口高度减小为其他区域像素开口高度的一半,像素开口面积变为其他区域的一半大小;S2:以2T1C画素驱动电路为例,面板其他区域采用正常大小尺寸的TFT元件;S3:FDC区域的像素驱动电路减小走线宽度为原来的一半,减小Scan走线和DATA走线间距S1减小为1/2S1和减小储存电容面积为原来的一半;使像素开口尽可能覆盖电路元件和电路走线,而另一半无走线和电路元器件,可使光线可以透过面板到达摄像头。本发明与低PPI方案相比,FDC区域的像素密度更高,显示更高清。本发明与低PPI方案相比,FDC区域不会出现与其他区域显示有差异,显示更均匀。
- 全面手机像素排布方法
- [发明专利]一种新型OLED像素结构及排列方法-CN202210015565.1在审
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杨远直;罗敬凯;贾浩
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福建华佳彩有限公司
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2022-01-07
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2022-04-08
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H01L27/32
- 本发明公开了一种新型OLED像素结构及排列方法,将一个蓝色子像素、一个红色子像素和两个绿色子像素构成像素单元,蓝色子像素以及红色子像素均为六边形结构,两个所述绿色子像素均为喇叭形结构,通过将RGB子像素设计成不同形状和大小,到增大蓝色子像素材料寿命以改善OLED面板偏色问题,相对于采用与传统LCD一样的标准RGB排列,即R、G、B大小和形状一致,与使用标准RGB排列的传统OLED面板相比,本发明有效提升OLED蓝色发光元件的寿命,改善了长时间显示引起的面板偏色问题,通过改变像素中RGB三原色分配,有效的降低了该材质屏幕的颗粒感,通过借色原理减少了像素数量却不改变显示效果,节约了成本。
- 一种新型oled像素结构排列方法
- [发明专利]OLED面板的双层LTPO背板结构-CN202111248576.6在审
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杨远直;罗敬凯;贾浩
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福建华佳彩有限公司
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2021-10-26
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2022-01-25
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H01L27/12
- 本发明公开了一种OLED面板的双层LTPO背板结构,包括基板、绝缘层PV1、GI层、绝缘层PV2、绝缘层PV3、有机平整层OC,基板上镀上金属层M0,绝缘层PV1覆盖在金属层M0上,绝缘层PV1上镀上a‑si非晶硅层,绝缘层PV1上打VIA1洞,P+层上镀上金属层M0.5,GI层覆盖半导体层、P+层和金属层M0.5,GI层上镀上金属层M1,与P+层形成储存电容Cst;绝缘层PV2覆盖金属层M1,绝缘层PV2镀膜形成IGZO半导体层,IGZO半导体层上分别镀上GI层和金属层M2,GI层将金属层M2与IGZO半导体层隔开;绝缘层PV3覆盖金属层M2和IGZO半导体层,绝缘层PV3上打VIA3洞,绝缘层PV3上镀上金属层M3;本发明公能分别发挥LTPS高电子迁移率、高可靠性和IGZO低漏电流的优点,使OLED面板能达到高分辨率、高稳定性、低功耗的要求。
- oled面板双层ltpo背板结构
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